A display panel includes a display area and a non-display area, wherein the display area is provided with at least one first thin film transistor unit for displaying images, the non-display area is provided with at least one second thin film transistor unit, and the second thin film transistor also includes a plurality of test areas for monitoring the conductor evolution of the channel width of the first thin film transistor. Beneficial effect: Compared with the prior art, the present application provides a display panel and its fabrication method. By setting a second thin film transistor in the non-display area, the second thin film transistor contains a plurality of test areas with different channel widths, which is used to monitor the degree of the conductance of the first thin film transistor in the display area, so that the degree of the conductance of the display panel reaches the standard range. Avoid waste products and save costs.
【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
目前,在各种显示面板中,AMOLED(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,主动矩阵有机发光二极管)显示面板因具有视角广、色彩对比效果好、轻薄、响应速度快及成本低等优点,故十分适用于如随身影像产品(笔记型计算机、PDA、手机等),特别是大型显示装置如电视、监视器等。在显示面板的制作过程中,沟道区域本应该不进行导体化,但在对铟镓锌氧化物进行导体化的过程中,沟道区域也会随之发生反应,使得沟道宽度减小,而沟道宽度是薄膜晶体管设计的关键参数,饱和区电流计算公式为:I=(1/2)uCox(W/L)(Vgs-Vth)2其中,u为电子的迁移速率,Cox为单位面积栅氧化层电容,W/L为宽长比,Vgs-Vth为过驱动电压。根据上述公式可知,沟道宽度直接影响了驱动OLED发光的电流值。由于导体化过程中很难通过肉眼或者现有测试设备判断导体化的程度,特别是沟道下半导体的导体化程度,这样在大规模生产中必然会出现面板的不同区域沟道长度不一致的问题,从而造成显示的不均匀。因此,现有的显示面板制作过程中,还存在着沟道宽度会受到导体化过程的影响,且无法判断导体化进行的程度的问题,急需改进。
技术实现思路
本申请涉及一种显示面板及其制作方法,用于解决现有技术中存在的沟道宽度会受到导体化过程的影响,且无法判断导体化进行的程度的问题。为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:本申请提供的一种显示面板,包括:显示区和非显示区;其中,所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元 ...
【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区和非显示区;其中,所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元,用于显示图像;所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元,所述第二薄膜晶体管内还包括多个测试区域,用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度。
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区和非显示区;其中,所述显示区设置有至少一个第一薄膜晶体管单元,用于显示图像;所述非显示区设置有至少一个第二薄膜晶体管单元,所述第二薄膜晶体管内还包括多个测试区域,用于监控所述第一薄膜晶体管沟道宽度的导体化程度。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为液晶显示面板或是有机发光二极管显示面板。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述测试区域分为第一测试区,第二测试区和第三测试区。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一测试区,所述第二测试区和所述第三测试区的沟道宽度均不同。5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述测试区域的膜层结构由栅极和栅绝缘层组成。6.一种显示面板制作方法,其特征在于,在显示面板的显示区设置第一薄膜晶体管单元,在显示面板的非显示区设置第二薄膜晶体管单元,所述第二薄膜晶体管单元的制作方法如下:S10,提供一基板,并在所述基板上沉积遮光层和缓...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡振飞,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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