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本发明公开一种改善动态随机存储器中行锤现象的半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一半导体基底，具有一第一导电型及一第一掺杂浓度；一主动区域，位于该半导体基底上，其中该主动区域的一长轴沿着一第一方向延伸；一沟槽绝缘结构，邻接该主动区域的...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。