过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术实施例公开了一种过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板，该过孔的制作方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成至少两个导电层和至少一个绝缘层，所述导电层和所述绝缘层交替层叠于所述衬底基板上；令所述至少两个导电层和所述至少一个绝缘层中与所述衬底基板之间的距离最大的膜层为第一膜层，利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接。本发明专利技术提供的过孔的制作方法可以实现在将多个导电层电气连接时，简化过孔制作过程，降低制作成本的目的。

Fabrication Method of Through Hole, Array Substrate and Array Substrate

The embodiment of the present invention discloses a method for making a hole, a method for making an array substrate and an array substrate. The method for making the hole includes: providing a substrate substrate; forming at least two conductive layers and at least one insulating layer on the substrate, the conductive layer and the insulating layer alternately overlapping on the substrate; and making the at least two conductive layers and the to. The first film layer is the one with the greatest distance between the less insulating layer and the substrate substrate. The conductive layer and the insulating layer are welded from the side of the first film layer departing from the substrate substrate substrate by pulsed laser to form a through hole through which the conductive layer is electrically connected. The manufacturing method of the through hole provided by the invention can simplify the manufacturing process of the through hole and reduce the manufacturing cost when the multiple conductive layers are electrically connected.

【技术实现步骤摘要】
过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板
本专利技术实施例涉及半导体制作技术，尤其涉及一种过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，具有显示面板的电子设备(如手机、电脑、电视以及可穿戴设备等)成为人们生活必不可少的一部分。目前，显示面板在制作的过程中利用黄光工艺来实现不同导电层之间的电连接。具体地，在衬底基板上顺次形成层叠设置的第一导电层、第一绝缘层以及第二导电层。为了保证第一导电层与第二导电层的电气连接，通常需要在第一绝缘层之上进行刻蚀形成过孔，然后再沉积第二导电层。如果显示面板中多个导电层需要电气连接，例如在衬底基板上顺次形成层叠设置的第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层以及第三导电层，需要在每一个绝缘层上分别进行刻蚀形成过孔，才能保证所有的导电层电连接。每一次过孔的制作都需要采用标准的黄光制程，制作工艺繁杂且成本较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板，以实现在将多个导电层电气连接时，简化过孔制作过程，降低制作成本的目的。第一方面，本专利技术实施例提供了一种过孔的制作方法，该过孔的制作方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成至少两个导电层和至少一个绝缘层，所述导电层和所述绝缘层交替层叠于所述衬底基板上；令所述至少两个导电层和所述至少一个绝缘层中与所述衬底基板之间的距离最大的膜层为第一膜层，利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接。进一步地，所述第一膜层为导电层。进一步地，所述第一膜层的形状为网格结构。进一步地，所述利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接，包括，提供掩膜版，所述掩膜版包括至少一个透光区和围绕所述透光区的非透光区；将所述掩膜版置于所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧；利用脉冲激光从所述掩膜版背离所述第一膜层的一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接。进一步地，所述脉冲激光的光斑直径大于所述掩膜版上与其对应的透光区的直径；所述利用脉冲激光从所述掩膜版背离所述第一膜层的一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接之前，还包括：调整所述脉冲激光与所述掩膜版的相对位置，使得所述脉冲激光光斑的轴线与所述掩膜版上与其对应的透光区的轴线重合。进一步地，所述第一膜层包括过孔预设区；所述过孔预设区的直径等于所述掩膜版上与其对应的透光区的直径；所述利用脉冲激光从所述掩膜版背离所述第一膜层的一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接之前，还包括：调整所述脉冲激光与所述第一膜层的相对位置，使得所述脉冲激光光斑的轴线与所述第一膜层过孔预设区的轴线重合。进一步地，所述脉冲激光的脉宽的量级为ns，ps或fs。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法，包括本专利技术实施例提供的任意一种所述的过孔的制作方法。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板由本专利技术实施例提供的任意一种所述的过孔的制作方法制作形成，所述阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的至少两个导电层和至少一个绝缘层，所述导电层和所述绝缘层交替层叠于所述衬底基板上；令所述至少两个导电层和至少一个绝缘层中与所述衬底基板之间的距离最大的膜层为第一膜层，所述第一膜层的形状为网格状。本专利技术实施例通过利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接，解决现有的显示面板在制作的过程中，当需要将多个导电层电气连接时，需要利用黄光工艺在每一个绝缘层上分别进行刻蚀形成过孔，才能保证所有的导电层连接，其制作工艺繁杂且成本较高的问题，实现在将多个导电层电气连接时，简化过孔制作过程，降低制作成本的效果。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种过孔的制作方法的流程图；图2-图3为利用本专利技术实施例一提供的一种过孔的制作方法制作形成过孔的过程中半导体器件的结构示意图；图4为本专利技术实施例一提供的一种第一膜层的结构示意图；图5为本专利技术实施例二提供的一种过孔的制作方法的流程图；图6为利用本专利技术实施例二提供的一种过孔的制作方法制作形成过孔的过程中导体器件的结构示意图；图7为本专利技术实施例四提供的一种阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种过孔的制作方法的流程图。图2-图3为利用本专利技术实施例一提供的一种过孔的制作方法制作形成过孔的过程中导体器件的结构示意图。下面结合图1和图2，对该过孔的制作方法进行详细说明。参见图1，该过孔的制作方法包括：S110、提供衬底基板。参见图2，提供衬底基板10。S120、在衬底基板上形成至少两个导电层和至少一个绝缘层，导电层和绝缘层交替层叠于衬底基板上。参见图2，在衬底基板10上形成至少两个导电层30和至少一个绝缘层20，导电层30和绝缘层20交替层叠于衬底基板10上。示例性地，在图2中，在衬底基板10上形成有两个导电层30(分别为导电层30-1和导电层30-2)，和一个绝缘层20，这仅是本申请的一个具体示例，而非对本申请的限制。在实际设置时，还可以设置在衬底基板上形成有三个导电层(分别为第一导电层、第二导电层和第三导电层)和两个绝缘层(分别为第一绝缘层和第二绝缘层)，这三个导电层和两个绝缘层按照第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层以及第三导电层的顺序依次层叠于衬底基板上。进一步地，导电层30可以为单层膜结构，也可以为由多个膜层叠层设置形成的多层膜结构。若导电层30为多层膜结构，构成各膜层的材料可以相同，也可以不同。可选地，构成导电层30任意膜层的材料可以包括导电透明氧化物或金属。若构成导电层30任意膜层的材料为导电透明氧化物，其具体可以为ITO、IZO或AZO等。若构成导电层30任意膜层的材料为金属，其具体可以为Al、Mo、Cu、Ti、Au或Ag等。可选地，各层厚度的取值范围可以为5nm～500nm。类似地，绝缘层20可以为单层膜结构，也可以为由多个膜层叠层设置形成的多层膜结构。若绝缘层20为多层膜结构，构成各膜层的材料可以相同，也可以不同。可选地，构成绝缘层20任意膜层的材料可以包括无机物或有机层。若构成绝缘层20任意膜层的材料为无机物，其具体可以为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化钽或氧化锆等。无机层可以采用等离子体化学气相沉积(PECVD)，阳极氧化，原子层沉积或物理气相沉积的方式形成。若构成绝缘层20任意膜层的材料为有机物，其具体可以为聚酰亚胺、光刻胶、苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯等。有机层可以采用溶液法制作形成。可选地，绝缘层20厚度的取值范围可以为5nm～5000nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过孔的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成至少两个导电层和至少一个绝缘层，所述导电层和所述绝缘层交替层叠于所述衬底基板上；令所述至少两个导电层和所述至少一个绝缘层中与所述衬底基板之间的距离最大的膜层为第一膜层，利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接。

【技术特征摘要】
1.一种过孔的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成至少两个导电层和至少一个绝缘层，所述导电层和所述绝缘层交替层叠于所述衬底基板上；令所述至少两个导电层和所述至少一个绝缘层中与所述衬底基板之间的距离最大的膜层为第一膜层，利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接。2.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述第一膜层为导电层。3.根据权利要求2所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述第一膜层的形状为网格结构。4.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接，包括，提供掩膜版，所述掩膜版包括至少一个透光区和围绕所述透光区的非透光区；将所述掩膜版置于所述第一膜层背离所述衬底基板的一侧；利用脉冲激光从所述掩膜版背离所述第一膜层的一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔，各所述导电层通过所述过孔电连接。5.根据权利要求4所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述脉冲激光的光斑直径大于所述掩膜版上与其对应的透光区的直径；所述利用脉冲激光从所述掩膜版背离...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，周雷，彭俊彪，王磊，邹建华，陶洪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44