一种阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：提供一阵列基板，所述阵列基板包括显示部以及位于所述显示部一侧的非显示部，所述非显示部上设有弯曲区域，所述显示部包括位于无机膜层中的薄膜晶体管，所述非显示部包括对应所述弯曲区域且贯穿所述无机膜层的凹槽，以及位于所述凹槽两侧的第一信号线；在所述无机膜层上制备第一平坦层，所述第一平坦层填充至所述凹槽内，图案化后形成对应所述薄膜晶体管与所述第一信号线的第一平坦层过孔；在所述第一平坦层上形成连接所述薄膜晶体管的辅助电极，以及连接所述第一信号线的第二信号线。

An Array Substrate and Its Preparation Method

The present application provides an array substrate and a preparation method thereof. The method comprises the following steps: providing an array substrate, which includes a display unit and a non-display unit located on one side of the display unit. The non-display unit is provided with a bending region, the display unit includes a thin film transistor located in an inorganic film layer, and the non-display unit includes a corresponding bending region. A groove penetrating the inorganic film layer and a first signal line on both sides of the groove; a first flat layer is prepared on the inorganic film layer, which is filled into the groove and patterned to form a first flat layer through a hole corresponding to the thin film transistor and the first signal line; and an auxiliary connecting the thin film transistor is formed on the first flat layer. The auxiliary electrode and a second signal line connecting the first signal line.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示制造领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
在OLED柔性阵列基板设计中，在基板的弯曲区域会采用挖槽并在凹槽内进行有机材料的填充工艺，以增加基板的弯曲性能，同时在显示区会采用双SD结构一层作为Vdate的走线，另一层作为Vdd走线来减小Vdd的电压降的现象，提高产品品质。一般该类型的阵列基板在设计中需要光罩数量为14道，工艺繁琐，又由于需要较多的光罩数量，造成生产成本的提高，以及在多次的蚀刻工艺中容易造成器件的损伤。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，能够减少阵列基板的光罩使用次数，从而提高产能、减小成本。为实现上述目的，本申请提供的技术方案如下：本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：步骤S10，提供一阵列基板，所述阵列基板包括显示部以及位于所述显示部一侧的非显示部，所述非显示部上设有弯曲区域，所述显示部包括位于无机膜层中的薄膜晶体管，所述非显示部包括对应所述弯曲区域且贯穿所述无机膜层的凹槽，以及位于所述凹槽两侧的第一信号线；步骤S20，在所述无机膜层上制备第一平坦层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，提供一阵列基板，所述阵列基板包括显示部以及位于所述显示部一侧的非显示部，所述非显示部上设有弯曲区域，所述显示部包括位于无机膜层中的薄膜晶体管，所述非显示部包括对应所述弯曲区域且贯穿所述无机膜层的凹槽，以及位于所述凹槽两侧的第一信号线；步骤S20，在所述无机膜层上制备第一平坦层，所述第一平坦层填充至所述凹槽内，所述第一平坦层图案化后形成对应所述薄膜晶体管与所述第一信号线的第一平坦层过孔；步骤S30，在所述第一平坦层上制备金属层，图案化后形成位于所述显示部并通过所述第一平坦层过孔连接所述薄膜晶体管的辅助电极，以及形成位于所述...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，提供一阵列基板，所述阵列基板包括显示部以及位于所述显示部一侧的非显示部，所述非显示部上设有弯曲区域，所述显示部包括位于无机膜层中的薄膜晶体管，所述非显示部包括对应所述弯曲区域且贯穿所述无机膜层的凹槽，以及位于所述凹槽两侧的第一信号线；步骤S20，在所述无机膜层上制备第一平坦层，所述第一平坦层填充至所述凹槽内，所述第一平坦层图案化后形成对应所述薄膜晶体管与所述第一信号线的第一平坦层过孔；步骤S30，在所述第一平坦层上制备金属层，图案化后形成位于所述显示部并通过所述第一平坦层过孔连接所述薄膜晶体管的辅助电极，以及形成位于所述非显示部并通过所述第一平坦层过孔连接所述第一信号线的第二信号线。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S10之前，所述方法还包括以下步骤：步骤S101，所述阵列基板上依次制备有有源层、栅绝缘层、栅极以及间绝缘层；步骤S102，对所述间绝缘层与所述栅绝缘层进行光罩制程，形成位于所述显示部且连通所述有源层的源漏极过孔，同时形成位于所述弯曲区域并贯穿部分所述无机膜层的第一中间槽；步骤S103，在所述间绝缘层上制备源漏金属层，图案化后形成位于所述显示部且电连接所述有源层的源漏极，以及形成位于所述非显示部的所述第一中间槽两侧的所述第一信号线。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：步骤S104，在所述源漏极上制备钝化层并进行图案化制程，形成对应所述源漏极与所述第一信号线的钝化层过孔，同时在对应所述第一中间槽的位置形成贯穿所述无机膜层并嵌套于所述第一中间槽中的第二中间槽，所述第二中间槽与所述第一中间槽叠加后形成所述凹槽。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层的所述图案化制程中，在所述弯曲区域还同时形成贯穿所述钝化层并嵌套所述第一中间槽的第三中间槽，所述第三中间槽、所述第二中间槽以及所述第一中间槽叠加后形成所述凹槽。5.根据权利要求2所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐品全，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42