The invention provides a fabrication method of a shallow groove isolation structure, which includes: providing a substrate; forming oxide layer, polycrystalline silicon layer, mask layer and bottom anti-reflection coating on the substrate in turn; etching the bottom anti-reflection coating, the mask layer, the polycrystalline silicon layer, the oxide layer and the substrate in turn; forming a shallow groove on the substrate for cleaning; The shallow groove is described, and the shallow groove is filled with an isolating material to form a shallow groove isolating structure. In the manufacturing method of the shallow groove isolation structure provided by the invention, after etching the shallow groove isolation, cleaning the shallow groove to remove the polymer, preventing the volatilization of the polymer from polluting other wafers that have not been etched, and preventing the generation of particles that affect the wafer etching in the subsequent steps, ultimately, improving the quality of the wafer etching.
【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构的制作方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种浅沟槽隔离结构的制作方法。
技术介绍
在集成电路加工制造过程中,晶圆(wafer)的加工工艺的质量对电路的工作性能具有决定性的影响。其中,制作浅沟槽隔离(STI)是整个集成电路加工的前端基础工艺。晶圆刻蚀浅沟槽时,共有25片晶圆放在晶舟上面,一开始晶舟是放置在非刻蚀的腔体内(VCE),然后从第一片开始一片一片的传到刻蚀腔体内进行刻蚀,刻蚀的时候使用到的气体主要是HBr或者Cl2或者CF4,这些气体容易和反应的薄膜形成聚合物粘附在晶圆上面,当晶圆刻蚀完后传回到非刻蚀的腔体内后,表面粘附的聚合物就会挥发,然后和非刻蚀的腔体内的表面铝材质发生反应,形成一些颗粒剥落下来落到最上面一层的晶圆上,导致此晶圆进行刻蚀的时候,刻蚀的量受到很大的影响导致刻蚀的质量不达标,更有可能出现无法刻蚀的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法,避免晶圆上产生颗粒,从而提升刻蚀形成的浅沟槽隔离结构的质量。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:提供一衬底;在所述衬底上依次形成多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层;依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层和所述衬底;在所述衬底上形成浅沟槽;清洗所述浅沟槽;向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。可选的,在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中,在所述衬底上沉积所述多晶硅层之前,所述浅沟槽隔离结构的制作方法还包括在所述衬底上沉积一氧化物层。可选的,在所述的浅沟槽隔离结构的制作方法中,所述清洗浅沟槽隔离使用的气 ...
【技术保护点】
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上依次形成多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层;依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层和所述衬底;在所述衬底上形成浅沟槽;清洗所述浅沟槽;向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。
【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上依次形成多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层;依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层和所述衬底;在所述衬底上形成浅沟槽;清洗所述浅沟槽;向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,在所述衬底上沉积所述多晶硅层之前,所述浅沟槽隔离结构的制作方法还包括在所述衬底上沉积一氧化物层。3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,所述清洗浅沟槽隔离使用的气体为:氧气或氢气和氮气的组合。4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈宏,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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