QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成，或所述空穴注入层中含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。

【技术实现步骤摘要】
QLED器件及其制备方法
本专利技术属于QLED领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点由于光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，导致现有的空穴传输层与量子点发光层之间仍存在较大的空穴注入势垒，导致阳极到发光层的空穴注入较为困难，并且空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，引起QLED发光层中的载流子注入不平衡，从而严重限制了QLED器件的性能。目前，过渡金属氧化钼被广泛用于电致发光器件的空穴注入层，但是其分散性还不够好，空穴注入能力和迁移率还不能完全满足要求，因此如何优化其性能，提高其在QLED器件中的空穴注入能力和迁移率，有效平衡发光层中的载流子，对于提高QLED器件的光学性能尤为关键，也是目前研究的一个重点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有过渡金属氧化钼作为空穴注入层时分散性差、影响QLED器件光学性能的问题。本专利技术是这样实现的，一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。以及，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阳极基板，在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料；在所述空穴注入层上依次沉积量子点发光层和阴极；或提供阴极基板，在所述阴极上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，在所述空穴注入层上制备阳极，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料。本专利技术提供的QLED器件，所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料。其中，PANI不仅单体易得，且具有结构多样化、环境稳定性好，是一种优异的导电聚合物，PANI的添加不会降低QLED器件的导电性能。在此基础上，进一步的，由于所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺(PANI)包覆的一维MoOx纳米材料，具有较好的分散性，同时，MoOx/PANI纳米复合材料中的PANI对MoOx具有限域作用，因此，可以防止MoOx发生团聚的同时，为空穴提供传输通道，从而实现空穴的快速迁移。此外，所述MoOx/PANI纳米复合材料中MoOx作为PANI的支撑，可以提高材料的结构稳定性。因此，所述MoOx/PANI复合材料既可以掺入其他空穴注入材料中制备空穴注入层，也可以单独作为空穴注入层，有利于提高电致发光器件的空穴注入能力和空穴迁移率，从而有效平衡发光层中的载流子，提高QLED器件的光学性能。本专利技术提供的QLED器件的制备方法，在常规的QLED器件的制备方法基础上，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料，所述空穴注入层采用溶液加工法制备，方法简单易控，且具有较好的成膜均匀性。由此制备的QLED器件，具有较好的光学性能。附图说明图1是本专利技术实施例提供的QLED器件的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的QLED器件的优选结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。结合图1、图2，本专利技术实施例提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极1、空穴注入层2、量子点发光层4和阴极6，且所述空穴注入层2含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料，如图1所示。本专利技术实施例提供的QLED器件，所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料。其中，PANI不仅单体易得，且具有结构多样化、环境稳定性好，是一种优异的导电聚合物，PANI的添加不会降低QLED器件的导电性能。在此基础上，进一步的，由于所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺(PANI)包覆的一维MoOx纳米材料，具有较好的分散性，同时，MoOx/PANI纳米复合材料中的PANI对MoOx具有限域作用，因此，可以防止MoOx发生团聚的同时，为空穴提供传输通道，从而实现空穴的快速迁移。此外，所述MoOx/PANI纳米复合材料中MoOx作为PANI的支撑，可以提高材料的结构稳定性。因此，所述MoOx/PANI复合材料既可以掺入其他空穴注入材料中制备空穴注入层，也可以单独作为空穴注入层，有利于提高电致发光器件的空穴注入能力和空穴迁移率，从而有效平衡发光层中的载流子，提高QLED器件的光学性能。具体的，作为一种实施情形，所述空穴注入层2由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成，即MoOx/PANI纳米复合材料掺杂在其他空穴注入材料中制备空穴注入层2。所述其他空穴注入材料，是指MoOx/PANI纳米复合材料以外的常见的空穴注入材料，包括但不限于PEDOT:PSS，且所述其他空穴注入材料的种类选择和数量没有严格的限制，可以选择一种其他空穴注入材料，也可以采用多种其他空穴注入材料。当空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成时，MoOx/PANI纳米复合材料的含量没有严格限制，原则上掺杂比例越高，空穴注入材料的分散性能越好，且空穴注入能力和空穴迁移率越高，越有利于提高QLED器件的光学性能。作为另一种实施情形，所述空穴注入层2由MoOx/PANI纳米复合材料制成。此时，MoOx/PANI纳米复合材料作为空穴注入层2的唯一材料，充分发挥其性能，使其空穴注入能力和空穴迁移率发挥到极致，赋予QLED器件优异的光学性能。上述实施情形中，所述空穴注入层2的厚度为10-100nm。若所述空穴注入层2的厚度过低，则其空穴注入性能较差，即便采用MoOx/PANI纳米复合材料作为空穴注入层的唯一材料，也难以有效提高空穴注入性能；若所述空穴注入层2的厚度过厚，则带来的电阻较大，也不利于均衡QLED器件的性能。优选的，所述QLED器件还包括空穴传输层3、电子传输层5、电子注入层(图中未标出)中的至少一层，但不限于此。作为一个具体优选实施例，所述QLED器件包括依次设置的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。作为一个具体优选实施例，所述QLED器件包括依次设置的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。本专利技术实施例中，阳极1可为ITO阳极，但不限于此。空穴传输层3可以采用常规的空穴传输材料制成，包括但不限于PVK、Poly-TPD中的至少一种。空穴传输层3的厚度优选为1-100nm。量子点发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成。3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成。4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10-100nm。5.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，还包括空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阳极基板，在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料；在所述空穴注入层上依次沉积量子点发光层和阴极；或提供阴极基板，在所述阴极上沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44