发光二极管封装件及其制造方法技术

这里公开了一种发光二极管封装件及其制造方法。根据本发明专利技术的又一示例性实施例，提供了一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：壳体；至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；第一磷光体，被构造为被至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；第二磷光体，被构造为被至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，其中，通过从发光二极管芯片、第一磷光体和第二磷光体发射的光的合成来形成白光，第二磷光体是化学式为A2MF6:Mn

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装件及其制造方法本申请是申请日为2015年8月18日、申请号为201510509309.8的专利技术专利申请“发光二极管封装件及其制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及发光二极管封装件及其制造方法，更具体地，涉及包括磷光体的发光二极管封装件及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)封装件指的是通过将少数载流子(电子或空穴)复合成具有半导体的p-n结结构的化合物半导体来发射预定光的装置。发光二极管封装件可以具有低的功耗和长的使用寿命，并且可以以小尺寸来制造。发光二极管封装件可以利用为波长转换工具的磷光体来实现白光。即，将磷光体设置在发光二极管芯片上，以使发光二极管芯片的一次光的一部分和波长被磷光体转换的二次光混合，从而实现白光。具有所述结构的白色发光二极管封装件廉价且在原理和结构上简单。因此，已普遍使用白色发光二极管封装件。具体地，可以将吸收蓝光中的一部分作为激发光以发射黄绿光或者黄光的磷光体涂覆在蓝色发光二极管芯片上，以获得白光。第10-2004-0032456号韩国专利特许公开披露了一种发光二极管，其中，使用蓝光中的一部分作为激发源以发射黄绿光或者黄光的磷光体被涂覆在蓝色发光二极管芯片上，以根据发光二极管的蓝光发射和磷光体的黄绿光发射或者黄光发射来发射白光。然而，基于上述方案的白色发光二极管封装件使用黄色磷光体的光发射，从而由于发射的光的绿色区域和红色区域的光谱缺乏而具有低的显色性。具体地，当白色发光二极管封装件用作背光单元时，由于在光透射过滤色器之后的低色纯度而难以实现接近自然色的颜色。为解决上述问题，通过使用蓝色发光二极管芯片以及利用蓝光作为激发光发射绿光和红光的磷光体来制造发光二极管。即，能够通过将蓝色光与被蓝光激发并发射的绿光和红光混合来实现具有高显色性的白光。当白色发光二极管用作背光单元时，白色发光二极管与滤色器的一致性非常高，从而白色发光二极管可以实现接近自然色的图像。然而，由磷光体的激发而发射的光具有比发光二极管芯片的半峰全宽宽的半峰全宽。此外，第10-0961324号韩国专利披露了一种氮化物磷光体、一种制造氮化物磷光体的方法以及一种发光装置。回顾包括氮化物磷光体的发光装置的发光光谱，可以理解的是，氮化物磷光体在红色区域中具有宽的半峰全宽。具有宽的半峰全宽的光已降低了颜色重现，从而在显示器中难以实现期望的色坐标。因此，为了实现具有更高的颜色重现的白光，需要使用具有更窄的半峰全宽的磷光体。为此，使用氟化物基磷光体作为具有窄的半峰全宽的发射红光的磷光体。然而，氟化物基磷光体易受湿气的侵害并具有减小的热稳定性，从而存在可靠性方面的问题。为了将包括这种磷光体的发光二极管封装件应用到各种产品，需要确保高的可靠性。发光二极管封装件的可靠性最终影响着发光二极管封装件所应用到的产品的可靠性。因此，需要开发包括具有高可靠性同时具有窄的半峰全宽的磷光体的发光二极管封装件。[相关技术文件][专利文件](专利文件1)第10-2004-0032456号韩国专利特许公开(专利文件2)第10-0961324号韩国专利
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种具有增强的可靠性的发光二级管封装件及其制造方法。本专利技术的另一目的在于提供一种包括对湿气和热的耐受性稳定的磷光体的发光二极管封装件及其制造方法。根据本专利技术的又一示例性实施例，提供了一种发光二极管封装件，其包括：壳体；至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；第一磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；第二磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，其中，白光是通过从发光二极管芯片、第一磷光体和第二磷光体发射的光的合成来形成的，第二磷光体是具有A2MF6:Mn4+的化学式的磷光体，A是Li、Na、K、Rb、Ce和NH4中的一种，M是Si、Ti、Nb和Ta中的一种，第二磷光体的Mn4+具有关于M的0.02倍至0.035倍的摩尔数的范围。在所述摩尔数的范围内，白光可以具有形成存在于CIE色度图上的区域中的点的x色坐标和y色坐标，x色坐标可以是0.25至0.32且y色坐标可以是0.22至0.32。在所述摩尔数的范围内，白光的光通量的变化率可以是大约5％。绿光的峰值波长的大小可以是关于红光的20％至35％。第一磷光体可以是BAM基磷光体和量子点磷光体中的至少一种。第一磷光体的绿光的峰值波长可以在从520nm至570nm的范围，第二磷光体的红光的峰值波长可以从在610nm至650nm的范围。所述至少一个发光二极管芯片可以包括蓝发光二极管芯片和紫外发光二极管芯片中的至少一种。白光可以具有等于或大于85％的国家电视制式委员会(NTSC)色饱和度。从第二磷光体发射的红光可以具有等于或少于15nm的半峰全宽(FWHM)。根据本专利技术的示例性实施例，提供了一种发光二极管封装件，其包括：壳体；至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；第一磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；第二磷光体和第三磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，其中，第二磷光体是具有A2MF6:Mn4+的化学式的磷光体，A是Li、Na、K、Ba、Rb、Cs、Mg、Ca、Se和Zn中的一种，M是Ti、Si、Zr、Sn和Ge中的一种，第三磷光体是氮化物基磷光体，第二磷光体的红光和第三磷光体的红光具有不同的峰值波长，第三磷光体具有相对于第二磷光体的0.1wt％至10wt％的质量范围。第一磷光体的绿光的峰值波长可以在从500nm至570nm的范围，第二磷光体的红光的峰值波长可以在从610nm至650nm的范围，第三磷光体的红光的峰值波长可以在从600nm至670nm的范围。第三磷光体包括由化学式MSiN2、MSiON2和M2Si5N8表示的磷光体中的至少一种，M可以是Ca、Sr、Ba、Zn、Mg和Eu中的一种。同时，第二磷光体可以具有比第三磷光体的半峰全宽小的半峰全宽。第一磷光体可以包括从由Ba-Al-Mg(BAM)基磷光体、量子点磷光体、硅酸盐基磷光体、β-SiAlON基磷光体、石榴石基磷光体和LSN基磷光体构成的组中选择的至少一种。所述至少一种发光二极管芯片可以包括蓝色发光二极管芯片和紫外发光二极管芯片中的至少一种。白光可以通过从发光二极管芯片、第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体发射的光的合成来形成，白光可以具有等于或大于85％的国家电视制式委员会(NTSC)色饱和度。在所述质量范围内，白光可以具有形成存在于CIE色度图上的区域中的点的x色坐标和y色坐标，x色坐标可以为0.25至0.32且y色坐标可以为0.22至0.32。当壳体的高度为0.6T时，第一磷光体至第三磷光体可以具有被大小为40μm至60μm的网格筛选的尺寸，当壳体的高度为0.4T时，第一磷光体至第三磷光体可以具有被大小为15μm至40μm的网格筛选的尺寸。根据本专利技术的示例性实施例，能够提供一种发光二级管封装件，所述必将二极管封装件包括发射半峰全宽窄的光的磷光体，以改善发光二极管封装件的颜色重现。此外，能够防止在高温和/或高湿度环境下降低磷光体的发光特性等的劣化现象，从而改善发光二极管封装件的整体可靠性。根据本专利技术的示例性实施例，可以增强包括在发光二级管封装件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：壳体；至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；第一磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；第二磷光体和第三磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，其中，第二磷光体是化学式为A2MF6:Mn4+的磷光体，A是Li、Na、K、Ba、Rb、Cs、Mg、Ca、Se和Zn中的一种，M是Ti、Si、Zr、Sn和Ge中的一种，第三磷光体是氮化物基磷光体，第二磷光体的红光和第三磷光体的红光具有不同的峰值波长，白光是通过从所述至少一个发光二极管芯片、第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体发射的光的合成来形成的，白光具有等于或大于85％的国家电视制式委员会色饱和度,第二磷光体具有小于第三磷光体的半峰全宽的半峰全宽，在摩尔数的范围内，白光的x色坐标和y色坐标形成存在于CIE色度图上的区域中的点，x色坐标为0.25至0.32且y色坐标为0.22至0.32，其中，第一磷光体的绿光的峰值波长在从500nm至570nm的范围，第二磷光体的红光的峰值波长在从610nm至650nm的范围，并且第三磷光体的红光的峰值波长在从600nm至670nm的范围。...

【技术特征摘要】
2014.08.18 KR 10-2014-0106769;2014.08.27 KR 10-2011.一种发光二极管封装件，所述发光二极管封装件包括：壳体；至少一个发光二极管芯片，被构造为设置在壳体中；第一磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光；第二磷光体和第三磷光体，被构造为被所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光，其中，第二磷光体是化学式为A2MF6:Mn4+的磷光体，A是Li、Na、K、Ba、Rb、Cs、Mg、Ca、Se和Zn中的一种，M是Ti、Si、Zr、Sn和Ge中的一种，第三磷光体是氮化物基磷光体，第二磷光体的红光和第三磷光体的红光具有不同的峰值波长，白光是通过从所述至少一个发光二极管芯片、第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体发射的光的合成来形成的，白光具有等于或大于85％的国家电视制式委员会色饱和度,第二磷光体具有小于第三磷光体的半峰全宽的半峰全宽，在摩尔数的范围内，白光的x色坐标和y色坐标形成存在于CIE色度图上的区域中的点，x色坐标为0.25至0.32且y色坐标为0.22至0.32，其中，第一磷光体的绿光的峰值波长在从500nm至570nm的范围，第二磷光体的红光的峰值波长在从610nm至650nm的范围，并且第三磷光体的红光的峰值波长在从600nm至670nm的范围。2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，壳体包括与底表面相对的顶表面，所述壳体的顶表面包括下部分、上部分和位于下部分和上部分之间的中间部分。3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管封装件还包括成型部，所述成型部设置在所述下部分和所述中间部分上，并且包括第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体。4.如权利要求3所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴光龙，边镐俊，金赫骏，南基范，金秀姸，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR