【技术实现步骤摘要】
用于MEMS传感器器件的晶片级封装及对应制造工艺分案申请说明本申请是申请日为2015年9月25日、申请号为201510624967.1、名称为“用于MEMS传感器器件的晶片级封装及对应制造工艺”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种用于MEMS传感器器件的晶片级封装和对应制造工艺。
技术介绍
如已知的那样,用于诸如加速度计、陀螺仪、磁力计、压力或力传感器的MEMS传感器器件的当前封装遵循将芯片附接至衬底、引线键合并封装的标准工艺流程。图1示出了具有LGA(岛状栅格阵列)封装2的示例性MEMS传感器器件1。MEMS传感器器件1包括第一裸片3,包括例如硅的半导体材料并且包括结构层3’和有源层3”,其中集成了微机械感测结构S、示意性示出并且包括例如悬挂在空腔之上的隔膜、惯性质量块、弹性元件和/或其他微机械感测部件。第一裸片3具有由有源层3”限定、在此处形成微机械感测结构S的正面3a,以及由结构层3’限定、相对于垂直方向z与正面3a相对的背表面3b(第一裸片3具有在正交于垂直方向z的水平面xy中的主延伸部)。第一裸片3也可以集成其他机械或电子部件,取决于应用。MEMS传感器器件1也包括第二裸片4,包括例如硅的半导体材料,并且包括相应结构层4’和相应有源层4”,其中集成了电子电路A(所谓AISC-专用集成电路)、示意性示出并且可操作地耦合至微机械感测结构S,例如以处理响应于检测到量(诸如线或角加速度、压力或力)而产生的电信号并且以在封装2的外侧提供已处理输出信号。第二裸片4具有由有源层4”限定的、在此处形成了ASIC电路A的相应正面4a,以及由结构层4’限定 ...
【技术保护点】
1.一种MEMS器件封装件,包括:半导体材料的第一裸片;具有第一表面和第二表面的半导体材料的第二裸片,所述第一裸片耦合至所述第二裸片的所述第一表面的第一部分,所述第二裸片的所述第一表面的第二部分上的接触焊盘;模制化合物,在所述第二裸片的所述第一表面上并且围绕所述第一裸片的侧表面;垂直连接结构,在所述第二裸片的所述接触焊盘上,所述垂直连接结构延伸穿过所述模制化合物并且被配置为将所述MEMS器件封装件耦合至外部器件或衬底,所述垂直连接结构被电耦合至所述第二裸片。
【技术特征摘要】
2014.12.24 IT TO2014A0011071.一种MEMS器件封装件,包括:半导体材料的第一裸片;具有第一表面和第二表面的半导体材料的第二裸片,所述第一裸片耦合至所述第二裸片的所述第一表面的第一部分,所述第二裸片的所述第一表面的第二部分上的接触焊盘;模制化合物,在所述第二裸片的所述第一表面上并且围绕所述第一裸片的侧表面;垂直连接结构,在所述第二裸片的所述接触焊盘上,所述垂直连接结构延伸穿过所述模制化合物并且被配置为将所述MEMS器件封装件耦合至外部器件或衬底,所述垂直连接结构被电耦合至所述第二裸片。2.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述垂直连接结构的暴露的表面包括粘合剂可焊接材料层。3.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述垂直连接结构由粘合剂可焊接材料制成。4.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述垂直连接结构的暴露的表面在所述模制化合物的表面下方凹陷。5.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中多个接触焊盘在所述第二裸片的所述第一表面的所述第二部分上,所述器件还包括分别在所述多个接触焊盘上的多个垂直连接结构。6.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述第二裸片的所述第二表面形成所述MEMS器件封装件的外表面。7.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述第一裸片包括微机电感测结构,其中所述第二裸片包括可操作地耦合至所述第一裸片的所述微机械感测结构的电子电路,所述第二裸片被配置为提供经处理的输出信号至所述接触焊盘。8.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述第一裸片通过倒装芯片配置被耦合至所述第二裸片的所述第一表面的所述第一部分。9.根据权利要求1所述的MEMS器件封装件,其中所述模制化合物的表面包括凹陷,所述凹陷在所述垂直连接结构处。10.根据权利要求9所述的MEMS器件封装件,其中所述垂直连接结构至少部分地在所述模制化合物的所述凹陷中延伸,使得所述垂直连接结构的第一部分包括所述模制化合物中在所述凹陷下方的第一宽度,并且所述垂直连接结构的第二部分包括所述模制化合物中在所述凹陷中的第二宽度。11.根据权利要求10所述的MEMS器件封装件,其中所述垂直连接结构延伸超出所述模制化合物的所述凹陷。12.根据权利要求10所述的MEMS器件封装件,其中所述垂直连接结构的所述第二部分在所述第一侧之上延伸。13.一种封装件,包括:半导体材料的第一裸片,耦合至半导体材料的第二裸片的第一表面,所述第一裸片包括MEMS器件,所述第二裸片包括第一表面和第二表面,所述第一表面包括可操作地耦合至所述MEMS裸片的电子电路,所述第二裸片的所述第二表面形成所述封装件的外表面;接触焊盘,在所述第二裸片的第一表面上;垂直连接结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·卡奇雅,D·O·韦拉,D·阿吉厄斯,M·斯皮特里,
申请(专利权)人:意法半导体马耳他有限公司,
类型:发明
国别省市:马耳他,MT
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