The application relates to a liner assembly, a plasma treatment device and a plasma processing substrate method. The invention discloses a plasma treatment device, which comprises a chamber cover, a chamber body and a supporting component. The main body of the chamber defines the processing volume for containing plasma, and the main body of the chamber is used to support the chamber cover. The chamber body is composed of a side wall of the chamber, a bottom wall and a lining pipe assembly. The chamber side wall and the bottom wall define processing volume, which is used for containing plasma. The liner assembly is arranged within the processing volume and comprises two or more slots formed on the liner assembly to provide axially symmetrical RF current paths. The supporting component supports the substrate to process inside the chamber body. The invention uses a liner assembly with several symmetrical slots to prevent the electromagnetic field of the liner assembly from producing azimuth asymmetry.
【技术实现步骤摘要】
衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法本申请是申请号为201180021201.4、申请日为2011年7月6日、名称为“用于调整电偏斜的等离子体处理装置与衬管组件”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2011/043083)的分案申请。
本专利技术大体而言涉及一种用于制造电子基板的等离子体处理装置,在该装置中通过施加于电极之间的射频电力来激发等离子体。更具体地,本专利技术涉及一种设置于该等离子体处理装置内部的衬管组件,该衬管组件用于平衡从该电极发射的射频电流流动。
技术介绍
通常通过一系列处理步骤来制造诸如平板显示器及集成电路的电子器件,在该步骤中,在基板上沉积层且该沉积材料经蚀刻成为所要的图案。该处理步骤通常包括物理气相沉积(physicalvapordeposition;PVD)、化学气相沉积(chemicalvapordeposition;CVD)、等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhancedCVD;PECVD)及等离子体处理。具体而言,该等离子体处理需要将处理气体混合物提供给真空腔室,该真空腔室称为腔室主体;随后施加电气或电磁电力(射频电力)以激发该处理气体成为等离子体态。换言之,通过从电极发射的射频电流将该处理气体激发成为等离子体。该等离子体将气体混合物分解成离子物种,该离子物种执行所要沉积或蚀刻处理。通常,该基板可经由转移机构(例如机械叶片)从转移室输送至腔室主体,且该基板被置放于各腔室主体的支撑组件(例如,基座或底座)上以进行处理。此外,该腔室主体也可包含腔室衬管以保护该腔室主体的内壁。请参阅图1A。图1A图示传统 ...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体处理装置的衬管组件,所述等离子体处理装置具有坚固侧壁,所述坚固侧壁具有形成于所述坚固侧壁中的单一狭缝阀,所述衬管组件包括:圆柱形主体,所述圆柱形主体具有外壁,所述外壁经尺寸调整以滑入所述坚固侧壁内;外部壁架;以及多个狭槽,所述多个狭槽穿过所述圆柱形主体而形成,其中所述多个狭槽的第一狭槽经尺寸调整以允许基板穿过其间,且其中所述多个狭槽的其他狭槽经尺寸调整以补偿因所述第一狭槽引起的射频电流密度集中,且其中所述狭槽围绕所述圆柱形主体的中心轴以极性阵列布置以便提供轴向的和方位角对称的射频返回路径。
【技术特征摘要】
2010.07.21 US 61/366,4621.一种用于等离子体处理装置的衬管组件,所述等离子体处理装置具有坚固侧壁,所述坚固侧壁具有形成于所述坚固侧壁中的单一狭缝阀,所述衬管组件包括:圆柱形主体,所述圆柱形主体具有外壁,所述外壁经尺寸调整以滑入所述坚固侧壁内;外部壁架;以及多个狭槽,所述多个狭槽穿过所述圆柱形主体而形成,其中所述多个狭槽的第一狭槽经尺寸调整以允许基板穿过其间,且其中所述多个狭槽的其他狭槽经尺寸调整以补偿因所述第一狭槽引起的射频电流密度集中,且其中所述狭槽围绕所述圆柱形主体的中心轴以极性阵列布置以便提供轴向的和方位角对称的射频返回路径。2.根据权利要求1所述的衬管组件,其中,所述多个狭槽以等距方式间隔开。3.根据权利要求1所述的衬管组件,其中,所述多个狭槽为四个狭槽,所述四个狭槽以90度间隔开。4.根据权利要求1所述的衬管组件,还包括:底部,所述底部耦接至所述外壁;以及内壁,所述内壁耦接至所述底部且所述内壁经尺寸调整以在所述处理装置的基板支撑件上滑动。5.根据权利要求1所述的衬管组件,还包括:冷却剂通道,所述冷却剂通道在所述圆柱形主体中形成。6.一种等离子体处理装置,所述离子体处理装置包括:腔室主体,所述腔室主体具有坚固侧壁及底壁,其中,所述坚固侧壁及所述底壁界定处理容积,所述处理容积用于含有等离子体,所述坚固侧壁具有单一狭缝阀隧道,所述单一狭缝阀隧道穿过所述坚固侧壁形成;盖组件,所述盖组件设置于所述腔室主体上;以及衬管组件,所述衬管组件设置于所述处理容积内部,所述衬管组件包括:圆柱形主体,所述圆柱形主体具有外壁,所述外壁经尺寸调整以滑入所述坚固侧壁内;以及三个或更多个狭槽,所述三个或更多个狭槽穿过所述圆柱形主体而形成,其中所述三个或更多个狭槽的第一狭槽经尺寸调整以允许基板穿过其间并且与所述狭缝阀隧道对准,且其中所述三个或更多个狭槽的其他狭槽经尺寸调整以补偿因所述第一狭槽引起的射频电流密度集中,且其...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹姆斯·D·卡达希,陈智刚,沙希德·劳夫,肯尼思·S·柯林斯,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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