肖特基二极管及制备方法技术

本发明专利技术一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明专利技术可以降低肖特基二极管正向开启电压，减小反向漏电流。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及制备方法
本专利技术涉及半导体材料与器件
，尤其涉及碳化硅肖特基二极管及制备方法。
技术介绍
肖特基二极管是一种利用热电子发射的二极管，结构和工艺相对比较简单，并且由于反向恢复时间极短，正向导通压降相对较低，因此在高频、低压、大电流等领域广泛应用。目前Si和GaAs等传统的肖特基二极管，由于材料特性的限制，难以满足对击穿电压和电流等器件性能的更高要求，SiC作为第三代半导体材料禁带宽度大，电子饱和速度高、临界击穿电场高、热导性能好、高温等特性，非常适合制造高频大功率肖特基二极管，目前性能优良的SiC肖特基二极管已经商业化应用。但SiC肖特基二极管在性能上还存在较多问题，由于肖特基电极与半导体SiC的接触电阻较大，导致其导通电压比较高，同时由于受到n型碳化硅表面态的影响，肖特基接触势垒降低，增大了碳化硅肖特基二极管的反向漏电流。另外SiC基的肖特基二极管的反向击穿电压还有较大提高空间。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种肖特基二极管及制备方法，可以降低肖特基二极管正向开启电压，减小反向漏电流。本专利技术提供一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。本专利技术还提供一种肖特基二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在重掺杂的N型SiC衬底上外延轻掺杂的N型SiC层；步骤2：在轻掺杂的N型SiC层上外延非掺杂的SiC层；步骤3：将非掺杂的SiC层进行表面处理，在非掺杂的SiC层的表面进行高温热解生成石墨烯层；步骤4：在重掺杂的N型SiC衬底的背面沉积Ti、Ni或Pt金属，制作欧姆接触电极，形成阴极电极；步骤5：在热解生成的石墨烯层上沉积Ti、Ni或Al金属，制作肖特基接触电极，形成阳极电极。本专利技术的上述技术方案具有如下优点和有益效果：在碳化硅半导体和肖特基金属之间加入一层石墨烯，有利于减小肖特基电极的接触电阻，减小了肖特基二极管的正向开启电压，使得在正向电压下，可以通过更大的电流。石墨烯插入层采用外延生长的非掺杂SiC经过高温热解原位生成石墨烯，避免了石墨烯的中间转移过程，不存在中间转移过程对石墨烯性能的损坏。原位生成的石墨烯有效降低碳化硅表面态，并对表面费米能级具有钉扎效应，提高肖特基二极管的势垒高度，减小反向漏电流，提高反向击穿电压。附图说明为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图详细说明如后，其中：图1示出了本专利技术提供的一种SiC肖特基二极管的剖视图；图2示出根据本公开的实施例的制备方法的制作工艺流程图。具体实施例请参阅图1、图2所示，本专利技术提供一种肖特基二极管和制备方法，所述的肖特基二极管包含：一重掺杂的N型SiC衬底10；其中所述重掺杂的N型SiC衬底10的净掺杂浓度大于1×1018cm3，其晶型为4H或者6H型单晶SiC。一轻掺杂的N型SiC层20，其生长在重掺杂的N型SiC衬底10上；所述轻掺杂的N型SiC层20的净掺杂浓度为1×1015cm3至1×1017cm3，外延层厚度为1-20μm。该轻掺杂的N型SiC层20外延生长时延续了衬底的晶型结构。一非掺杂的SiC层30，其生长在轻掺杂的N型SiC层20上；该非掺杂的SiC层30是用来制备石墨烯的，所以要求晶型为六方相单晶SiC，并且需要很高单晶晶体质量和表面平整度，厚度为2个碳-硅双原子层到30nm。一石墨烯层301，其是在非掺杂的SiC层30上高温热解生成的；一欧姆接触电极40，其制作在重掺杂的N型SiC衬底10的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极5()，其制作在石墨烯层301上，形成阳极电极。请再参阅图2及图1所示，本专利技术还提供的肖特基二极管制备方法包含以下步骤：步骤1：在重掺杂的N型SiC衬底10上外延轻掺杂的N型SiC层20；其中所述重掺杂的N型SiC衬底10的净掺杂浓度大于1×1018cm3；所述轻掺杂的N型SiC层20的净掺杂浓度为1×1015cm3至1×1017cm3。步骤2：在轻掺杂的N型SiC层20上外延非掺杂的SiC层30，厚度为2个碳-硅双原子层到30nm；步骤3：将非掺杂的SiC层30进行表面处理，通过化学清洗、高温氢刻蚀以及去氧化等工艺，去除表面污染物和表面划痕，形成光滑平整的原子台阶。然后在真空或惰性气氛的低压下，对非掺杂的SiC层30的表面进行高温热解，蒸发掉Si原子，形成石墨烯层301，优选的生成的石墨烯层301不超过两层。步骤4：在重掺杂的N型SiC衬底10的背面，采用电子束蒸发沉积Ti、Ni或Pt金属，然后在800℃-1100℃温度范围内，在真空或惰性气体氛围中进行快速退火，制作欧姆接触电极40，形成阴极电极；步骤5：在热解生成的石墨烯层301上，采用电子束蒸发沉积Ti、Ni、Al或Mo金属，制作肖特基接触电极50，形成阳极电极。其中所述的在重掺杂的N型SiC衬底10上外延轻掺杂的N型SiC层20，以及轻掺杂的N型SiC层20外延非掺杂的SiC层30，均是采用CVD法外延。以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。实施例一：采用图2工艺流程制作出图1结构的SiC肖特基二极管：(1)选取重掺杂的N型SiC衬底10，其净掺杂浓度为8×1018cm3，其晶型为6H型单晶SiC。通过CVD方法，在所述重掺杂的N型SiC衬底10上外延生长轻掺杂的SiC层20，该轻掺杂的N型SiC层20的净掺杂浓度为1×1016cm3，厚度为10μm。(2)在所述轻掺杂的N型SiC层20上，继续CVD外延生长非掺杂的SiC层30，该非掺杂的SiC层30外延延续了衬底的六方结构，并且具有很高的单晶晶体质量和表面平整度，厚度为5nm。(3)对所述的非掺杂的SiC层30进行高温热解制备石墨烯。在高温热解前，首先将外延层进行表面预处理，通过化学清洗、高温氢刻蚀以及去氧化等工艺，去除表面污染物和表面划痕，形成光滑平整的原子台阶。在真空下高温热解蒸发掉Si原子，形成单层的石墨烯层301。(4)在所述的重掺杂的N型SiC衬底10的背面沉积欧姆接触电极40，采用电子束蒸发沉积Ni金属200nm，然后在900℃惰性气体N2保护下进行快速退火，形成欧姆接触电极40，作为该肖特基二极管的阴极电极。(5)利用电子束蒸发，在所述的石墨烯层301上沉积Al金属200nm，制作肖特基接触电极50，作为该肖特基二极管的阳极电极。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述非掺杂的SiC层的晶型为六方相单晶SiC。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述重掺杂的N型SiC衬底的净掺杂浓度大于1×1018cm-3。4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述轻掺杂的N型SiC层的净掺杂浓度为1×1015cm-3至1×1017cm-3。5.一种肖特基二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在重掺杂的N型SiC衬底上外延轻掺杂的N型SiC层；步骤2：在轻掺杂的N型SiC层上外延非掺杂的SiC层；步骤3：将非掺杂的SiC层进行表面处理，在非掺杂的SiC层的表面进行高温热解生成石墨烯层；步骤4：在重掺杂的N型SiC衬底的背面沉积Ti、Ni或Pt金属，制作欧姆接触电极，形成阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：冉军学，魏同波，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11