动态随机存取存储器元件制造技术

本发明专利技术公开一种动态随机存取存储器元件，其特征在于包含一基底、二埋入式字线以及一位线接触插塞。基底包含一第一主动区，其中第一主动区沿着一第一方向延伸。埋入式字线设置于基底中且跨设第一主动区，其中二埋入式字线沿着一第二方向延伸。位线接触插塞设置于基底上且重叠二埋入式字线之间的第一主动区，其中一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边围绕成位线接触插塞，且第一边平行第三边而沿着一第三方向延伸，第二边平行第四边而沿着一第四方向延伸，其中第一方向平行第三方向且第二方向平行第四方向。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器元件
本专利技术涉及一种存储器元件，尤其是涉及一种动态随机存取存储器元件。
技术介绍
随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字符线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。
技术实现思路
本专利技术提出一种动态随机存取存储器元件，其位线接触插塞具有与主动区平行的侧边以完全重叠或超出主动区，使能避免存储节点接触插塞与位线接触插塞导通而短路。本专利技术提供一种动态随机存取存储器元件，其包含一基底、二埋入式字线以及一位线接触插塞。基底包含一第一主动区，其中第一主动区沿着一第一方向延伸。埋入式字线设置于基底中且跨设第一主动区，其中埋入式字线沿着一第二方向延伸。位线接触插塞设置于基底上且重叠二埋入式字线之间的第一主动区，其中一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边围绕成位线接触插塞，且第一边平行第三边而沿着一第三方向延伸，第二边平行第四边而沿着一第四方向延伸，其中第一方向平行第三方向且第二方向平行第四方向。基于上述，本专利技术提出一种动态随机存取存储器元件，其包含一第一主动区沿着一第一方向延伸，二埋入式字线跨设第一主动区，且位线接触插塞重叠二埋入式字线之间的第一主动区。在此强调本案的位线接触插塞具有第一边及第三边平行主动区的第一方向，因而位线接触插塞可以最小面积完全重叠或超出第一主动区，使能避免存储节点接触插塞与位线接触插塞导通而短路。附图说明图1为本专利技术优选实施例中动态随机存取存储器元件的俯视示意图；图2～图6为图1沿着切线A-A’及B-B’的剖面示意图。主要元件符号说明2、6：氧化硅层4：氮化硅层5：绝缘结构10：第一主动区12、14：主动区20：埋入式字线30、30’：位线栅极32、32’：位线接触插塞32a：第一边32b：第二边32c：第三边32d：第四边34：存储节点接触插塞100：动态随机存取存储器元件110：基底322：主体部分324、324’：副翼部分324a：间隙壁C1：第一方向C2：第二方向C3：第三方向C4：第四方向C5：第五方向d1、d2：深度m1、m2、m3、m4：中线R1、R2：凹槽具体实施方式为使熟悉本专利技术所属
的一般技术者能更进一步了解本专利技术，下文特举本专利技术的优选实施例，并配合所附的附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。图1绘示本专利技术优选实施例中动态随机存取存储器元件的俯视示意图。一基底110可例如是一硅基底、一含硅基底(例如SiC)、一三五族基底(例如GaN)、一三五族覆硅基底(例如GaN-on-silicon)、一石墨烯覆硅基底(graphene-on-silicon)、一硅覆绝缘(silicon-on-insulator，SOI)基底或一含外延层的基底等半导体基底。基底110可包含一第一主动区10及其他主动区，其中其他主动区例如包含位于第一主动区10两侧的主动区12及主动区14。在本实施例中，第一主动区10沿着一第一方向C1延伸，其他主动区也平行第一主动区10沿着第一方向C1延伸。第一主动区10及各主动区以一绝缘结构5隔绝。绝缘结构5例如为一浅沟槽绝缘(shallowtrenchisolation,STI)结构，但本专利技术不以此为限。再者，多个埋入式字线(buriedwordline,BWL)20设置于基底110中且跨设第一主动区10。埋入式字线20沿着一第二方向C2延伸。在一优选的实施例中，第一主动区10沿着的第一方向C1与埋入式字线20沿着的第二方向C2之间的夹角为70°～75°；更佳者，第一主动区10沿着的第一方向C1与埋入式字线20沿着的第二方向C2之间的夹角为71.2°，但本专利技术不以此为限。一位线接触插塞(bitlinecontact,BLC)32设置于基底110上。位线接触插塞32覆盖并电连接埋入式字线20之间的第一主动区10。特别是，位线接触插塞32覆盖并电连接埋入式字线20之间全部的第一主动区10，以防止后续形成的存储节点接触插塞经由裸露出的第一主动区10与位线接触插塞32导通而短路。较佳者，位线接触插塞32所涵盖的范围除了包含埋入式字线20之间全部的第一主动区10，更会超出埋入式字线20之间全部的第一主动区10的范围，以确保第一主动区10不会暴露出而造成存储节点接触插塞与位线接触插塞32导通而短路。详细而言，位线接触插塞32可包含由一第一边32a、一第二边32b、一第三边32c以及一第四边32d围绕而成。较佳者，第一边32a平行第三边32c而沿着一第三方向C3延伸，而第二边32b平行第四边32d而沿着一第四方向C4延伸，因而可形成例如一平行四边形的区域，但本专利技术不以此为限。在本实施例中，第一边32a及第三边32c所沿的第三方向C3平行第一主动区10所沿的第一方向C1，使位线接触插塞32可类似第一主动区10的形状，使位线接触插塞32可以最小面积完全重叠第一主动区10并防止存储节点接触插塞与位线接触插塞32导通而短路。更佳者，当位线接触插塞32所涵盖的范围除了包含全部的第一主动区10之外，又超出全部的第一主动区10的范围时，因此位线接触插塞32的第一边32a及第三边32c不重叠第一主动区10，第一边32a与第三边32c则直接位于绝缘结构5上。因而，位线接触插塞32可包含一主体部分322重叠第一主动区10以及二副翼部分324不重叠第一主动区10，其中二副翼部分324又可至少部分包含有间隙壁324a于外侧，以于后续制作工艺中由自对准制作工艺定义存储节点接触插塞。换言之，第一边32a位于第一主动区10以及主动区14之间，且第三边32c位于第一主动区10以及主动区12之间。在一优选的实施例中，第一边32a位于第一主动区10以及主动区14之间的一中线m1，且第三边32c位于第一主动区10以及主动区12之间的一中线m2。以此方法，例如当第一主动区10或者位线接触插塞32由于蚀刻暨光刻制作工艺导致偏移时，可保留安全范围(即位线接触插塞32的二副翼部分324)，确保第一主动区10不会暴露出而造成存储节点接触插塞与位线接触插塞32导通而短路。再者，本实施例中埋入式字线20所沿的第二方向C2平行第二边32b及第四边32d所沿的第四方向C4，使位线接触插塞32可以最小面积完全重叠第一主动区10并防止存储节点接触插塞与位线接触插塞32导通而短路。较佳者，位线接触插塞32至少部分覆盖埋入式字线20，以确保第一主动区10不会暴露出。因而，位线接触插塞32的第二边32b及第四边32d分别直接位于第一主动区10相对两侧的二埋入式字线20上。更佳者，位线接触插塞32的第二边32b及第四边32d分别直接位于第一主动区10相对两侧的二埋入式字线20的中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器元件，其特征在于包含：基底，包含第一主动区，其中该第一主动区沿着一第一方向延伸；二埋入式字线，设置于该基底中且跨设该第一主动区，其中该二埋入式字线沿着一第二方向延伸；位线接触插塞，设置于该基底上且重叠该二埋入式字线之间的该第一主动区，其中一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边围绕成该位线接触插塞，且该第一边平行该第三边而沿着一第三方向延伸，该第二边平行该第四边而沿着一第四方向延伸，其中该第一方向平行该第三方向且该第二方向平行该第四方向。

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器元件，其特征在于包含：基底，包含第一主动区，其中该第一主动区沿着一第一方向延伸；二埋入式字线，设置于该基底中且跨设该第一主动区，其中该二埋入式字线沿着一第二方向延伸；位线接触插塞，设置于该基底上且重叠该二埋入式字线之间的该第一主动区，其中一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边围绕成该位线接触插塞，且该第一边平行该第三边而沿着一第三方向延伸，该第二边平行该第四边而沿着一第四方向延伸，其中该第一方向平行该第三方向且该第二方向平行该第四方向。2.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其特征在于，该第一边及该第三边不重叠该第一主动区，因而该位线接触插塞包含一主体部分重叠该第一主动区以及二副翼部分不重叠该第一主动区。3.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其特征在于，该基底包含二主动区位于该第一主动区两侧且该二主动区平行该第一主动区。4.依据权利要求3所述的动态随机存取存储器元件，其特征在于，该第一边位于该第一主动区以及其中一该二主动区之间，且该第三边位于该第一主动区以及另一该二主动区之间。5.依据权利要求4所述的动态随机存取存储器元件，其特征在于，该第一边位于该第一主动区以及其中一该二主动区之间的中线，且第三边位于该第一主动区以及另一该二主动区之间的中线。6.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其特征在于，该第一主动区以及该二主动区以一绝缘结构隔绝。7.依据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡综颖，何建廷，魏铭德，冯立伟，王嫈乔，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71