A method (100) for processing wide band gap semiconductor chips is proposed. The method (100) includes depositing (110) a non single crystal support layer (320) at the back side of a broadband gap semiconductor wafer. The method (100) further includes depositing (120) epitaxial layers at the front side of a broadband gap semiconductor wafer. The (130) wide band gap semiconductor wafer is split along the split region to obtain a device wafer including at least a portion of the epitaxial layer and a remaining wafer including a non single crystal support layer (320).
【技术实现步骤摘要】
用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片
示例涉及用于处理宽带隙半导体晶片的方法、用于形成多个薄宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片。
技术介绍
薄半导体晶片(例如具有小于250μm的厚度)可能显示出晶片弯曲或翘曲。因此,也许并不可能完全自动地处理薄半导体晶片,因为工艺设备可能无法处理这样的薄半导体晶片。可以通过晶片拆分来减薄半导体晶片,例如以使得能够实现再用。
技术实现思路
一个示例涉及用于处理宽带隙半导体晶片的方法。将非单晶支撑层沉积在宽带隙半导体晶片的背侧处。另外,将外延层沉积在宽带隙半导体晶片的前侧处。该方法包括:沿着拆分区域拆分宽带隙半导体晶片,以获得包括至少一部分外延层的器件晶片,并且获得包括非单晶支撑层的剩余晶片。一个示例涉及一种用于形成多个薄宽带隙半导体晶片的方法。该方法包括:在宽带隙半导体晶锭上沉积第一非单晶支撑层。沿第一分离区域分离该宽带隙半导体晶锭,以获得包括非单晶支撑层和薄宽带隙半导体层的第一薄宽带隙半导体晶片,并且获得第一剩余宽带隙半导体晶锭。例如,宽带隙半导体晶锭的厚度是薄宽带隙半导体层的厚度的至少2倍。在第一剩余宽带隙半导体晶锭上沉积另外的非单晶支撑层。沿着另外的分离区域来分离第一剩余宽带隙半导体晶锭,以获得另外的薄宽带隙半导体晶片,并且获得剩余宽带隙半导体晶锭。一个示例涉及宽带隙半导体晶片。该宽带隙半导体晶片包括单晶宽带隙半导体层。该单晶宽带隙半导体层的厚度为至少250μm。该宽带隙半导体晶片进一步包括位于单晶半导体衬底表面处的非单晶 ...
【技术保护点】
1.一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法(100),所述方法(100)包括:/n在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积(110)非单晶支撑层(320);/n在所述宽带隙半导体晶片的前侧处沉积(120)外延层;以及/n沿着拆分区域拆分(130)所述宽带隙半导体晶片,以获得包括至少一部分外延层的器件晶片,和包括所述非单晶支撑层(320)的剩余晶片。/n
【技术特征摘要】
20180514 DE 102018111450.81.一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法(100),所述方法(100)包括:
在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积(110)非单晶支撑层(320);
在所述宽带隙半导体晶片的前侧处沉积(120)外延层;以及
沿着拆分区域拆分(130)所述宽带隙半导体晶片,以获得包括至少一部分外延层的器件晶片,和包括所述非单晶支撑层(320)的剩余晶片。
2.根据权利要求1所述的方法(100),
其中所述非单晶支撑层(320)的热膨胀系数与所述宽带隙半导体晶片的热膨胀系数相差达所述宽带隙半导体晶片的热膨胀系数的至多10%。
3.根据权利要求1或2所述的方法(100),
其中以至少50μm/小时的沉积速率来沉积(110)所述非单晶支撑层(320)。
4.根据前述权利要求之一所述的方法(100),
其中所述非单晶支撑层(320)是多晶碳化硅层或钼层。
5.根据前述权利要求之一所述的方法(100),
其中包括所述非单晶支撑层(320)的剩余晶片的总厚度为至少200μm且至多1500μm。
6.根据前述权利要求之一所述的方法(100),
其中在沉积(110)所述非单晶支撑层(320)期间,保护层位于所述宽带隙半导体晶片的前侧处。
7.根据前述权利要求之一所述的方法(100),进一步包括:
在所述剩余晶片的非单晶支撑层(320)上沉积另外的非单晶支撑层。
8.根据权利要求7所述的方法(100),
其中所述另外的非单晶支撑层的材料与所述非单晶支撑层(320)的材料不同。
9.根据权利要求7或8所述的方法(100),
其中包括所述非单晶支撑层(320)和所述另外的非单晶支撑层的剩余晶片的厚度与在拆分(130)所述宽带隙半导体晶片之前的宽带隙半导体晶片的厚度相差至多300μm。
10.根据权利要求7至9之一所述的方法(100),
其中所述另外的非单晶支撑层具有的厚度是另外的器件晶片的总厚度的至少90%且至多110%。
11.根据前述权利要求之一所述的方法(100),进一步包括:
在所述剩余晶片的前侧处沉积另外的外延层;以及
沿着另外的拆分区域拆分所述剩余晶片,以获得包括所述另外的外延层的另外的器件晶片和包括所述非单晶支撑层(320)的另外的剩余晶片。
12.根据前述权利要求之一所述的方法(100),进一步包括:
在沉积(110)所述非单晶支撑层(320)之后,在所述宽带隙半导体晶片中形成宽带隙半导体器件的掺杂区域。
13.根据前述权利要求之一所述的方法(100),进一步包括:
在沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员:FJ桑托斯罗德里格斯,G德尼夫尔,TFW赫希鲍尔,M胡贝尔,W莱纳特,R鲁普,HJ舒尔策,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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