The array substrate includes a substrate substrate, an active layer, a gate insulating layer, a dielectric layer, a first through hole and a source-drain electrode. The first through-hole penetrates the dielectric layer, the gate insulating layer and the gate line layer, and exposes the source-drain electrode contact part of the active layer. The source-drain electrode contacts the source-drain electrode contact part through the first through-hole. Through the first through hole of dielectric layer, grid insulating layer and grid line layer, the source and drain electrodes are used to connect the grid line layer with the active layer. On the basis of realizing the same function as the bridge connection structure, the connection structure between the grid line layer and the active layer is simplified, and the space occupied by the connection structure between the grid line layer and the active layer is reduced.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
在显示
,液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如:移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)阵列基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向,用于向显示器提供驱动电路,通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线,该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元,每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连,当栅极扫描线上的电压达到开启电压时,薄膜晶体管的源极和漏极导通,从而将数据线上的数据电压输入至像素电极,进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极线层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极以及绝缘层,在这种薄膜晶体管结构中,栅极线层与有源层之间的接触孔是通过源漏电极进行桥式连接的,在源漏电极工艺流程阶段会通过两个源漏电极接触过孔进行连接,形成一条跳线,这种连接的结构复杂,占据薄膜晶体管内的空间较多。综上所述,现有阵列基板存在栅极线层与有源层之间连接结构复杂、占据薄膜晶体管内的空间较多的问题。故,有必要提供一 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;有源层,所述有源层设置于所述衬底基板上,所述有源层包括位于两端的源漏电极接触部分和位于中间的沟道部分;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置于所述有源层上;栅极线层,所述栅极线层设置于所述栅极绝缘层上;电介质层,所述电介质层设置于所述栅极绝缘层以及所述栅极线层上;第一过孔,所述第一过孔贯穿所述电介质层、所述栅极绝缘层以及所述栅极线层,暴露出所述有源层的所述源漏电极接触部分;以及源漏电极,所述源漏电极通过所述第一过孔,与所述源漏电极接触部分相接触。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;有源层,所述有源层设置于所述衬底基板上,所述有源层包括位于两端的源漏电极接触部分和位于中间的沟道部分;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置于所述有源层上;栅极线层,所述栅极线层设置于所述栅极绝缘层上;电介质层,所述电介质层设置于所述栅极绝缘层以及所述栅极线层上;第一过孔,所述第一过孔贯穿所述电介质层、所述栅极绝缘层以及所述栅极线层,暴露出所述有源层的所述源漏电极接触部分;以及源漏电极,所述源漏电极通过所述第一过孔,与所述源漏电极接触部分相接触。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二过孔,所述第二过孔贯穿所述电介质层和所述栅极绝缘层,暴露出所述有源层的所述源漏电极接触部分,所述源漏电极通过所述第二过孔与所述源漏电极接触部分相接触。3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过孔的截面形状为倒置梯形。4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括缓冲层,所述缓冲层设置于所述衬底基板与所述有源层之间。5.如权利要求1所述的阵列基...
【专利技术属性】
技术研发人员:张伟琦,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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