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本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氧化物层、多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层、所述氧化物层和所述衬底；在所述衬底上形成浅沟槽；清洗所述浅沟槽...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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