刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液和补给液，其中补给液包括溶解剂、第二缓冲液、第二螯合剂以及第二抑制剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法
本专利技术涉及刻蚀
，特别是涉及一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。
技术介绍
随着智能移动终端的普及，显示面板技术得到广泛应用，其发展越来越迅速。在显示面板制程中，通常采用铜金属制成栅极线、数据线等走线，以传递各种信号，实现显示面板的显示功能。具体的，可以在基板上涂布铜薄膜，然后对铜薄膜进行图案化，形成各种金属线。其中，多余部分的铜需要采用刻蚀液进行刻蚀，然而现有的刻蚀液一般含有氟，对基板中的玻璃材料具有腐蚀作用，造成显示面板的良品率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种刻蚀液、刻蚀组合液及刻蚀方法，可以提高显示面板的良品率。本专利技术实施例提供了一种刻蚀液，其包括：双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。在一实施例中，所述双氧水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为15％-25％；所述第一缓冲液在所述刻蚀液中的质量百分比范围为15％-20％；所述第一螯合剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％-10％；所述调节剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％-15％；所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.1％-5％；所述第一抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.01％-1％；所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为24％-67.89％。在一实施例中，所述第一缓冲液包括醋酸铵-盐酸-氨溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵、冰醋酸-氨水缓冲液以及枸杞酸-乙醇-氨水缓冲液中的一种或多种。在一实施例中，所述第一螯合剂包括壳聚糖、8-羟基喹啉以及酒石酸钾铵中的一种或多种。在一实施例中，所述调节剂包括2-氨基-2甲基-1-丙醇、二正丁胺、二乙胺、苯胺以及二苯胺中的一种或多种。在一实施例中，所述醇类物质包括聚乙二醇、聚丙乙烯二醇、乙醇以及丙二醇中的一种或多种。在一实施例中，所述第一抑制剂包括3-氨基-1,2,4-三唑、6-硝基苯并咪唑以及2-氨基噻唑中的一种或多种。本专利技术实施例还提供了一种刻蚀组合液，包括如上所述的刻蚀液以及补给液；所述补给液包括溶解剂、第二缓冲液、第二螯合剂以及第二抑制剂。在一实施例中，所述第二缓冲液相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.1-15％；所述第二螯合剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.01％-3％；所述溶解剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为1％-15％；所述第二抑制剂相对所述刻蚀液的质量百分比范围为0.001％-0.1％。本专利技术实施例还提供了一种刻蚀方法，使用如上所述的刻蚀组合液进行刻蚀，其包括：提供一基板；通过所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀；检测所述刻蚀液中铜离子的浓度；当所述铜离子的浓度处于预设浓度范围时，将所述补给液加入所述刻蚀液，继续对所述基板进行刻蚀。本专利技术实施例的刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法中的刻蚀液不含氟，避免了氟对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术实施例提供的刻蚀方法的流程示意图。图2为本专利技术实施例提供的刻蚀方法的场景示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。本专利技术实施例提供了一种刻蚀组合液，该刻蚀组合液包括刻蚀液和补给液。其中，刻蚀液用于对显示面板中的基板进行刻蚀，其中基板上有铜Cu薄膜和钼Mo薄膜，钼薄膜用于增加铜薄膜与基板本体之间的贴服性。随着刻蚀进程推进，当刻蚀液中铜离子浓度大于预设浓度时，可以加入补给液，延长该刻蚀液的寿命。如下表1所示，刻蚀液的组成成分包括双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。表1刻蚀液的组成成分质量百分比范围双氧水15％-25％第一缓冲液15％-20％第一螯合剂1％-10％调节剂1％-15％醇类物质0.1％-5％第一抑制剂0.01％-1％去离子水24％-67.89％双氧水可以将基板中的钼氧化成三氧化钼MoO3，铜氧化成氧化铜CuO。如表1所示，双氧水在刻蚀液中的质量百分比范围为15％-25％之间。去离子水不仅可以避免双氧水被分解，还可以避免刻蚀液中引入金属离子的干扰。如表1所示，所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为24％-67.89％。第一缓冲液包括醋酸铵-盐酸-氨溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵、冰醋酸-氨水缓冲液以及枸杞酸-乙醇-氨水缓冲液中的一种或多种。第一缓冲液中结合了无机酸和弱碱盐。其中无机酸可以与氧化铜、三氧化钼反应，得到铜离子、钼离子。弱碱盐可以调节刻蚀液的pH(Hydrogenionconcentration，氢离子浓度指数)值，可以防止pH值过高导致的钼刻蚀过快。如表1所示，所述第一缓冲液在所述刻蚀液中的质量百分比范围为15％-20％。第一螯合剂用于络合铜离子和钼离子。第一螯合剂可以包括壳聚糖、8-羟基喹啉以及酒石酸钾铵中的一种或多种。所述第一螯合剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％-10％。调节剂可以使铜与钼的刻蚀产生速率差，使铜的刻蚀速度大于钼的刻蚀速度。其中，调节剂包括2-氨基-2甲基-1-丙醇、二正丁胺、二乙胺、苯胺以及二苯胺中的一种或多种。如表1所示，所述调节剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％-15％。醇类物质可以使上述无机酸、调节剂等有机物或无机物溶解。其中，所述醇类物质包括聚乙二醇、聚丙乙烯二醇、乙醇以及丙二醇中的一种或多种。如表1所示，所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.1％-5％。第一抑制剂可以降低刻蚀液的化学反应速度。所述第一抑制剂包括3-氨基-1,2,4-三唑、6-硝基苯并咪唑以及2-氨基噻唑中的一种或多种。如表1所示，所述第一抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.01％-1％。如下表2所示，补给液的组成成分包括第二缓冲液、第二螯合剂、醇类物质以及第二抑制剂。补给液可以使金属薄膜的断面倾斜度、CDloss(条宽损失)以及钼残留量不随铜离子的浓度增加而变化。即使刻蚀液中铜离子的浓度达到15000ppm(partspermillion，百万分比浓度)，也不会使刻蚀液突沸。综上，补给液可以辅助刻蚀液具有良好的刻蚀性能，延长刻蚀液的使用寿命。表2补给液的组成成分相对刻蚀液的质量百分比范围第二缓冲液0.1％-5％第二螯合剂0.01％-3％溶解剂1％-15％第二抑制剂0.001％-0.1％随着刻蚀液对基板的刻蚀过程的推进，刻蚀液中的PH值升高。补给液中的第二缓冲液可以维持刻蚀液中的PH值在预设PH值范围内。该第二缓冲液包括醋酸铵-盐酸-氨溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵、冰醋酸-氨水缓冲液以及枸杞酸-乙醇-氨水缓冲液中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀液，其特征在于，包括：双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀液，其特征在于，包括：双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。2.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述双氧水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为15％-25％；所述第一缓冲液在所述刻蚀液中的质量百分比范围为15％-20％；所述第一螯合剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％-10％；所述调节剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％-15％；所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.1％-5％；所述第一抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.01％-1％；所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为24％-67.89％。3.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述第一缓冲液包括醋酸铵-盐酸-氨溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵、冰醋酸-氨水缓冲液以及枸杞酸-乙醇-氨水缓冲液中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述第一螯合剂包括壳聚糖、8-羟基喹啉以及酒石酸钾铵中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述调节剂包括2-氨基-2甲基-1-丙醇、二正丁胺、二乙胺、...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵芬利，秦文，张月红，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44