The utility model discloses a chip packaging structure. The chip encapsulation structure includes: a first encapsulation layer with at least one concave first cavity on the first encapsulation layer; at least one chip to be encapsulated in the first encapsulation body, with the back of the at least one chip to be encapsulated facing the first encapsulation layer; a sealing layer formed on the upper surface of the first encapsulation layer and encapsulated at least one core to be encapsulated. Around the chip; a re-wiring structure is formed on the front of at least one chip to be packaged for drawing out the solder pad on the front of at least one chip to be packaged.
【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构
本公开涉及半导体
,尤其涉及一种芯片封装方法及封装结构。
技术介绍
已有技术中,一种常见的芯片封装技术主要包含下述工艺过程:首先将芯片正面通过胶带粘接在衬底晶圆上,进行晶圆级塑封,将衬底晶圆剥离,然后在芯片正面进行再布线,形成再布线层,并植焊锡球,最后将封装体切成单颗。这种封装技术由于采用胶带进行粘接,在塑封的高温过程中其粘合力较难保证,这就导致芯片在塑封过程中在塑封料模流的冲击下会产生位移,从而影响后续再布线工艺,因而封装工艺难管控且良率不高。另外,芯片直接嵌入到塑封体中,由于芯片与塑封体热膨胀系数不同,在封装过程中,温度的变化势必会产生应力,使圆片易出现较大的翘曲度,从而影响封装产品的可靠性,而在使用过程中,由于应力的存在,也易出现芯片在塑封体中移动或脱落,影响封装产品在使用过程中的可靠性。
技术实现思路
第一方面,本公开实施例提供了一种芯片封装结构,包括:第一包封层,该第一包封层上设置有至少一个内凹的第一腔体;至少一个待封装芯片,位于所述第一腔体内,所述至少一个待封装芯片的背面朝向所述第一包封层;密封层,形成于所述第一包封层上表面以及包裹在所述至少一个待封装芯片的四周;再布线结构,形成于所述至少一个待封装芯片的正面,用于将所述至少一个待封装芯片正面的焊垫引出。可选地,所述再布线结构包括:钝化层,形成于所述密封层及所述至少一个待封装芯片的正面,且与所述至少一个待封装芯片上的焊垫位置相对应处设置有第一开口;第一再布线层,形成于所述钝化层上,且通过所述第一开口与所述至少一个待封装芯片的焊垫电连接;第二包封层,形成于所述第一再布线层上,且具有第二 ...
【技术保护点】
1.一种芯片封装结构,包括:第一包封层,该第一包封层上设置有至少一个内凹的第一腔体;至少一个待封装芯片,位于所述第一腔体内,所述至少一个待封装芯片的背面朝向所述第一包封层;密封层,形成于所述第一包封层上表面以及包裹在所述至少一个待封装芯片的四周;再布线结构,形成于所述至少一个待封装芯片的正面,用于将所述至少一个待封装芯片正面的焊垫引出。
【技术特征摘要】
2016.11.29 SG 10201610033Y;2017.03.08 SG 1020170181.一种芯片封装结构,包括:第一包封层,该第一包封层上设置有至少一个内凹的第一腔体;至少一个待封装芯片,位于所述第一腔体内,所述至少一个待封装芯片的背面朝向所述第一包封层;密封层,形成于所述第一包封层上表面以及包裹在所述至少一个待封装芯片的四周;再布线结构,形成于所述至少一个待封装芯片的正面,用于将所述至少一个待封装芯片正面的焊垫引出。2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述再布线结构包括:钝化层,形成于所述密封层及所述至少一个待封装芯片的正面,且与所述至少一个待封装芯片上的焊垫位置相对应处设置有第一开口;第一再布线层,形成于所述钝化层上,且通过所述第一开口与所述至少一个待封装芯片的焊垫电连接;第二包封层,形成于所述第一再布线层上,且具有第二开口,所述第二开口内设置有与所述第一再布线层电连接的第一导电凸柱。3.如权利要求1或2所述的芯片封装结构,其中,还包括:至少一个被动元件,位于所述第一包封层上设置的至少一个内凹的第二腔体内...
【专利技术属性】
技术研发人员:周辉星,
申请(专利权)人:PEP创新私人有限公司,
类型:新型
国别省市:新加坡,SG
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