基板载置台及基板载置台的制作方法技术

技术编号:21177302 阅读:29 留言:0更新日期:2019-05-22 12:20
本发明专利技术提供用于精密控制基板温度的载置台及其制作方法。或者,提供具有该载置台的成膜装置或膜加工装置。本发明专利技术提供用于载置基板的载置台,该载置台具有基材、和基材上的加热器层,加热器层具有第一绝缘膜、第一绝缘膜上的加热器线、和加热器线上的第二绝缘膜,加热器线含有一种以上选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属。

Manufacturing Method of Substrate Platform and Substrate Platform

The invention provides a mounting platform for precisely controlling the temperature of a substrate and a manufacturing method thereof. Alternatively, a film forming device or a film processing device with the mounting table is provided. The invention provides a mounting platform for mounting a substrate, which has a heater layer on the substrate and a first insulating film, a heater line on the first insulating film and a second insulating film on the heater line. The heater line contains more than one metal selected from tungsten, nickel, chromium, cobalt and molybdenum.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板载置台及基板载置台的制作方法
本专利技术涉及基板载置台、或具有基板载置台的膜加工装置、成膜装置。
技术介绍
半导体器件搭载在几乎全部的电子设备中,对电子设备的功能起着重要的作用。半导体器件是利用硅等所具有的半导体特性的器件,由包括半导体、以及绝缘体、导电体等的大量薄膜构成。这些薄膜的形成和加工通过光刻工艺进行。光刻工艺通常包括:使用蒸镀法、溅射法、化学气相沉积(CVD)法或基板的化学反应等形成薄膜;在薄膜上形成抗蚀剂膜;通过曝光、显影形成抗蚀剂掩模;利用蚀刻除去部分薄膜;除去抗蚀剂膜。在光刻工艺的各步骤中,很多反应条件决定薄膜特性,其中之一是基板温度。大多情况下,通过调节设置有基板的载置台(以下,记作载置台)的温度可以控制基板温度。专利文献1、2中公开了一种载置台,其搭载有用于控制基板温度的加热器。作为加热器工作的电阻器夹在两片绝缘膜间,通过喷镀(金属喷镀)形成。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第5876992号公报专利文献2:日本特表2012-090782号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的实施方式的课题之一为提供一种用于精密地控制基板温度的载置台及其制作方法。另外,本专利技术的实施方式的课题之一为提供一种具有该载置台的成膜装置、或者膜加工装置。用于解决课题的手段本专利技术的一个实施方式是用于载置基板的载置台。载置台具有基材和位于基材上的加热器层。加热器层具有第一绝缘膜、位于第一绝缘膜上的加热器线、和位于加热器线上的第二绝缘膜。加热器线含有选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属。本专利技术的一个实施方式是膜加工装置。膜加工装置具有腔室、用于向腔室内供给气体的导入管、用于降低腔室内的压力的排气装置、和用于载置基板的载置台。载置台具有基材、和位于基材上的加热器层。加热器层具有第一绝缘膜、位于第一绝缘膜上的加热器线、和位于加热器线上的第二绝缘膜。加热器线含有选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属。本专利技术的一个实施方式为用于载置基板的载置台的制作方法。制作方法包括:在基材上通过喷镀法形成第一绝缘膜;将含有选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属的金属膜加工成布线形状;在第一绝缘膜上配置经加工的金属膜;在金属膜上通过喷镀法形成第二绝缘膜。本专利技术的一个实施方式是成膜装置。成膜装置具有腔室、用于向腔室内供给气体的导入管、用于降低腔室内的压力的排气装置、和用于载置基板的载置台。载置台具有基材、和位于基材上的加热器层。加热器层具有第一绝缘膜、位于第一绝缘膜上的加热器线、和位于加热器线上的第二绝缘膜。加热器线含有选自钨、镍、铬、钴及钼中的金属。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的膜加工装置的构成的图。图2A是本专利技术的一实施方式的载置台的剖面示意图。图2B是本专利技术的一实施方式的载置台的剖面示意图。图2C是本专利技术的一实施方式的载置台的剖面示意图。图3是本专利技术的一实施方式的载置台的立体示意图。图4是本专利技术的一实施方式的载置台的立体示意图。图5是表示本专利技术的一实施方式的成膜装置的构成的图。图6是表示本专利技术的一实施方式的成膜装置的构成的图。图7是表示本专利技术的一实施方式的成膜装置的构成的图。图8A是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图8B是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图9A是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图9B是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图10A是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图10B是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图10C是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图10D是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图11A是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图11B是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图12A是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图12B是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图13A是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。图13B是表示本专利技术的一实施方式的载置台的制作方法的图。具体实施方式以下,针对本申请中公开的专利技术的各实施方式,一边参照附图一边进行说明。但是,本专利技术可以在不脱离其主旨的范围内以各种方式实施,不应解释成限于以下例举的实施方式的记载内容。另外,对于附图而言,存在为了更明确地说明而与实际的方案相比示意性地表示各部分的宽、厚、形状等的情况,但这仅仅是一例,并不限定本专利技术的解释。另外,在本说明书和各图中存在下述情况:对于与关于已出现的附图说明过的要素具有相同功能的要素,标以相同的附图标记,并省略重复说明。在本专利技术中,加工某一膜形成多个膜时,存在这些多个膜具有不同的功能、作用的情况。然而,这些多个膜来自在同一步骤中形成为同一层的膜,具有相同的层结构、相同的材料。因此,这些多个膜定义为存在于同一层中。(第1实施方式)以下,关于作为本专利技术的一个实施方式的载置台及具有该载置台的膜加工装置,使用图1至图4进行说明。[1.膜加工装置]作为本专利技术的第1实施方式的膜加工装置的一例,图1示出了用于针对各种膜进行干蚀刻的蚀刻装置。蚀刻装置100具有腔室102。腔室102提供空间,该空间用于对例如在硅基板、玻璃基板上形成的导电体、绝缘体、半导体等的膜进行蚀刻。排气装置104与腔室102连接,由此,能够将腔室102内设定为减压气氛。在腔室102中还设置有用于导入反应气体的导入管106,经由阀108向腔室内导入蚀刻用的反应气体。作为反应气体,可以举出例如四氟化碳(CF4)、八氟环丁烷(c-C4F8)、十氟环戊烷(c-C5F10)、六氟丁二烯(C4F6)等含氟有机化合物。在腔室102上部能够经由导波管110设置微波源112。微波源112具有用于供给微波的天线等,输出高频微波,例如2.45GHz的微波、13.56MHz的无线电波(RF)。由微波源112产生的微波通过导波管110传播到腔室102的上部,并经由包含石英、陶瓷等的窗口114导入腔室102内部。反应气体通过微波被等离子体化,通过等离子体中所含的电子、离子、自由基进行膜蚀刻。在腔室102下部设置有用于载置基板的载置台122。基板设置在载置台122上。电源124与载置台122连接,高频电力被供给至载置台122,并且在与载置台表面、基板表面垂直的方向形成由微波产生的电场。在腔室102的上部、侧面可以进一步设置磁铁116、118、120。作为磁铁116、118、120,可以为永久磁铁,也可以为具有电磁线圈的电磁铁。通过磁铁116、118、120能够产生平行于载置台122及基板表面的磁场成分,并且通过与由微波产生的电场协作,等离子体中的电子受到洛伦兹力作用而共振,被束缚在载置台122及基板表面。其结果,能够使基板表面产生高密度的等离子体。载置台122上还可以进一步连接用于将基板固定于载置台122的静电卡盘用的电源126、用于控制在载置台122内部回流的介质的温度的温度控制器128、用于控制设置于载置台122的加热器线154的加热器电源130。蚀刻装置100中,作为任意构成,还可以设置用于使载置台122旋转的旋转控制装置(无图示)。[2.载置台]图2A、图2B、图2C表示载置台122的剖面示意图。如图2A所示,载置台122具有基材140本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于载置基板的载置台,所述载置台具有:基材;和所述基材上的加热器层,所述加热器层具有:第一绝缘膜;所述第一绝缘膜上的加热器线;和所述加热器线上的第二绝缘膜,所述加热器线含有选自钨、镍、铬、钴及钼中的一种以上的金属。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.29 JP 2016-1906611.一种用于载置基板的载置台,所述载置台具有:基材;和所述基材上的加热器层,所述加热器层具有:第一绝缘膜;所述第一绝缘膜上的加热器线;和所述加热器线上的第二绝缘膜,所述加热器线含有选自钨、镍、铬、钴及钼中的一种以上的金属。2.如权利要求1所述的载置台,其中,所述基材含有钛,所述第一绝缘膜和第二绝缘膜含有氧化铝。3.如权利要求1所述的载置台,其中,所述基材具有供液体在内部流动的槽。4.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:立川俊洋相川尚哉高原刚铃木恒平光田拓史
申请(专利权)人:日本发条株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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