一种显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制作方法，该制作方法包括：在衬底基板上依次形成有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层；对所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个填充孔；其中所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料相同；在所述第一层间绝缘层上和所述填充孔内沉积第二层间绝缘层；对与所述填充孔位置对应的所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔，所述显示面板的源极和漏极均通过所述过孔与所述有源层连接，其中所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的材料相同。本发明专利技术的显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。

A Display Panel and Its Making Method

The invention provides a display panel and a manufacturing method thereof, which comprises: forming an active layer, a first gate insulating layer, a second gate insulating layer and a first interlayer insulating layer on a substrate in turn; patterning the first interlayer insulating layer and the second gate insulating layer to form two filling holes; and the first interlayer insulating layer and the first interlayer insulating layer. The material of the two-gate insulating layer is the same; the second interlayer insulating layer is deposited on the first interlayer insulating layer and in the filling hole; the second interlayer insulating layer and the first grid insulating layer corresponding to the position of the filling hole are patterned to form two through holes through which the source and drain of the display panel are connected with all the active layers. The material of the second interlayer insulating layer and the first gate insulating layer are the same. The display panel and its fabrication method of the invention can improve the conductivity of the thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
低温多晶硅(LTPS)作为显示领域的新一代技术，常用于制作有源层，使得面板具有更快的响应速度和更高的分辨率。通常需要在薄膜晶体管的源漏极层和有源层之间设置过孔，过孔主要是通过蚀刻有源层上面覆盖的层间绝缘层和第一栅极绝缘层形成的。有源层和源漏极层之间的膜层从上到下分别是SiOx/SiNx/SiNx/SiOx，现有的过孔仅通过一步蚀刻工艺得到过孔，使得同一蚀刻过程中包含SiOx和SiNx两种材质的膜层。但是，不同材质的膜层在同一蚀刻条件下，蚀刻速率不一样，容易造成蚀刻均匀性较差、膜层间的底切现象、坡度角不理想以及尺寸偏差太大等问题。而蚀刻均匀性差，容易导致源/漏电极层和有源层之间形成点状接触，导致接触面积比较小，从而造成源/漏电极层和有源层之间的接触电阻增大；膜层间的底切现象，容易导致源/漏电极层金属断裂和结构空隙；从而降低了薄膜晶体管的导电性能。因此，有必要提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的导电性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种显示面板的制作方法，其包括：在衬底基板上依次形成有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层；其中所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料相同；对所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个填充孔；在所述第一层间绝缘层上和所述填充孔内沉积第二层间绝缘层；其中所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的材料相同；对位于所述填充孔内的所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔，源极和漏极均通过所述过孔与所述有源层连接。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述对位于所述填充孔内的所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔的步骤包括：对位于所述填充孔上方的第二层间绝缘层、位于所述填充孔内的第二层间绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述第二层间绝缘层包括两个第一部分和多个第二部分，所述第一部分与所述填充孔的位置对应；所述对位于所述填充孔上方的第二层间绝缘层、位于所述填充孔内的第二层间绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔的步骤包括：在所述第二部分上形成光刻胶图案；对位于相邻两个所述光刻胶图案之间的第二层间绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行蚀刻，以形成两个过孔。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层的材料不同。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述过孔的深度大于所述填充孔的深度。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述方法还包括：在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间形成栅极。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述方法还包括：在所述第二栅极绝缘层和所述第一层间绝缘层之间形成金属部；所述金属部的位置和所述栅极的位置对应。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述方法还包括：在所述第二层间绝缘层和所述过孔内沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理形成所述源极和所述漏极。在本专利技术的显示面板的制作方法中，所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的材料都为SiOx，所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料都为SiNx。本专利技术还提供一种显示面板，其包括：衬底基板；有源层，设于所述衬底基板上；第一栅极绝缘层，设于所述有源层上；第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，设于所述第二栅极绝缘层上；所述第一层间绝缘层上设置有两个填充孔，所述填充孔从所述第一层间绝缘层延伸至所述第二栅极绝缘层；其中所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料相同；第二层间绝缘层，设于所述填充孔内及所述第一层间绝缘层上；所述第二层间绝缘层上设置有两个过孔，所述过孔从所述第二层间绝缘层延伸至所述第一栅极绝缘层；源极和漏极均通过所述过孔与所述有源层连接，其中所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的材料相同。本专利技术的显示面板及其制作方法，通过先在第一层间绝缘层和第二栅极绝缘层上形成两个填充孔，之后在填充孔内填充第二层间绝缘层，再对填充孔内的第二层间绝缘层和第一栅极绝缘层进行图案化处理形成过孔，由于填充孔和过孔制作中针对相同的材料进行，因此可以避免蚀刻均匀性较差、膜层间的底切现象、坡度角不理想以及尺寸偏差太大等问题，提高了薄膜晶体管的导电性能。【附图说明】图1为显示面板的制作方法的第二步中第一分步的结构示意图；图2为显示面板的制作方法的第二步中第二分步的结构示意图；图3为显示面板的制作方法的第三步的结构示意图；图4为显示面板的制作方法的第四步的结构示意图。图5为显示面板的制作方法的第五步的结构示意图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1至5，图1为显示面板的制作方法的第二步中第一分步的结构示意图；如图1所示，本专利技术的显示面板的制作方法主要包括如下步骤：S101、在衬底基板上依次形成有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层；例如，在衬底基板11上依次形成有源层13、第一栅极绝缘层14、栅极15、第二栅极绝缘层16、金属部17、第一层间绝缘层18。其中所述第一层间绝缘层18和所述第二栅极绝缘层16的材料相同。在一实施方式中，所述第一层间绝缘层18和所述第二栅极绝缘层16的材料为SiNx。当然，还可以在衬底基板11上形成缓冲层12，之后在缓冲层12上制作有源层13，所述有源层13用于形成沟道。其中栅极的具体制作过程为：在第一栅极绝缘层14上先形成第一金属层，再通过一掩膜板对该第一金属层进行图案化处理形成栅极15。其中金属部的具体制作过程为：在第二栅绝缘层16上形成另一金属层，再通过一掩膜板对该金属层进行图案化处理形成金属部17。所述金属部17的位置和所述栅极15的位置对应。S102、对所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个填充孔；结合图2，该步骤可以包括在所述第一层间绝缘层18上涂布整层光刻胶21，对所述整层光刻胶21进行曝光显影，使得填充孔101以外的光刻胶保留，以限定蚀刻区域，也即与填充孔101对应的光刻胶去除，得到光刻胶图案。之后对光刻胶图案之间的区域进行刻蚀，以形成填充孔101，之后去除光刻胶21。在一实施方式中，可通过干刻法对光刻胶图案之间的区域进行刻蚀。S103、在所述第一层间绝缘层上和所述填充孔内沉积第二层间绝缘层；如图3所示，在所述第一层间绝缘层18上和所述填充孔101内沉积第二层间绝缘层19；其中所述第二层间绝缘层19和所述第一栅极绝缘层14的材料相同。在一实施方式中，所述第二层间绝缘层19和所述第一栅极绝缘层14的材料为SiOx。所述第二层间绝缘层19和所述第一层间绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层；其中所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料相同；对所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个填充孔；在所述第一层间绝缘层上和所述填充孔内沉积第二层间绝缘层；其中所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的材料相同；对位于所述填充孔内的所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔，源极和漏极均通过所述过孔与所述有源层连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层；其中所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的材料相同；对所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个填充孔；在所述第一层间绝缘层上和所述填充孔内沉积第二层间绝缘层；其中所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的材料相同；对位于所述填充孔内的所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔，源极和漏极均通过所述过孔与所述有源层连接。2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对位于所述填充孔内的所述第二层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔的步骤包括：对位于所述填充孔上方的第二层间绝缘层、位于所述填充孔内的第二层间绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔。3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二层间绝缘层包括两个第一部分和多个第二部分，所述第一部分与所述填充孔的位置对应；所述对位于所述填充孔上方的第二层间绝缘层、位于所述填充孔内的第二层间绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行图案化处理，以形成两个过孔的步骤包括：在所述第二部分上形成光刻胶图案；对位于相邻两个所述光刻胶图案之间的第二层间绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行蚀刻，以形成两个过孔。4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二层间绝缘层和所述第一层间绝缘层的材料不同。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42