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本发明一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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