一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法，属于化学刻蚀技术领域，包括以下质量百分比的原料：硝酸铈铵10

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法


[0001]本专利技术属于化学蚀刻
，具体涉及一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法。

技术介绍

[0002]在平板显示领域中,有机电致发光显示(OLED)因其超轻薄、全固化、自发光、视角广、响应速度快、温度适应性广、可实现柔软显示等诸多突出的性能，因此其应用前景比普通的LCD更丰富。OLED通常由阴极、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、阳极构成、对有机发光二极管施加一定的电压，样机提供的空穴和阴极提供的电子注入到有机膜,空穴和电子在有机发光层中复合形成激子(Excitons),激子跃迁到基态而发光。
[0003]铬金属膜即可以用来作为其他金属的中间层、保护层,也可以单独金属电极，其加工方便,可以通过蚀刻技术得到各种复杂的铬金属膜图形。
[0004]目前铬金属膜蚀刻液主要由硝酸铈铵、硝酸等组成，通过调整pH或添加过氧化氢等氧化剂能够提高刻蚀速度，但是随着刻蚀液使用周期的加长，刻蚀液中铬离子浓度越来越高(致癌六价铬离子的含量增加)，高浓度铬离子的存在会减少金属铬与刻蚀液中有效物质的接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路用铬金属蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：硝酸铈铵10
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20％、质量分数35％双氧水7
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8％、草酸2
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5％、十二烷基二甲基苄基氯化铵0.1
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1％、辅助剂3
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5％；余量为去离子水；辅助剂通过以下步骤制成：步骤S1、将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，加入纳米零价铁和十六烷基三甲基溴化铵，50
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55℃条件下反应3
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5h，加入甲酸调节pH至4
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5，加入无水乙醇和偶联剂KH
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590组成的混合液，保温搅拌反应6
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8h，得到中间产物；步骤S2、将中间产物、烯丙基络合剂、安息香双甲醚和THF混合，搅拌后置于300W紫外灯下反应30
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40min，得到辅助剂。2.根据权利要求1所述的一种集成电路用铬金属蚀刻液，其特征在于，氧化石墨烯、去离子水、纳米零价铁、十六烷基三甲基溴化铵、无水乙醇和偶联剂KH
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590的用量比为40
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60mg：100mL：80
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120mg：20
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30mg：100mL：3.2
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4.5mg。3.根据权利要求1所述的一种集成电路用铬金属蚀刻液，其特征在于，中间产物、烯丙基络合剂、安息香双甲醚和THF的用量比为10g：2
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3g：0.1g：150mL。4.根据权利要求1所述的一种集成电路用铬金属蚀刻液，其特征在于，烯丙基络合剂通过以下步骤制成：步骤a、将邻二烯丙基双酚A、4
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溴硝基苯、无水碳酸钾和N,N
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二甲基乙酰胺混合,通入氮气，升温至120

【专利技术属性】
技术研发人员：戈烨铭，何珂，汤晓春，
申请(专利权)人：江苏中德电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：