一种钛或钛合金的蚀刻液及蚀刻方法技术

本申请提供一种钛或钛合金的蚀刻液及蚀刻方法，该蚀刻液包括以质量百分比计，含有0.5wt％

【技术实现步骤摘要】
一种钛或钛合金的蚀刻液及蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻
，具体涉及一种钛或钛合金的蚀刻液及蚀刻方法。

技术介绍

[0002]在通过蚀刻的方式对钛或钛合金的制作过程中，蚀刻液起到了非常重要的作用，但传统对钛或者钛合金膜层的蚀刻药液的蚀刻速度较快，从而容易产生侧蚀，对比例基板和半导体层造成损伤，同时还有可能因电化学反应产生裂缝和倒角，导致后续工艺爬坡断线，影响良率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种钛或钛合金的蚀刻液。
[0004]本专利技术还提供一种钛或钛合金的蚀刻方法。
[0005]根据本专利技术第一方面实施例的钛或钛合金的蚀刻液，以质量百分比计，该钛或钛合金的蚀刻液含有0.5wt％
‑
5wt％的无机酸、5wt％
‑
15wt％的有机酸，0.1wt％
‑
2wt％的无机盐和0.1wt％
‑
5wt％的缓蚀剂余量为溶剂。
[0006]进一步地，所述无机酸为氢氟酸和硝酸的混合酸，其中，所述氢氟酸和所述硝酸的质量比为1：1
‑
5，且所述氢氟酸的质量分数为40％，所述硝酸的质量分数为65％。
[0007]进一步地，所述有机酸含有氨基磺酸、乙二胺四乙酸的混合物，其中，所述氨基磺酸、乙二胺四乙酸的质量比为1：1
‑
3。
[0008]进一步地，所述无机盐含有四氯化钛、氯化钠、亚硝酸钠，其中，所述四氯化钛、氯化钠、亚硝酸钠的质量比为1：1<br/>‑
4：1。
[0009]进一步地，所述缓蚀剂选自对
‑
氨基苯酚、对
‑
硝基苯胺、对
‑
硝基苯酚中的一种或多种。
[0010]根据本专利技术实施例的钛或钛合金的蚀刻液还可以包括0.1wt％
‑
1wt％的尿素。
[0011]进一步地，所述溶剂为去离子水。
[0012]根据本专利技术第二方面实施例的钛或钛合金的蚀刻方法，包括如下步骤：
[0013]S1，表面处理；
[0014]S2，湿法蚀刻，所述湿法蚀刻的方法为将根据权利要求1
‑
7任一项所述的蚀刻液作用于钛或钛合金表面10min
‑
50min。
[0015]进一步地，所述步骤S1包括：
[0016]S11，将所述钛或钛合金置于温度为40℃
‑
50℃，质量分数为20％的盐酸中酸洗10min
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20min；
[0017]S12，将步骤S11中的所述钛或钛合金置于温度为20℃
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30℃，质量分数为20％的硝酸中酸洗5min
‑
10min。
[0018]进一步地，所述步骤S2中，所述湿法蚀刻的温度为40℃
‑
50℃。
[0019]本专利技术的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：根据本专利技术实施例的钛或钛
合金的蚀刻液通过成分设计并配合优化蚀刻参数，可以降低蚀刻液对钛或钛合金表面的蚀刻速率，进而在较低的均匀的蚀刻速率下，可以避免侧蚀，提高钛或钛合金的表面特性。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]除非另作定义，本专利技术中使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
[0022]下面首先具体描述本专利技术实施例的钛或钛合金的蚀刻液，以质量百分比计，含有0.5wt％
‑
5wt％的无机酸、5wt％
‑
15wt％的有机酸，0.1wt％
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2wt％的无机盐和0.1wt％
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5wt％的缓蚀剂，余量为溶剂。
[0023]也就是说，通过对蚀刻液进行成分设计，可以降低蚀刻液对钛或钛合金表面的蚀刻速率，进而在较低的均匀的蚀刻速率下，可以避免侧蚀，提高钛或钛合金的表面特性。
[0024]进一步地，无机酸为氢氟酸和硝酸的混合酸，其中，氢氟酸和硝酸的质量比为1：1
‑
5，且氢氟酸的质量分数为40％，硝酸的质量分数为65％。也就是说，无机酸能提供氢离子和强酸性环境，使钛原子或金属氧化物反应生成可溶性的无机酸盐，并且通过调节氢氟酸与硝酸的占比，可在实现钛或钛合金蚀刻的同时，减少氢氟酸的用量，以减少废液处理成本。
[0025]进一步地，有机酸含有氨基磺酸、乙二胺四乙酸的混合物，其中，氨基磺酸、乙二胺四乙酸的质量比为1：1
‑
3。也就是说，有机酸也可以提供氢离子和酸性环境，选用特定的无机酸和有机酸配合使用，可以避免比例基板和半导体层造成的损伤，避免电化学反应产生裂缝和倒角，影响良率，进一步提高钛或钛合金的表面特性和良率。
[0026]进一步地，无机盐含有四氯化钛、氯化钠、亚硝酸钠，其中，四氯化钛、氯化钠、亚硝酸钠的质量比为1：1
‑
4：1。也就是说，通过选用特定的无机盐结合上述组分和含量的无机酸和有机酸，可以降低钛或钛合金表面的蚀刻速率，避免侧蚀，提高钛或钛合金的表面特性。
[0027]进一步地，缓蚀剂选自对
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氨基苯酚、对
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硝基苯胺、对
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硝基苯酚中的一种或多种。也就是说，通过选用特定的缓蚀剂，进一步降低钛或钛合金表面的蚀刻速率，避免侧蚀，提高钛或钛合金的表面特性。
[0028]根据本专利技术实施例的钛或钛合金的蚀刻液还可以包括0.1wt％
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1wt％的尿素。也就是说，通过在蚀刻液中添加尿素，可以避免侧蚀，进一步提高钛或钛合金的表面特性。
[0029]根据本专利技术第二方面实施例的钛或钛合金的蚀刻方法，包括如下步骤：S1，表面处理；S2，湿法蚀刻，湿法蚀刻的方法为将上述蚀刻液作用于钛或钛合金表面10min
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50min。也就是说，通过对蚀刻液进行成分设计并配合优化蚀刻参数，可以进一步降低蚀刻液对钛或
钛合金表面的蚀刻速率，进而在较低的均匀的蚀刻速率下，可以避免侧蚀，提高钛或钛合金的表面特性。
[0030]进一步地，步骤S1包括S11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于，以质量百分比计，含有0.5wt％
‑
5wt％的无机酸、5wt％
‑
15wt％的有机酸，0.1wt％
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2wt％的无机盐和0.1wt％
‑
5wt％的缓蚀剂，余量为溶剂。2.根据权利要求1所述的钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于，所述无机酸为氢氟酸和硝酸的混合酸，其中，所述氢氟酸和所述硝酸的质量比为1：1
‑
5，且所述氢氟酸的质量分数为40％，所述硝酸的质量分数为65％。3.根据权利要求1所述的钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于，所述有机酸含有氨基磺酸、乙二胺四乙酸的混合物，其中，所述氨基磺酸、乙二胺四乙酸的质量比为1：1
‑
3。4.根据权利要求1所述的钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于，所述无机盐含有四氯化钛、氯化钠、亚硝酸钠，其中，所述四氯化钛、氯化钠、亚硝酸钠的质量比为1：1
‑
4：1。5.根据权利要求1所述的钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂选自对
‑
氨基苯酚、对
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硝基苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑东成，林桂楠，
申请(专利权)人：苏州运宏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：