改善动态随机存储器行锤现象的半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种改善动态随机存储器中行锤现象的半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域掺杂区，具有一第二导电型及一第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。

Semiconductor structure for improving dynamic random access hammer phenomenon and its making method

The invention discloses a semiconductor structure for improving the row hammer phenomenon in dynamic random access memory and a manufacturing method thereof. The semiconductor structure comprises a semiconductor substrate with a first conductive type and a first doping concentration; an active region situated on the semiconductor substrate, a long axis of the active region extending in a first direction; a groove insulation structure adjacent to an end face of the active region; and a gate through which the active region is embedded. In the groove insulation structure, the groove extends along a second direction through the gate, and the second direction is not parallel to the first direction; and a region doping region, having a second conductive type and a second doping concentration, is arranged on the end face of the active region.

【技术实现步骤摘要】
改善动态随机存储器行锤现象的半导体结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种可以改善动态随机存储器(DRAM)的行锤(rowhammer)现象的半导体结构及其制作方法。
技术介绍
当动态随机存取存储器(DRAM)的目标行在一段时间内被激活太多次时，存储在邻近目标行的相邻行的数据资料很可能会丢失或被干扰。更具体地说，存储在相邻行的数据资料会由于目标行的频繁激活而产生的信号串扰而损坏(datacorruption)，此现象又被称为“行锤(rowhammer)”。随着DRAM设计密度的增加，行锤现象会越来越严重，已成为该
亟待解决的一个问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种改良的半导体结构及其制作方法，以解决现有技术技术的不足与缺点。根据本专利技术一实施例，提出一种半导体结构，包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；一通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及一区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含有：半导体基底，具有第一导电型及第一掺杂浓度；主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及区域掺杂区，具有第二导电型及第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含有：半导体基底，具有第一导电型及第一掺杂浓度；主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的一端面；通过栅极，埋设于该沟槽绝缘结构内，其中该通过栅极沿着一第二方向延伸，且该第二方向不平行于该第一方向；以及区域掺杂区，具有第二导电型及第二掺杂浓度，设于该主动区域的该端面上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型是P型，该第二导电型是P型。3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该区域掺杂区是掺杂铟。4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度介于1E18～5E19atoms/cm3。5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度大于该第一掺杂浓度。6.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度介于1E18～5E19atoms/cm3。7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度。8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掺杂浓度介于1E18～2E19atoms/cm3。9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电型是P型，该第二导电型是N型。10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该区域掺杂区是掺杂砷。11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该第二掺杂浓度介于1E18～5E19atoms/cm3。12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该区域掺杂区仅在该端面的一第一深度与一第二深度之间延伸，且正对该通过栅极。13.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一深度为该第二深度为14.如权利要求1所述的半导体结构，其中该沟槽绝缘结构包含硅氧层，介于该区域掺杂区与该通过栅极之间。15.一种半导体结构的制作方法，包含有：提供一半导体基底，具有一第一导电型；在该半导体基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井享浩，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71