【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
1、目前的有源驱动有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称oled)、微发光二极管(micro light emitting diode，简称micro led)、次毫米发光二极管(miniled)等自发光显示器件，其驱动基板一般需要两个以上的薄膜晶体管控制单个像素显示状态，如常见的2t1c电路或者3t1c电路。另一方面随着5g和物联网(internet of things，简称iot)的迅速发展，移动终端的应用场景更加多元化。通过一定的电路集成降低成本或提升产品性能。其中最普遍的为阵列基板栅极驱动(gate driver on array，简称goa)技术和解复用电路(demux)技术。阵列基板栅极驱动技术是将栅极驱动电路集成在显示面板的阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式，从而可以省掉栅极驱动电路部分。解复用电路技术是指从ic到显示区域像素源漏级之前，用数据(data)信号选择的电路，通常采用data选择电路来进行data信号的输入，以此将data信号接入ic通道。
2、其中，goa技术和demux技术作为主流显示技术，在高品质显示器件中实现低成本和实现边框(border)缩减中具有明显的优势。众所周知，goa电路和demux电路需要采用大电流驱动，如果采用常规的器件结构，需要增大薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)的尺寸以增大电流，由此将增大goa电路的尺寸及边框的尺寸，不利于实现窄
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种显示面板及其制备方法，其能够解决现有技术中增大薄膜晶体管的尺寸以增大电流导致的不利于实现窄边框设计等问题。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区的至少一侧的非显示区，所述显示面板包括：基板及设置于所述基板上的第一薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管位于所述非显示区，所述第一薄膜晶体管包括：第一漏极、第一有源层、设置于所述第一漏极上的层间绝缘层以及设置于所述层间绝缘层上的第一源极；所述第一薄膜晶体管中还设有贯穿所述第一源极及所述层间绝缘层的第一凹槽；其中，第一凹槽具有第一槽壁、第二槽壁以及连接于所述第一槽壁与所述第二槽壁之间的第一槽底；其中，所述第一源极包括第一子源极和第二子源极，所述第一子源极位于所述第一凹槽的一侧的所述层间绝缘层上，所述第二子源极位于所述第一凹槽的另一侧的所述层间绝缘层上；其中，所述第一有源层包括：设置于所述第一槽壁上的第一沟道部、设置于所述第二槽壁上的第二沟道部、设置于所述第一槽底上且连接于所述第一沟道部和所述第二沟道部之间的第一导电部、设置于所述第一子源极上且连接于所述第一沟道部的第二导电部以及设置于所述第二子源极上且连接于所述第二沟道部的第三导电部。
3、进一步的，所述第一槽壁和所述第二槽壁的形状为直线，所述第一槽壁和所述第二槽壁与所述层间绝缘层靠近所述基板的一侧的表面的夹角范围均为65°-85°。
4、进一步的，所述层间绝缘层远离所述基板的一侧的表面与所述第一漏极远离所述基板的一侧的表面之间的间距的范围为0.5um-2um。
5、进一步的，所述显示面板还包括：缓冲层，设置于所述第一漏极及所述基板上，且位于所述显示区和所述非显示区；第一栅极绝缘层，设置于所述第一有源、第一源极上，且位于所述显示区和所述非显示区；其中，所述第一凹槽贯穿所述第一漏极上的所述缓冲层；所述第一薄膜晶体管还包括：设置于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极。
6、进一步的，所述第一栅极绝缘层在对应于所述第一凹槽的位置处设有第二凹槽，所述第二凹槽具有第三槽壁、第四槽壁以及连接于所述第三槽壁与所述第四槽壁之间的第二槽底；
7、其中，所述第一栅极设置于所述第三槽壁、所述第四槽壁、所述第二槽底以及所述第二凹槽的两侧的所述第一栅极绝缘层上。
8、进一步的，所述显示面板还包括：第二薄膜晶体管，设置于所述显示区的所述基板上；其中，所述第二薄膜晶体管包括：第二有源层，设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧的表面上；其中，所述第一有源层的材质包括非晶氧化物，所述第二有源层的材质包括结晶氧化物。
9、进一步的，所述第二薄膜晶体管还包括：第二栅极绝缘层，设置于所述第二有源层远离所述基板的一侧，且与所述第二有源层对应设置；以及第二栅极，设置于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，且与所述第二有源层对应设置；其中，所述第二栅极与所述第一源极材质相同。
10、进一步的，所述第二薄膜晶体管还包括：第二源极，与所述第一栅极同层设置；第二漏极，与所述第二源极同层设置；其中，所述第二源极、所述第二漏极以及所述第一栅极材质相同。
11、进一步的，所述显示面板还包括：遮光层，与所述第一漏极同层设置，且与所述第二有源层对应设置；其中，所述遮光层与所述第一漏极材质相同。
12、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区的至少一侧的非显示区，其包括以下步骤：在所述非显示区的基板上制备第一漏极；在所述第一漏极上制备缓冲层，并在所述缓冲层对应于所述第一漏极的位置处形成第一通孔；在所述缓冲层上制备层间绝缘层，并在所述层间绝缘层对应于所述第一通孔的位置处形成第二通孔；在所述层间绝缘层上制备第一源极，并在所述第一源极的对应于第二通孔的位置处设置第三通孔，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔以及所述第一漏极远离基板的一侧的表面形成第一凹槽，所述第一凹槽具有第一槽壁、第二槽壁以及连接于所述第一槽壁与所述第二槽壁之间的第一槽底，所述第一源极包括第一子源极和第二子源极，所述第一子源极位于所述第一凹槽的一侧的所述层间绝缘层上，所述第二子源极位于所述第一凹槽的另一侧的所述层间绝缘层上；在所述第一槽壁上设置第一沟道部，在所述第二槽壁上设置第二沟道部，在所述第一槽底上设置连接于所述第一沟道部和所述第二沟道部之间的第一导电部，在所述第一子源极上设置连接于所述第一沟道部的第二导电部以及在所述第二子源极上设置连接于所述第二沟道部的第三导电部，所述第一沟道部、所述第二沟道部、所述第一导电部、所述第二导电部以及所述第三导电部形成第一有源层。
13、本专利技术的优点是：本专利技术的非显示区的第一薄膜晶体管的第一有源层包括设置于所述第一槽壁上的第一沟道部、设置于所述第二槽壁上的第二沟道部、设置于所述第一槽底上且连接于所述第一沟道部和所述第二沟道部之间的第一导电部、设置于所述第一子源极上且连接于所述第一沟道部的第二导电部以及设置于所述第二子源极上且连接于所述第二沟道部的第三导电部，由此使得第一薄膜晶体管具有左右两个彼此相连的垂直沟道结构。通过采用具有双垂直沟道结构的第一薄膜晶体管，提升第一薄膜晶体管的载流子迁移率和电流，避免增大第一薄膜晶体管的尺寸，有利于减小显示面板的尺寸，从而有利于实现显示面板的窄边本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示面板，所述显示面板包括显示区(101)和位于所述显示区(101)的至少一侧的非显示区(102)，其特征在于，所述显示面板包括：基板(1)及设置于所述基板(1)上的第一薄膜晶体管(2)；
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一槽壁(261)和所述第二槽壁(262)的形状为直线，所述第一槽壁(261)和所述第二槽壁(262)与所述层间绝缘层(22)靠近所述基板(1)的一侧的表面的夹角范围均为65°-85°。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述层间绝缘层(22)远离所述基板(1)的一侧的表面与所述第一漏极(21)远离所述基板(1)的一侧的表面之间的间距的范围为0.5um-2um。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层(5)在对应于所述第一凹槽(26)的位置处设有第二凹槽(51)，所述第二凹槽(51)具有第三槽壁(511)、第四槽壁(512)以及连接于所述第三槽壁(511)与所述第四槽壁(512)之间的
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管(3)还包括：
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管(3)还包括：
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
10.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区(101)和位于所述显示区(101)的至少一侧的非显示区(102)，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，所述显示面板包括显示区(101)和位于所述显示区(101)的至少一侧的非显示区(102)，其特征在于，所述显示面板包括：基板(1)及设置于所述基板(1)上的第一薄膜晶体管(2)；
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一槽壁(261)和所述第二槽壁(262)的形状为直线，所述第一槽壁(261)和所述第二槽壁(262)与所述层间绝缘层(22)靠近所述基板(1)的一侧的表面的夹角范围均为65°-85°。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述层间绝缘层(22)远离所述基板(1)的一侧的表面与所述第一漏极(21)远离所述基板(1)的一侧的表面之间的间距的范围为0.5um-2um。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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