NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备。其中，所述方法应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，所述方法包括：确定待读取的存储器单元；为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。本发明专利技术实施例通过为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加经滤波器滤波后的电压，通过滤波器减小该相邻的两条字线上电压的波动，从而减小待读取的存储器单元对应的字线上电压的波动，以提高读操作的准确性。

Read operation processing method, device and NAND storage device of NAND flash memory

The embodiment of the invention discloses a reading operation processing method for NAND flash memory, a device and a NAND storage device. The method is applied to a NAND storage device, which comprises a plurality of word lines and a plurality of NAND memory units, each word line being connected to the corresponding memory unit respectively. The method includes: determining the memory unit to be read; and two words adjacent to the word line corresponding to the memory unit to be read. Line plus a first voltage, where the first voltage is filtered by a filter, and a second voltage for the word line corresponding to the memory unit to be read, where the first voltage is greater than the second voltage. The embodiment of the invention reduces the voltage fluctuation of the adjacent two word lines by adding the filtered voltage to the two word lines corresponding to the word lines of the memory unit to be read, thereby reducing the voltage fluctuation of the word lines corresponding to the memory unit to be read, so as to improve the accuracy of the reading operation. Sex.

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备
本专利技术实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备。
技术介绍
NANDflash是Flash内存的一种，属于非易失性半导体存储器。NANDflash包括很多数据块，每个数据块由很多存储器单元组成，用于读写数据。众所周知，半导体存储器具有排列成阵列的大量存储器单元，阵列内一特定的存储器单元通常经由一字线(word-line,WL)与一对位线(bit-line,BL)选取。字线通常耦接至一行内各存储器单元的一个或多个控制栅。由于控制栅的导通特性与NMOS相似，因此，当耦接于其上的字线具有高电压时(即，被活化，activate)，所有的存储器单元会被导通。位线对(BLpair)通常耦接一列内各存储器单元的存储点至一感测放大器。位于被活化的字线与位线对的一交叉点的存储器单元便是所选择的存储器单元。通过控制字线和位线的高低电压可以实现对存储器单元的读写擦操作。NANDflash实现读操作时，如图1(a)所示，若要读WLn，则最基本方法是给所选择的WLn加用于读操作时对应的Vn电压，其他WL加与之相比更高的Vm电压，并且是由NANDflash芯片内部的电荷泵提供的。进一步的，为了提高读操作的准确性，需要减小晶体管的vt分布，现有技术中采用VmH模式，该模式的实现如图1(b)所示，即给所选择的WLn相邻的WLn+1和WLn-1均加比Vm更高的VmH电压，其他WL加Vm电压，其中，VmH电压要大于Vm电压，那么图1(b)中加VmH电压的负载就小于图1(a)中对应加Vm电压的负载，所以VmH的电压波动(ripple)较大，导致WLn被WLn+1与WLn-1耦合，因此，图1(b)中WLn的ripple比图1(a)中对应WLn的的ripple大，继而影响对图1(b)中WLn进行读操作的结果准确性。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备，以解决现有技术中读操作时因字线电压波动较大而影响读操作准确性的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种NAND闪存的读操作处理方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述方法包括：确定待读取的存储器单元；为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。优选的，所述滤波器为RC滤波器。第二方面，本专利技术实施例提供了一种NAND闪存的读操作处理装置，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述装置包括：确定模块，用于确定待读取的存储器单元；第一电压施加模块，用于为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；第二电压施加模块，用于为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。优选的，所述滤波器为RC滤波器。第三方面，本专利技术实施例提供了一种NAND存储设备，所述存储设备包括电压源、固件，还包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述存储设备还包括滤波器；其中，所述电压源与每条字线连接，用于为所述存储器单元对应的每条字线提供读取操作时对应的电压；所述电压源还通过所述滤波器与每条字线连接，所述滤波器用于为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加对应的电压之前进行滤波；所述固件包括如上所述的NAND闪存的读操作处理装置。本专利技术实施例通过为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加经滤波器滤波后的电压，通过滤波器减小该相邻的两条字线上电压的波动，从而减小待读取的存储器单元对应的字线上电压的波动，以提高读操作的准确性。附图说明图1是现有技术的NANDflash的读操作中正常模式和VmH模式的示意图；图2是本专利技术实施例一中的NAND闪存的读操作处理方法的流程图；图3是本专利技术实施例二中的NAND闪存的读操作处理装置的结构示意图；图4是本专利技术实施例三中的NAND存储设备的结构示意图；图5是本专利技术实施例三中的滤波器的电路示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图2是本专利技术实施例一中的NAND闪存的读操作处理方法的流程图，本实施例可适用于NAND闪存的读操作处理的情况，应用于NAND存储设备，该NAND存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接。该方法可以由具有NAND闪存的读操作处理功能的装置来执行，该装置可以采用软件和/或硬件的方式实现，例如NAND存储设备中的固件。本专利技术实施例一提供的方法具体包括：S110、确定待读取的存储器单元。在NANDflash闪存芯片中，存储器单元呈阵列排布，每列都包含多个存储器单元，每个存储器单元的控制栅极与字线连接，通过控制字线实现对存储器单元的读写。具体的，可以通过物理地址来确定待读取的存储器单元。S120、为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压。具体的，在VmH模式下，为了减小晶体管的vt分布，需要为所选存储器单元对应的字线的相邻两条字线施加更高的电压，例如VmH电压，从而引起
技术介绍
中所述的所选存储器单元对应字线上电压ripple较大的问题，影响读取结果的准确性。因此，在本专利技术实施例一中，将VmH电压先经过滤波器进行滤波，再施加给所选存储器单元对应的字线的相邻两条字线，从而滤除电压中的高频成分，降低电压ripple。在一个实例中，第一电压例如为6V或者7V，属于高压，需要由存储设备芯片中的电荷泵提供。而由于所选存储器单元始终都是变化的，因此，需要加第一电压的存储器单元也是变化的，那么具体实现时，可以通过开关来控制为相应的存储器单元施加所需的电压。优选的，所述滤波器为RC滤波器。S130、为待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。在确定待读取的存储器单元后，通过控制其对应的字线电压实现读取，具体的，为其施加第二电压实现读取操作，例如，该第二电压为Vn电压，在一个实例中，该电压为0.5V，属于低电压。本专利技术实施例通过为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加经滤波器滤波后的电压，通过滤波器减小该相邻的两条字线上电压的波动，从而减小待读取的存储器单元对应的字线上电压的波动，以提高读操作的准确性。实施例二图3是本专利技术实施例二中的NAND闪存的数据块处理装置的结构示意图，该装置应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，该装置具体包括：确定模块10，用于确定待读取的存储器单元；第一电压施加模块11，用于为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存的读操作处理方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其特征在于，所述方法包括：确定待读取的存储器单元；为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存的读操作处理方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其特征在于，所述方法包括：确定待读取的存储器单元；为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压，其中，第一电压为经滤波器滤波后的电压；为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压，其中，第一电压大于第二电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述滤波器为RC滤波器。3.一种NAND闪存的读操作处理装置，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其特征在于，所述装置包括：确定模块，用于确定待读取的存储器单元；第一电压施加模块，用于为与所述待读取的存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张现聚，苏志强，李建新，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11