The utility model relates to a deep groove power MOS device, which is located in a heavily doped P-doped drain region on the back of a silicon wafer, a lightly doped P-doped impurity epitaxy layer above the drain region, a N-doped trap layer above the epitaxy layer, a groove located in the N-doped trap layer and extended into the epitaxy layer, and a N-doped trap layer. A P-doped source region is formed around the groove; a P-doped arc region is located on the upper part of the N-doped well layer and around the groove; an insulating dielectric layer is deposited on the top of the groove, and the insulating dielectric layer is respectively opened above the gate conductive polycrystalline silicon and above the source region, and metal wires are arranged in the holes, respectively. A WSi2 layer is arranged between the metal connection and the insulating dielectric layer. The utility model reduces the forward voltage drop and device loss of the device, protects the device when the device is turned off in reverse, further reduces the leakage current of the device and reduces the on-resistance.
【技术实现步骤摘要】
深沟槽功率MOS器件
本技术涉及沟槽式功率MOS器件
,具体涉及一种深沟槽功率MOS器件。
技术介绍
在半导体集成电路中,现有典型的沟槽型功率MOS器件由下至上包括硅衬底、漏极、体区、源区、栅极沟槽、接触孔、层间电介质和顶层金属,栅极沟槽内依次生长栅氧和多晶硅。目前普通的沟槽型功率MOS器件,影响栅极电阻的因素主要是沟槽尺寸以及多晶硅参杂浓度。现有的沟槽型功率MOS器件普遍存在的问题是栅极电阻较高。随着产品应用的发展,对功率MOS器件的开关速度和开关损耗的要求越来越高,其中开关损耗占据总损耗70%左右,普通的沟槽式MOS器件在开关特性上显得越来越不足,如何提高开关速度并降低开关损耗对于节能及高频应用具有十分重要的意义。但是,该技术的不足在于只能降低约30%左右栅-漏电容Cgd,仍然不能满足节能及高频应用的需求。因此,如何进一步使得器件正向压降和器件损耗均得到了减小,且在器件反向关断时,保护了器件,器件漏电流进一步降低,可改善欧姆接触,降低导通电阻,成为本
技术人员的努力方向。
技术实现思路
本技术目的是提供一种深沟槽功率MOS器件,该深沟槽功率MOS器件使得器件正向压降和器件损耗均得到了减小,且在器件反向关断时,保护了器件,器件漏电流进一步降低,可改善欧姆接触,降低导通电阻。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种深沟槽功率MOS器件,位于硅片背面的重掺杂P掺杂漏极区,位于所述漏极区上方的轻掺杂P掺杂杂质外延层;位于所述外延层上方的N掺杂阱层;位于所述N掺杂阱层并伸入所述外延层的沟槽;在所述N掺杂阱层上部且在所述沟槽四周形成具有P掺杂源极区,所 ...
【技术保护点】
1.一种深沟槽功率MOS器件,包括:位于硅片背面的重掺杂P掺杂漏极区(1),位于所述重掺杂P掺杂漏极区(1)上方的轻掺杂P掺杂杂质外延层(2);位于所述轻掺杂P掺杂杂质外延层(2)上方的N掺杂阱层(3);位于所述N掺杂阱层(3)并伸入所述轻掺杂P掺杂杂质外延层(2)的沟槽(4);在所述N掺杂阱层(3)上部且在所述沟槽(4)四周形成具有P掺杂源极区(6),所述沟槽(4)内设有一个栅极导电多晶硅(7)和一个屏蔽栅导电多晶硅(8),屏蔽栅导电多晶硅(8)位于栅极导电多晶硅(7)下方;所述栅极导电多晶硅(7)两侧与沟槽(4)内壁之间设有绝缘栅氧化层(5);所述屏蔽栅导电多晶硅(8)两侧及底部均由屏蔽栅氧化层(9)包围,所述栅极导电多晶硅(7)与屏蔽栅导电多晶硅(8)由导电多晶硅间绝缘介质层(10)隔开;其特征在于:一P掺杂弧形区(14)位于N掺杂阱层(3)上部且位于沟槽(4)周边;所述沟槽(4)顶部淀积有绝缘介质层(11),并在位于栅极导电多晶硅(7)上方和源极区上方的绝缘介质层(11)分别开孔,在孔内设有金属连线(12),分别实现栅极导电多晶硅(7)和源极区电性连接,所述金属连线(12)与绝 ...
【技术特征摘要】
1.一种深沟槽功率MOS器件,包括:位于硅片背面的重掺杂P掺杂漏极区(1),位于所述重掺杂P掺杂漏极区(1)上方的轻掺杂P掺杂杂质外延层(2);位于所述轻掺杂P掺杂杂质外延层(2)上方的N掺杂阱层(3);位于所述N掺杂阱层(3)并伸入所述轻掺杂P掺杂杂质外延层(2)的沟槽(4);在所述N掺杂阱层(3)上部且在所述沟槽(4)四周形成具有P掺杂源极区(6),所述沟槽(4)内设有一个栅极导电多晶硅(7)和一个屏蔽栅导电多晶硅(8),屏蔽栅导电多晶硅(8)位于栅极导电多晶硅(7)下方;所述栅极导电多晶硅(7)两侧与沟槽(4)内壁之间设有绝缘栅氧化层(5);所述屏蔽栅导电多晶硅(8)两侧及底部均由屏蔽栅氧化层(9)包围,所述栅极导电多晶硅(7)与屏蔽栅导电多晶硅(8)由导电多晶硅间绝缘介质层(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄彦智,陆佳顺,杨洁雯,
申请(专利权)人:苏州硅能半导体科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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