本发明专利技术提供一种刻蚀液和刻蚀装置，该刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。该刻蚀装置包括存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。上述方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
【技术实现步骤摘要】
刻蚀液及刻蚀装置
本专利技术涉及刻蚀
，特别是涉及一种刻蚀液及刻蚀装置。
技术介绍
随着智能移动终端的普及，显示面板技术得到广泛应用，其发展越来越迅速。在显示面板制程中，通常采用铜金属制成栅极线、数据线等走线，以传递各种信号，实现显示面板的显示功能。具体的，可以在基板上涂布铜薄膜，然后对铜薄膜进行图案化，形成各种金属线。其中，多余部分的铜需要采用刻蚀液进行刻蚀，然而现有的刻蚀液一般含有氟，对基板具有腐蚀作用，造成显示面板的良品率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种刻蚀液及刻蚀装置，可以提高显示面板的良品率。本专利技术实施例提供了一种刻蚀液，其包括：双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。在一实施例中，所述双氧水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为10％至20％之间；所述调节剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至10％之间；所述稳定剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至5％之间；所述有机酸在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.5％至15％之间；所述抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.01％至1％之间；所述消泡剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至5％之间；所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至20％之间；所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为24％至85.49％之间。在一实施例中，所述有机酸包括乙醇酸、苯甲酸、乙二酸、丁二酸、苹果酸、乳酸以及柠檬酸中的一种或多种。在一实施例中，所述调节剂包括异丙醇胺、甲胺、环己胺、N-甲基乙胺以及二异丙醇胺中的一种或多种。在一实施例中，所述稳定剂包括苯基脲。在一实施例中，所述抑制剂包括5-氨基四氮唑、三唑氮钠、2-氨基-5-硝基噻唑以及3-氨基-1,2,4-三唑中的一种或多种。在一实施例中，所述醇类物质包括甲醇、乙醇、丙二醇、聚乙二醇以及异丙醇中的一种或多种在一实施例中，所述消泡剂包括聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚以及聚氧丙烯甘油醚中的一种或多种。本专利技术实施例还提供了一种刻蚀装置，用于对上述的刻蚀液进行处理，其包括：存储部，用于存储所述刻蚀液；检测部，用于检测所述存储部中所述刻蚀液是否有气泡；发生部，用于在所述检测部检测到气泡时，发生超声波清除气泡，得到清除气泡后的刻蚀液；喷嘴，用于将所述清除气泡后的刻蚀液涂布在所述基板上，对所述基板进行刻蚀。在一实施例中，所述刻蚀装置还包括：加热部，用于加热所述存储部中的所述刻蚀液，使所述刻蚀液达到预设温度范围。相较于现有的刻蚀液及刻蚀装置，本专利技术的刻蚀液及刻蚀装置中的刻蚀液包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水，不包括氟，避免了氟对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术实施例提供的刻蚀液刻蚀的场景示意图。图2为本专利技术实施例提供的刻蚀装置的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。本专利技术实施例提供了一种刻蚀液，该刻蚀液用于对显示面板中的基板进行刻蚀，其中基板上有铜Cu薄膜和钼Mo薄膜。如下表1所示，刻蚀液的组成成分包括双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。表1双氧水可以将基板中的钼氧化成三氧化钼MoO3，铜氧化成氧化铜CuO。如表1所示，双氧水在刻蚀液中的质量百分比范围为10％至20％之间。稳定剂可以避免双氧水在高温下被分解。其中，双氧水稳定剂可以为苯基脲。如表1所示，双氧水稳定剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至5％之间。去离子水不仅可以避免双氧水被分解，还可以避免刻蚀液中引入金属离子的干扰。如表1所示，去离子水在刻蚀液中的质量百分比范围为24％至85.49％之间。有机酸可以与CuO、MoO3反应，得到铜离子和钼离子，并络合铜离子和钼离子。有机酸包括柠檬酸，苹果酸，丁二酸，乙二酸，乳酸，乙醇酸，苯甲酸中的一种或多种。如表1所示，有机酸在刻蚀液中的质量百分比范围为0.5％至15％之间。在本实施例中不需要无机酸，可以提高刻蚀液生产过程中的安全性能。抑制剂可以降低刻蚀液的化学反应速度。抑制剂包括5-氨基四氮唑、三唑氮钠、2-氨基-5-硝基噻唑以及3-氨基-1,2,4-三唑中的一种或多种。如表1所示，抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.01％至1％之间。调节剂可以使铜与钼的刻蚀产生速率差，即使铜的刻蚀速度大于钼的刻蚀速度。其中，调节剂包括异丙醇胺、甲胺、环己胺、N-甲基乙胺以及二异丙醇胺中的一种或多种。醇类物质可以使上述有机酸、调节剂等有机物或无机物溶解。其中，醇类物质包括甲醇、乙醇、丙二醇、聚乙二醇以及异丙醇中的一种或多种。如表1所示，醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至20％之间。随着刻蚀的进行，刻蚀液中铜离子浓度增加，会促使双氧水缓慢分解，产生气泡。这些气泡会影响刻蚀的均一性，并且会降低刻蚀液的渗透性，不利于刻蚀细微结构。在本实施例中，消泡剂可以消除上述气泡，提高刻蚀效率。其中，消泡剂包括聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚以及聚氧丙烯甘油醚中的一种或多种。如表1所示，消泡剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至5％之间。在一实施例中，刻蚀液可以为表2中所示的刻蚀液A。如下表2所示，刻蚀液A的组成成分包括双氧水、异丙醇胺、苯基脲、乙醇酸、苯甲酸、5-氨基四氮唑、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚、乙醇以及去离子水。上述组成成分在刻蚀液A中的质量百分比依次为10％、3.5％、3％、7.5％、1％、0.08％、2.5％、3.5％以及68.92％。通过刻蚀液A对基板进行刻蚀后，如图1所示，基板100中铜10的断面倾斜度可以达到64.2度，即锥角θ可以达到64.2度，CDloss(条宽损失)L为0.82微米。并且钼没有残留。表2本专利技术实施例的刻蚀液中不包含氟，可以避免对基板中的玻璃造成腐蚀。进一步的，并且本专利技术实施例中的刻蚀液不包含无机酸，可以提高刻蚀液生产过程中的安全性能。本专利技术实施例还提供了一种刻蚀装置，该刻蚀装置采用如上的刻蚀液进行刻蚀。请参照图2，图2为本专利技术实施例提供的刻蚀装置的结构示意程图，该刻蚀装置1包括存储部11、检测部12以及发生部13。存储部11用于存储本实施例所述的刻蚀液。检测部12用于检测存储部11中刻蚀液是否有气泡。发生部13用于在检测部12检测到气泡时，发生超声波，以清除气泡。其中，发生部13可以发生频率范围在50MHX-90MHZ之间的超声波131，以有效去除气泡，得到清除气泡本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种刻蚀液，其特征在于，包括：双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀液，其特征在于，包括：双氧水、调节剂、稳定剂、有机酸、抑制剂、消泡剂、醇类物质以及去离子水。2.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述双氧水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为10％至20％之间；所述调节剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至10％之间；所述稳定剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至5％之间；所述有机酸在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.5％至15％之间；所述抑制剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.01％至1％之间；所述消泡剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至5％之间；所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至20％之间；所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为24％至85.49％之间。3.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述有机酸包括乙醇酸、苯甲酸、乙二酸、丁二酸、苹果酸、乳酸以及柠檬酸中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的刻蚀液，其特征在于，所述调节剂包括异丙醇胺、甲胺、环己胺、N-甲基乙胺以及二异丙醇胺中的一种或多种。5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵芬利，秦文，张月红，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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