具有虚置标准单元的集成电路制造技术

本发明专利技术公开一种具有虚置标准单元的集成电路，包含：第一金属线以及第二金属线沿着一第一方向延伸；第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸；鳍状结构平行于该第一方向；栅极结构位于鳍状结构上且平行于第二方向；多组的短接触插栓与长接触插栓设置于两栅极结构，或是栅极结构与虚置栅极之间；掺质区与长接触插栓重叠；栅极接触插栓设置在栅极结构上；通孔插栓设置在长接触插栓上并与之电连接；金属层设置在通孔插栓上并与之电连接，包含第一金属线以及第二金属线。

【技术实现步骤摘要】
具有虚置标准单元的集成电路
本专利技术涉及一种具有标准单元的集成电路，特别是涉及一种具有虚置标准单元的集成电路。
技术介绍
标准单元是一组或多组的晶体管相互结构，用来提供布林逻辑功能(例如AND、OR、X0R、XNOR)或存储功能(触发器或锁存器)。随着先进制作工艺技术(例如鳍状晶体管FinFet技术)，标准单元布局的设计也有所不同。标准单元库是支持数字集成电路设计自动化流程的基础数据之一，标准单元库从前端功能模拟到后端版图实现架构出整个集成电路自动化设计流程。标准单元库包括若干个预先设计好的标准单元，包括了器件的版图图形以及面积、电路功耗、时序和驱动能力等电路性能值，标准单元具有通用的界面实现和规则结构，集成电路设计者或者综合工具根据设计要求，调用标准单元库中需要的标准单元来完成集成电路的版图布图设计。基于标准单元库的集成电路设计可以极大提高电路的设计效率。
技术实现思路
本专利技术于是提供了一种具有虚置标准单元的集成电路，可建构在标准单元库中以供设计之用。根据本专利技术的一实施例，是提供了一种具有虚置标准单元(standardfillercell)的集成电路，包含有一第一金属线以及一第二金属线、一第一虚置栅极以及一第二虚置栅极、多个鳍状结构、多个栅极结构、多组短接触插栓以及长接触插栓、一掺质区、一栅极接触插栓、多个通孔插栓以及一金属层。第一金属线、第二金属线、第一虚置栅极以及第二虚置栅极包围的区域定义为一虚置单元区。金属线以及第二金属线沿着一第一方向延伸。第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸。鳍状结构设置在虚置单元区中并行于该第一方向。栅极结构设置在虚置单元区中，位于等鳍状结构上且平行于第二方向。短接触插栓以及长接触插栓设置在该虚置单元区中，各组的短接触插栓与长接触插栓设置于两栅极结构，或是栅极结构与虚置栅极之间。掺质区设置在虚置单元区中，且与长接触插栓重叠。栅极接触插栓设置在栅极结构上。通孔插栓设置在长接触插栓上并与之电连接。金属层设置在通孔插栓上并与之电连接，第一金属层包含第一金属线以及第二金属线。根据本专利技术另一实施例，本专利技术还提供了一种具有边缘标准单元(edgestandardcell)的集成电路，包含一金属线、一第一虚置栅极以及一第二虚置栅极、一栅极结构、多个接触插栓以及多个通孔插栓。金属线、第一虚置栅极以及第二虚置栅极包围的区域定义出一虚置单元区金属线沿着一第一方向延伸。第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸。鳍状结构设置在虚置单元区中，鳍状结构平行于第一方向。栅极结构设置在虚置单元区中，位于鳍状结构上且平行于第二方向。接触插栓设置在虚置单元区中，且设置在第一虚置栅极、栅极结构与第二虚置栅极之间。通孔插栓设置在虚置单元区中，与接触插栓电连接，其中虚置单元区中的元件沿着一中心轴镜相对称。本专利技术提供了一种虚置标准单元与一边缘标准单元的实施方式，可以用在填补逻辑区中的空间，且可视整个逻辑区的元件配置状况，进行密度上的补偿，以增加整个逻辑区的均匀度。附图说明图1至图3为本专利技术一种虚置标准单元的集成电路的布局示意图；图4为本专利技术一种边缘标准单元的集成电路的布局示意图；图5为本实施例中边缘标准单元的位置示意图。主要元件符号说明300基底316A长通孔插栓302鳍状结构318第一金属线304第一虚置栅极320第二金属线305第二虚置栅极400第一方向306,306A,306B栅极结构402第二方向314接触插栓404,404A,404B,404C,虚置单元区404D314A长接触插栓406掺杂区314B短接触插栓500芯片314C虚置接触插栓502存储器区314D栅极接触插栓504逻辑区316通孔插栓具体实施方式为使本专利技术的一般技术人员可以进一步了解本专利技术，在以下的描述中会列出本专利技术的优选实施例，并配合附图，详细说明本专利技术的构成内容及希望实现的效果。请参考图1至图3，所绘示为本专利技术一种虚置标准单元(dummystandardcell)的集成电路的布局示意图，其包含有鳍状结构、虚置栅极、栅极结构、接触插栓、栅极插栓、通孔插栓与金属线等元件。为了能清楚绘示各元件之间的上下相对位置，本实施例虚置标准单元的元件共拆为三部分，由上而下分别第呈现在图1、图2与图3中。请先看图1，本专利技术的虚置标准单元是设置在一基底300上。基底300较佳具有含硅材质，例如是硅、单晶硅(singlecrystalsilicon)、单晶硅锗(singlecrystalsilicongermanium)、非晶硅(amorphoussilicon)或是上述的组合。在另一实施例中，基底300也可以包含其他半导体材质，例如是锗或III/V族的复合半导体材料，如锗砷等。在另一实施例中，基底300也可以包含其他介电材料，例如是硅覆绝缘基底(silicononinsulator,SOI)。基底300上具有一虚置单元区404A，在本实施例中其形状为矩型，其两组平行边分别平行于一第一方向400与一第二方向402。虚置单元区400中具有一掺杂区406位于虚置单元区404A其中一侧。如图1所示，本实施例虚置标准单元还具有多个鳍状结构302设置在基底300上，其沿着第一方向400延伸，并以相同间距设置在虚置单元区404中。本实施例的鳍状结构302有6根，但其数目可视虚置单元区404的大小而进行调整，用于改变虚置单元区404的长度(指虚置单元区404在第二方向402上的边长)。位于掺杂区406中的鳍状结构302可以具有适当中掺质，在一实施例中，此掺质为P型掺质如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等，在另一实施例中，此掺质为N型掺质如磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等，但并不以此为限。鳍状结构302上设置有一第一虚置栅极304、一第二虚置栅极305以及多个栅极结构306，三者都沿着第二方向402延伸，其中第一虚置栅极304、第二虚置插栓305对应设置在虚置单元区404的左右两边，栅极结构306设置在第一虚置栅极304、第二虚置插栓305中间。在一实施例中，位于中央的栅极结构306为3个，但其数目可视虚置单元区404的大小而进行调整，用于改变虚置单元区404的宽度(指虚置单元区404整体在第一方向上400的边长)。第一虚置栅极304、第二虚置栅极305与栅极结构306可以通过同一道制作工艺形成，例如是传统多晶硅制作工艺，或是较先进的金属栅极制作工艺，而其剖面可包含栅极介电层(图未示)与金属层(图未示)。请参考图2，在鳍状结构302、第一虚置栅极304、第二虚置栅极305与栅极结构306上设置有多个接触插栓(contactplug)314，以对外形成电连接通路。这些接触插栓314包含：四个长接触插栓314A、四个短接触插栓314B、四个虚置接触插栓314C与一个栅极接触插栓316D。请同时参考图1与图2，每两个第一虚置栅极304、栅极结构306或第二虚置栅极305之间都具有一个长接触插栓314A、一个短接触插栓314B与一个虚置接触插栓314C，三者位于第一方向400上的投影完全相同(也就是位于同一行上)，而若从第二方向402来看，长接触插栓314A位于虚置单元区404的一侧，其跨越掺杂区406并进一步向上延伸至虚置单元区404外；短接触插栓314B与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有虚置标准单元(standard filler cell)的集成电路，包含：第一金属线以及第二金属线，两者沿着一第一方向延伸；第一虚置栅极以及第二虚置栅极，沿着一第二方向延伸，其中该第一金属线、该第二金属线、该第一虚置栅极以及该第二虚置栅极包围的区域定义为一虚置单元区；多个鳍状结构，设置在该虚置单元区中，该多个鳍状结构平行于该第一方向；多个栅极结构，设置在该虚置单元区中，位于该第一虚置栅极与该第二虚置栅极之间且平行于该第二方向；多个短接触插栓以及多个长接触插栓，设置在该虚置单元区中，该多个短接触插栓与该多个长接触插栓设置于该两栅极结构，或是该栅极结构与该第一虚置栅极或该第二虚置栅极之间；掺质区，设置在该虚置单元区中，且与该多个长接触插栓部分重叠；栅极接触插栓，设置在该多个栅极结构上；多个通孔插栓，设置在该多个长接触插栓上并与之电连接；以及金属层，设置在该多个通孔插栓上并与之电连接，该第一金属层包含该第一金属线以及该第二金属线。

【技术特征摘要】
1.一种具有虚置标准单元(standardfillercell)的集成电路，包含：第一金属线以及第二金属线，两者沿着一第一方向延伸；第一虚置栅极以及第二虚置栅极，沿着一第二方向延伸，其中该第一金属线、该第二金属线、该第一虚置栅极以及该第二虚置栅极包围的区域定义为一虚置单元区；多个鳍状结构，设置在该虚置单元区中，该多个鳍状结构平行于该第一方向；多个栅极结构，设置在该虚置单元区中，位于该第一虚置栅极与该第二虚置栅极之间且平行于该第二方向；多个短接触插栓以及多个长接触插栓，设置在该虚置单元区中，该多个短接触插栓与该多个长接触插栓设置于该两栅极结构，或是该栅极结构与该第一虚置栅极或该第二虚置栅极之间；掺质区，设置在该虚置单元区中，且与该多个长接触插栓部分重叠；栅极接触插栓，设置在该多个栅极结构上；多个通孔插栓，设置在该多个长接触插栓上并与之电连接；以及金属层，设置在该多个通孔插栓上并与之电连接，该第一金属层包含该第一金属线以及该第二金属线。2.如权利要求1所述的集成电路，其中该虚置单元区中具有与该第二方向平行的一中心轴，该虚置单元区中的元件沿着该中心轴呈现镜相对称。3.如权利要求1所述的集成电路，还包含第二虚置单元区，设置于该虚置单元区旁并与该虚置单元区直接接触。4.如权利要求3所述的集成电路，其中该第二虚置单元区中的元件与该第一虚置单元区中的元件为旋转对称。5.如权利要求4所述的集成电路，其中该第二虚置区中的元件与该第一虚置单元中的元件是180度的旋转对称。6.如权利要求1所述的集成电路，还包含第三虚置单元区，其中该第三虚置单元区的元件与该虚置单元区的元件配置完全相同，且该第一虚置单元与该第三虚置单元没有直接接触。7.如权利要求1所述的集成电路，其中该多个长接触插栓还进一步延伸至该虚置单元区外。8.如权利要求1所述的集成电路，其中部分的该多个栅极结构包含两个不相连的调整栅极结构。9.如权利要求1所述的集成电路，还包含调整掺质区，设置在该虚置单元区中，且在该第一方向上的投影与该掺质区部分重叠。10.如权利要求9所述的集成电路，其中该重叠的比例为1/2。11.如权利要求1所述的集成电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许振贤，陈建孚，蔡承洋，王伟任，林肇尉，黄智宏，顾政宗，杨进盛，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71