本发明专利技术涉及一种钼铝钼的兼容蚀刻液，包括如下质量百分比的成分：磷酸60‑75%，硝酸1‑10%，醋酸5‑15%，磷酸二氢钾1‑2%，磷酸氢二钾1‑2%，纯水10‑20%。本发明专利技术通过调整蚀刻液主成分以及磷酸二氢钾和磷酸氢二钾的含量及添加顺序，协调蚀刻液对Mo及Al的蚀刻速率，使得同一款药液可以同时兼容钼铝钼、钼铝、钼等多种膜层蚀刻要求。该蚀刻液蚀刻后的基板表面整洁，无残留，无金属间分层现象，剩余线条平整，蚀刻角度保持在30～60°之间。
A Compatible Etching Fluid of Molybdenum, Aluminum and Molybdenum
【技术实现步骤摘要】
一种钼铝钼的兼容蚀刻液
本专利技术涉及化学蚀刻
，具体涉及一种钼铝钼的兼容蚀刻液。
技术介绍
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。现有技术中钼铝钼蚀刻液呈酸性，主要由磷酸、硝酸和醋酸经搅拌混匀过滤制得，上述蚀刻液已广泛应用于薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中钼层和铝层的蚀刻中。近年来，人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时，对产品的质量和画面精度也提出了更高的要求，而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏，影响高密度细导线图像的精度和质量。在上述行业不同的制程过程中，膜层的结构组成及厚度不同，需要使用不同组分含量的蚀刻液。而随着技术的进步，人们对药液的兼容性提出新的要求，使用同一款药液完成多种膜层的蚀刻，以进一步提高制程的效率及降低生产成本，为了满足这个需求，本领域技术人员就有必要对现有的钼铝钼蚀刻液的相关技术做出进一步改进。
技术实现思路
由于普通钼铝钼蚀刻液对Mo及Al的蚀刻速率差异，造成时刻后的形貌出现角度偏大，钼铝金属层出现台阶等现象，虽然通过通过调节蚀刻液内的成分，可以调节膜层蚀刻后的形貌以满足客户要求，但不同的膜层结构需要使用不同组分含量的蚀刻液。本专利技术通过调整蚀刻液主成分以及磷酸二氢钾和磷酸氢二钾的含量及添加顺序，协调蚀刻液对Mo及Al的蚀刻速率，使得同一款药液可以同时兼容钼铝钼、钼铝、钼等多种膜层蚀刻要求。该蚀刻液蚀刻后的基板表面整洁，无残留，无金属间分层现象，剩余线条平整，蚀刻角度保持在30～60°之间。本专利技术的目的是这样实现的：一种钼铝钼的兼容蚀刻液，包括如下质量百分比的成分优选的，所述磷酸二氢钾和磷酸氢二钾的质量百分数之比为1:1-2。优选的，所述磷酸二氢钾和磷酸氢二钾按先后顺序添加，其中磷酸二氢钾先添加，磷酸氢二钾后添加。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过调整蚀刻液主成分以及磷酸二氢钾和磷酸氢二钾的含量及添加顺序，协调蚀刻液对Mo及Al的蚀刻速率，使得同一款药液可以同时兼容钼铝钼、钼铝、钼等多种膜层蚀刻要求。该蚀刻液蚀刻后的基板表面整洁，无残留，无金属间分层现象，剩余线条平整，蚀刻角度保持在30～60°之间，单边线宽损失小于0.5μm。附图说明图1为实施例1的MoAlMo膜层经蚀刻后的CDloss形貌图；图2为实施例1的MoAlMo膜层经蚀刻后的Taper形貌图；图3为实施例1的MoAl膜层经蚀刻后的CDloss形貌图；图4为实施例1的MoAl膜层经蚀刻后的Taper形貌图；图5为实施例1的Mo膜层经蚀刻后的CDloss形貌图；图6为实施例1的Mo膜层经蚀刻后的Taper形貌图；图7为对比例1的MoAlMo膜层经蚀刻后的形貌图；图8为对比例2的MoAlMo膜层经蚀刻后的形貌图；图9为对比例2的MoAl膜层经蚀刻后的形貌图；图10为对比例4的MoAlMo膜层经蚀刻后的形貌图。具体实施方式实施例1：一种钼铝钼的兼容蚀刻液，包括如下质量百分比的成分其中磷酸二氢钾先添加，磷酸氢二钾后添加。实施例2：一种钼铝钼的兼容蚀刻液，包括如下质量百分比的成分其中磷酸二氢钾先添加，磷酸氢二钾后添加。实施例3：一种钼铝钼的兼容蚀刻液，包括如下质量百分比的成分其中磷酸二氢钾先添加，磷酸氢二钾后添加。实施例4：一种钼铝钼的兼容蚀刻液，包括如下质量百分比的成分其中磷酸二氢钾先添加，磷酸氢二钾后添加。对比例1：与实施例1相同，除了磷酸氢二钾和磷酸二氢钾的添加顺序不同，在本对比例中，先添加磷酸氢二钾后添加磷酸二氢钾。对比例2：与实施例1相同，除了磷酸氢二钾和磷酸二氢钾的添加顺序不同，在本对比例中，磷酸氢二钾和磷酸二氢钾同时添加。对比例3：与实施例1相同，除了磷酸氢二钾为2％，磷酸二氢钾1％。对比例4：与实施例1相同，除了不包含磷酸氢二钾和磷酸二氢钾，只含有等质量百分比的硝酸钾。将实施例1-4以及对比例1-4进行试验对比，效果如下表：由上表可知：实施例1-4蚀刻后的膜层形貌佳，且CDloss＜0.5μm(单边)，Taper＜60°且＞30°，符合客户的下一道制程要求。对比例1进行MoAlMo蚀刻时，顶Mo出现台阶，形貌不佳；对比例2进行MoAlMo蚀刻时，顶Mo凸出，形貌不佳；进行MoAl蚀刻时，顶Mo凸出，形貌不佳；对比例3进行MoAlMo蚀刻时，顶Mo出现台阶，形貌不佳；对比例4进行MoAlMo蚀刻时，顶Mo出现台阶，形貌不佳；进行MoAl蚀刻时，Taper＞60°；进行Mo蚀刻时，CDloss＞0.5μm；因此对比例1-4存在一定的问题，或角度过大，或CDloss过大，或顶Mo出现台阶，或顶Mo突出等现象，无法同时兼容三种金属膜层的蚀刻要求。除上述实施例外，本专利技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本专利技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种钼铝钼的兼容蚀刻液，其特征在于：包括如下质量百分比的成分磷酸 60‑75%，硝酸 1‑10%，醋酸 5‑15%，磷酸二氢钾 1‑2%，磷酸氢二钾 1‑2%，纯水 10‑20%。
【技术特征摘要】
1.一种钼铝钼的兼容蚀刻液，其特征在于：包括如下质量百分比的成分磷酸60-75%，硝酸1-10%，醋酸5-15%，磷酸二氢钾1-2%，磷酸氢二钾1-2%，纯水10-20%。2.根据权利要求1所述的一种钼铝钼的兼容蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：戈士勇，江强，
申请(专利权)人：江苏中德电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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