膜式半导体包封构件、其制得的半导体封装与其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种膜式半导体包封构件、以其制得的半导体封装与其制备方法。膜式半导体包封构件包括：第一层，由玻璃织物制成；第二层，形成在第一层上，第二层包括第一环氧树脂及第一无机填料；以及第三层，形成在第一层下，所述第三层包括第二环氧树脂及第二无机填料，其中所述第三层比所述第二层厚。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膜式半导体包封构件、其制得的半导体封装与其制备方法
实施例涉及一种膜式半导体包封构件、以其制得的半导体封装与其制备方法。更具体而言，实施例涉及可用于大面积应用且具有低翘曲与良好窄缝填充(NarrowGapPilling)特性并适合用于晶圆级封装制程或面板级封装制程的膜式半导体包封构件、以其制得的半导体封装与其制备方法。
技术介绍
在市面上使用以环氧树脂组成物包封半导体装置的方法，以保护半导体装置免于外部环境影响，例如潮湿、机械冲击等。在一般半导体装置的包封中，通过首先切割(Dicing)晶圆并接着封装各半导体芯片(chip)而制造半导体芯片。近期已发展的制程中，未经切割的晶圆或面板先被封装，接着被切割为半导体芯片。一般而言，前者的方法意指芯片尺寸封装(ChipScapePackaging，CSP)以及后者的方法意指晶圆级封装(WaferLevelPackaging，WLP)或面板级封装(PanelLevelPackaging，PLP)。晶圆级封装可易于进行所述制程并可制造薄的封装以减少半导体安装空间。然而，在晶圆级封装或面板级封装中，配置的面积大于包封各芯片的芯片尺寸封装的面积。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膜式半导体包封构件，包括：第一层，包括玻璃织物；第二层，形成在所述第一层上，所述第二层包括第一环氧树脂及第一无机填料；以及第三层，形成在所述第一层的下表面上，所述第三层包括第二环氧树脂及第二无机填料，其中所述第三层比所述第二层厚。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.30 KR 10-2016-01108461.一种膜式半导体包封构件，包括：第一层，包括玻璃织物；第二层，形成在所述第一层上，所述第二层包括第一环氧树脂及第一无机填料；以及第三层，形成在所述第一层的下表面上，所述第三层包括第二环氧树脂及第二无机填料，其中所述第三层比所述第二层厚。2.根据权利要求1所述的膜式半导体包封构件，其中所述第三层为所述第二层的至少两倍厚。3.根据权利要求1所述的膜式半导体包封构件，其中所述第一无机填料的最长直径不大于所述玻璃织物的孔洞区域的一半。4.根据权利要求1所述的膜式半导体包封构件，其中所述第二无机填料的最长直径不大于所述第三层的厚度的一半。5.根据权利要求1所述的膜式半导体包封构件，其中所述第二无机填料的最长直径与所述第一无机填料的最长直径相同或不同。6.根据权利要求1所述的膜式半导体包封构件，其中所述第三层包括各具有不同最长直径的两种无机填料。7.根据权利要求6所述的膜式半导体包封构件，其中所述第三层包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括具有第一最长直径的无机填料，以及所述第二区域包括具有第二最长直径的无机填料，其中所述第一最长直径大于所述第二最长直径。8.一种半导体封装的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：权冀爀，李允万，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR