成膜方法和卷绕式成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜方法和卷绕式成膜装置。本发明专利技术的一个方式的成膜方法包含预处理，该预处理是对真空容器进行排气直至真空容器内的水分压变成目标值以下的处理。通过向配置在上述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生。在与上述第一铬靶和上述第二铬靶相向配置的挠性基板的成膜面形成铬层。本发明专利技术能够抑制挠性基板的变形。

Film Forming Method and Winding Film Forming Device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法和卷绕式成膜装置
本专利技术涉及成膜方法和卷绕式成膜装置。
技术介绍
在基材上图案形成有多层结构的金属布线的电子元件等中，存在在基材与金属布线之间形成粘合层的情况。例如，有预先在基材上形成作为粘合层的铬(Cr)层并在该铬层上形成多层膜的技术(例如，参见专利文献1)。在该技术中，为了提高作为粘合层的铬层的功能而使铬层的内部应力减少。例如，将对铬层进行成膜时的氧浓度设定得低，在基材与多层膜之间形成有减小了内部应力的铬层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-126807号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，即使降低成膜中的氧浓度，也有因成膜条件而使得铬层的内部应力增高的情况。而且，当铬层的基底为柔性的挠性基板时，挠性基板受到铬层的影响而变形。鉴于如上述这样的情况，本专利技术的目的在于，提供一种通过在挠性基板上形成抑制了内部应力的铬层从而抑制挠性基板的变形的成膜方法和卷绕式成膜装置。用于解决课题的方案为了实现上述目的，本专利技术的一个方式的成膜方法包含预处理，该预处理是对真空容器进行排气直至上述真空容器内的水分压变成目标值以下的处理。通过向配置在上述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生。在与上述第一铬靶和上述第二铬靶相向配置的挠性基板的成膜面形成铬层。根据这样的成膜方法，在真空容器内的水分压变成目标值以下的状态下，在挠性基板的成膜面形成铬层。由此，能抑制铬层与水的反应，不易在铬层内形成铬氧化物。并且，铬层是由通过向第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而产生的等离子体形成的。由此，溅射粒子容易从更随机的方向射入挠性基板。其结果是，能够尽量抑制形成有铬层的挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以是，上述目标值为3.0×10-4Pa，水分压设定为3.0×10-4Pa以下。由此，在真空容器内的水分压为3.0×10-4Pa以下的状态下，在挠性基板的成膜面形成铬层，能够尽量抑制形成有铬层的挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以在上述预处理中将上述挠性基板加热至60℃以上且180℃以下。由此，作为预处理，上述挠性基板加热至60℃以上且180℃以下，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以在上述预处理中，向上述第一铬靶与上述第二铬靶之间施加上述交流电压来实施预放电。由此，作为预处理，在上述第一铬靶与上述第二铬靶之间实施预放电，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以在形成上述铬层的工序中，使用10kHz以上且100kHz以下的频率作为上述交流电压的频率。由此，在形成上述铬层的工序中，使用10kHz以上且100kHz以下的频率作为上述交流电压的频率，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以在形成上述铬层的工序中，对上述第一铬靶或上述第二铬靶施加1.0W/cm2以上且3.0W/cm2以下的交流电力。由此，在形成上述铬层的工序中，对上述第一铬靶和上述第二铬靶施加1.0W/cm2以上且3.0W/cm2以下的交流电力，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以是，上述第一铬靶的靶面相对于上述第二铬靶的靶面平行配置。由此，在形成上述铬层的工序中，向上述挠性基板的成膜面射入的溅射粒子的入射角变为更大的角度，即使在挠性基板的成膜面形成铬层，也能尽量抑制挠性基板的变形。在上述成膜方法中，可以使用聚酰亚胺膜作为上述挠性基板。由此，使用聚酰亚胺膜作为上述挠性基板，即使在聚酰亚胺膜的成膜面形成铬层，也能尽量抑制聚酰亚胺膜的变形。为了实现上述目的，本专利技术的一个方式的卷绕式成膜装置具有真空容器、排气机构、膜行进机构以及成膜源。上述真空容器能够维持减压状态。上述排气机构能够对上述真空容器进行排气直至上述真空容器内的水分压变成目标值以下。上述膜行进机构能够使挠性基板在上述真空容器内行进。上述成膜源具有与上述挠性基板的成膜面相向并沿上述挠性基板的行进方向配置的第一铬靶和第二铬靶。上述成膜源能够通过向上述第一铬靶与上述第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生，从而在上述成膜面形成铬层。根据这样的卷绕式成膜装置，在真空容器内的水分压变成目标值以下的状态下，在挠性基板的成膜面形成铬层。由此，能抑制铬层与水的反应，不易在铬层内形成铬氧化物。并且，铬层是由通过向第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而产生的等离子体形成的。由此，溅射粒子容易从更随机的方向射入挠性基板。其结果是，能尽量抑制形成有铬层的挠性基板的变形。专利技术效果如上所述，根据本专利技术，即使在挠性基板形成铬层，也能抑制挠性基板的变形。附图说明图1是第一实施方式的成膜装置的示意结构框图。图2是第一实施方式的成膜装置的示意结构图。图3是示出本实施方式的成膜方法的流程图。图4中的A、B是示出本实施方式的成膜方法的一例的示意剖视图。图5中的A是示出挠性基板的加热温度与铬层的压缩应力之间的关系的示意曲线图。图5中的B是示出预放电时间与铬层的压缩应力之间的关系的示意曲线图。图5中的C是示出预处理的时间与铬层的压缩应力之间的关系的示意曲线图。图6中的A是表示交流电压的频带与铬层的压缩应力之间的关系的示意图。图6中的B是表示MF电力与铬层的压缩应力之间的关系的示意图。图7中的A是示出形成有铬层的挠性基板的翘曲的状态的示意剖视图，图7中的B～D是示出形成有铬层的挠性基板的翘曲量的表格。图8中的A、B是第二实施方式的成膜装置的示意结构图。具体实施方式以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式。有时在各附图中引入XYZ轴坐标。[第一实施方式]图1是第一实施方式的成膜装置的示意结构框图。如图1所示，本实施方式的成膜装置100具有送出装置5、前处理装置6、卷绕式成膜装置1、冷却装置7、卷绕式成膜装置2以及卷绕装置8。送出装置5通过连接通道101a与前处理装置6连结。前处理装置6通过连接通道101b与卷绕式成膜装置1连结。卷绕式成膜装置2通过连接通道101c与卷绕装置8连结。卷绕式成膜装置1通过冷却装置7与卷绕式成膜装置2连结。在送出装置5、前处理装置6、卷绕式成膜装置1、卷绕式成膜装置2以及卷绕装置8分别设置有真空排气机构。构成成膜装置100的各装置沿着作为加工对象的挠性基板(例如，树脂膜)的输送方向(在图1中为从左至右的方向)依次排列。例如，作为加工对象的挠性基板预先设置于送出装置5内。从送出装置5送出到前处理装置6的挠性基板在前处理装置6内实施前处理。从前处理装置6送出至卷绕式成膜装置1的挠性基板在卷绕式成膜装置1内实施成膜处理。从卷绕式成膜装置1送出至冷却装置7的挠性基板在冷却装置7内被冷却。从冷却装置7送出至卷绕式成膜装置2的挠性基板在卷绕式成膜装置2内实施成膜处理。然后，从卷绕式成膜装置2送出至卷绕装置8的挠性基板在卷绕装置8内被卷绕。以下详细说明成膜装置100中的卷绕式成膜装置1的构成。图2是第一实施方式的成膜装置的示意结构图。图2示出成膜装置100中的卷绕式成膜装置1。在卷绕式成膜装置1的左侧连结有上述的连接通道101b。另外，在卷绕式成膜装置1的右侧连结有上述的冷却装置7。在图2中没有图示连接通道101b和冷却装置7。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜方法，其中，实施对真空容器进行排气直至所述真空容器内的水分压变成目标值以下的预处理；通过向配置在所述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压，由此使等离子体产生，并在与所述第一铬靶和所述第二铬靶相向地配置的挠性基板的成膜面形成铬层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.05 JP 2017-0007151.一种成膜方法，其中，实施对真空容器进行排气直至所述真空容器内的水分压变成目标值以下的预处理；通过向配置在所述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压，由此使等离子体产生，并在与所述第一铬靶和所述第二铬靶相向地配置的挠性基板的成膜面形成铬层。2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，所述目标值为3.0×10-4Pa。3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，所述预处理还包括将所述挠性基板加热至60℃以上且180℃以下的工序。4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜方法，其中，所述预处理还包括向所述第一铬靶与所述第二铬靶之间施加所述交流电压来实施预放电的工序。5.根据权利要求1至4中任一项所述的成膜方法，其中，在形成所述铬层的工序中，使用10kHz以上且100k...

【专利技术属性】
技术研发人员：本间裕章，高桥明久，长谷川正树，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP