显示基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对有源层材质层和层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。本申请解决了显示基板的制造过程复杂，制造成本较高的问题，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。本申请用于LTPO基板的制造。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法、显示装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
低温多晶氧化物(英文：Lowtemperaturepolycrystallineoxide；简称：LTPO)基板是一种新型的显示基板，其具有低温多晶硅(英文：LowTemperaturePoly-silicon；简称：LTPS)基板和氧化物(英文：Oxide)基板的优点，是未来显示基板的主要发展方向。其中，LTPS基板指的是显示单元中的薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)为LTPSTFT的显示基板，氧化物基板指的是显示单元中的TFT为氧化物TFT的显示基板，LTPO基板指的每个显示单元中包括LTPSTFT和氧化物TFT的显示基板，显示单元也称为子像素。相关技术中，LTPO基板包括衬底基板，以及，设置在衬底基板上的聚酰亚胺层、阻挡层、第一缓冲层、多晶硅有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第一层间介质层、第二缓冲层、氧化物有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第二层间介质层、源漏极连接线、第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层。在制造该LTPO基板的过程中，多晶硅有源层、第一栅极、第一层间介质层、氧化物有源层、第二栅极、第二层间介质层、源漏极连接线、第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层、阳极和像素定义层这14个膜层的制造均需要通过一次构图工艺处理。在实现本申请的过程中，专利技术人发现相关技术至少存在以下问题：由于多晶硅有源层、第一栅极、第一层间介质层、氧化物有源层、第二栅极、第二层间介质层、源漏极连接线、第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层、第二平坦层、阳极和像素定义层这14个膜层的制造均需要通过一次构图工艺处理，因此LTPO基板的制造过程至少需要14次构图工艺，该LTPO基板的制造过程复杂，制造成本较高。
技术实现思路
本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以简化显示基板的制造过程，降低制造成本。本申请的技术方案如下：第一方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。可选地，所述第二栅绝缘层的形状与所述第二栅极的形状相同，所述第二有源层、所述第二栅绝缘层和所述第二栅极依次叠加，所述第二层间介质层覆盖所述第二栅绝缘层、所述第二栅极和所述第二有源层的上表面的部分区域，所述第二有源层的上表面中未被所述第二层间介质层覆盖的区域为用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面。可选地，所述通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层，包括：在所述层间介质材质层上形成光刻胶层；对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影和刻蚀，得到依次叠加的初始层间介质层和光刻胶图形，所述初始层间介质层的形状与所述光刻胶图形的形状相同；对所述有源层材质层上，未被所述初始层间介质层覆盖的区域进行刻蚀，得到所述第二有源层；对所述光刻胶图形进行灰化，露出所述初始层间介质层的待刻蚀区域；对所述初始层间介质层的待刻蚀区域进行刻蚀，得到第二层间介质层，露出所述第二有源层上用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面；剥离剩余的光刻胶。可选地，在通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层之后，所述方法还包括：通过一次构图工艺在所述第一层间介质层上和所述第一栅绝缘层上分别形成多个第一过孔，所述第一层间介质层上的多个第一过孔与所述第一栅绝缘层上的多个第一过孔一一对应连通；在形成有所述第二层间介质层的衬底基板上依次形成第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层和第二平坦层；其中，所述显示基板具有多个显示单元，在每个显示单元中，所述第一源漏极层包括两个第一源极和一个第一漏极，所述第二源漏极层包括第二源极和第二漏极，所述两个第一源极中的一个第一源极和所述第一漏极的一端分别搭接在所述第二有源层的台阶结构上，所述两个第一源极中的另一个第一源极和所述第一漏极的另一端分别通过一组所述第一过孔与所述第一有源层连接，每组所述第一过孔包括所述第二缓冲层上和所述第一层间介质层上连通的两个第一过孔，所述钝化层上和所述第一平坦层上分别形成有多个第二过孔，所述钝化层上的多个第二过孔与所述第一平坦层上的多个第二过孔一一对应连通，所述第二源极通过一组所述第二过孔与所述另一个第一源极连接，所述第二漏极通过一组所述第二过孔与所述第一漏极连接，每组所述第二过孔包括所述第一平坦层上和所述钝化层上连通的两个第二过孔。可选地，在形成有所述第二层间介质层的衬底基板上依次形成第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层和第二平坦层之后，所述方法还包括：在形成有所述第二平坦层的衬底基板上依次形成阳极、像素界定层和隔垫物层，所述第二平坦层上形成有第三过孔，所述阳极通过所述第三过孔与所述第二漏极连接。可选地，在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层之前，所述方法还包括：在衬底基板上依次形成柔性基底层、阻挡层和第一缓冲层；所述衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层，包括：在形成有所述第一缓冲层的衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层。可选地，在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层之前，所述方法还包括：在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上形成第二缓冲层；所述在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层，包括：在形成有所述第二缓冲层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；所述通过一次构图工艺在所述第一层间介质层上和所述第一栅绝缘层上分别形成多个第一过孔，所述第一层间介质层上的多个第一过孔与所述第一栅绝缘层上的多个第一过孔一一对应连通，包括：通过一次构图工艺在所述第二缓冲层上、所述第一层间介质层上和所述第一栅绝缘层上分别形成多个第一过孔，所述第二缓冲层上的多个第一过孔、所述第一层间介质层上的多个第一过孔以及所述第一栅绝缘层上的多个第一过孔一一对应连通；其中，所述另一个第一源极和所述第一漏极的另一端分别通过一组所述第一过孔与所述第一有源层连接，每组所述第一过孔包括所述第二缓冲层上、所述第一层间介质层上和所述第一栅绝缘层上连通的三个第一过孔。可选地，所述第一有源层为多晶硅有源层，所述第二有源层为氧化物有源层，所述方法还包括：在形成有所述第一栅绝缘层的衬底基板上形成遮光层，所述遮光层与所述第一栅极同层设置且通过同一次构图工艺形成，所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。第二方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极和第一层间介质层；在形成有所述第一层间介质层的衬底基板上依次形成有源层材质层、第二栅绝缘层、第二栅极和层间介质材质层；通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层的形状与所述第二栅极的形状相同，所述第二有源层、所述第二栅绝缘层和所述第二栅极依次叠加，所述第二层间介质层覆盖所述第二栅绝缘层、所述第二栅极和所述第二有源层的上表面的部分区域，所述第二有源层的上表面中未被所述第二层间介质层覆盖的区域为用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层，包括：在所述层间介质材质层上形成光刻胶层；对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影和刻蚀，得到依次叠加的初始层间介质层和光刻胶图形，所述初始层间介质层的形状与所述光刻胶图形的形状相同；对所述有源层材质层上，未被所述初始层间介质层覆盖的区域进行刻蚀，得到所述第二有源层；对所述光刻胶图形进行灰化，露出所述初始层间介质层的待刻蚀区域；对所述初始层间介质层的待刻蚀区域进行刻蚀，得到第二层间介质层，露出所述第二有源层上用于与待形成的第一源极和第一漏极搭接的台阶结构的台阶面；剥离剩余的光刻胶。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过一次构图工艺对所述有源层材质层和所述层间介质材质层进行处理，得到第二有源层和第二层间介质层之后，所述方法还包括：通过一次构图工艺在所述第一层间介质层上和所述第一栅绝缘层上分别形成多个第一过孔，所述第一层间介质层上的多个第一过孔与所述第一栅绝缘层上的多个第一过孔一一对应连通；在形成有所述第二层间介质层的衬底基板上依次形成第一源漏极层、钝化层、第一平坦层、第二源漏极层和第二平坦层；其中，所述显示基板具有多个显示单元，在每个显示单元中，所述第一源漏极层包括两个第一源极和一个第一漏极，所述第二源漏极层包括第二源极和第二漏极，所述两个第一源极中的一个第一源极和所述第一漏极的一端分别搭接在所述第二有源层的台阶结构上，所述两个第一源极中的另一个第一源极和所述第一漏极的另一端分别通过一组所述第一过孔与所述第一有源层连接，每组所述第一过孔包括所述第二缓冲层上和所述第一层间介质层上连通的两个第一过孔，所述钝化层上和所述第一平坦层上分别形成有多个第二过孔，所述钝化层上的多个第二过孔与所述第一平坦层上的多个第二过孔一一对应连通，所述第二源极通过一组所述第二过孔与所述另一个第一源极连接，所述第二漏极通过一组所述第二过孔与所述第一漏极连接，每组所述第二过孔包括所述第一平坦层上和所述钝化层上连通的两个第二过孔。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成有所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周天民，王利忠，杨维，黄睿，卢鑫泓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11