包含在存储器单元中建立负本体电位的设备及方法技术

设备及操作此种设备的方法包含在对存储器单元起始感测操作之前、响应于计时器或在另一存储器单元的存取操作期间，在所述存储器单元的本体中建立负电位。

Device and method for establishing negative body potential in memory cell

A device and a method of operating such a device include establishing a negative potential in the body of the memory unit prior to initiating a sensing operation on the memory unit, in response to a timer or during an access operation on another memory unit.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含在存储器单元中建立负本体电位的设备及方法
本专利技术一般来说涉及存储器，且特定来说，在一或多个实施例中，本专利技术涉及包含例如在执行感测操作之前在存储器单元中建立负本体电位的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。快闪存储器装置已开发成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。通过数据存储结构(例如，浮动栅极或电荷阱)的编程(其通常称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，存储器单元的阈值电压(Vt)的改变确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见常用途包含：个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏机、电器、交通工具、无线装置、移动电话及可装卸式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩大。NAND快闪存储器是常见类型的快闪存储器装置，所述NAND快闪存储器是针对基本存储器单元配置所布置成的逻辑形式而如此命名的。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得所述阵列的行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。所述阵列的列包含在一对选择栅极(例如，源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元的串(通常称作NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。在存储器单元的串与源极之间及/或存储器单元的串与数据线之间使用多于一个选择栅极的变化形式为已知的。附图说明图1是根据一实施例的作为电子系统的一部分与处理器进行通信的存储器的经简化框图。图2A到2C是如可用于参考图1所描述的类型的存储器中的存储器单元阵列的部分的示意图。图3A到3B是如可用于参考图1所描述的类型的存储器中的串联连接存储器单元串的横截面图。图4A到4F是串联连接存储器单元串的一部分的横截面图，其描绘移动离子的各种状态以供在描述各种实施例时进行参考。图5A到5B是描绘根据实施例的操作存储器的方法的时序图。图6A到6B是根据实施例的操作存储器的方法的流程图。图7是描绘根据一实施例的操作存储器的方法的时序图。图8是根据一实施例的操作存储器的方法的流程图。具体实施方式在以下详细描述中，参考形成本文的一部分的附图，且附图中以图解说明的方式展示特定实施例。在图式中，贯穿数个视图，相同参考编号描述大体上类似组件。可利用其它实施例，且可在不背离本专利技术的范围的情况下做出结构、逻辑及电改变。因此，不应在限制意义上理解以下详细描述。假定由于在电介质(例如，二氧化硅(SiO2))的形成期间的污染，因此阴离子存在于存储器单元的栅极堆叠与隔离电介质之间。这些离子可为移动的，且可在擦除之后或在不进行存取的长的数据保持周期之后被吸收到存储器单元的本体(例如，一些存储器单元结构中的半导体柱)上或其附近作为稳定状态。这些多余离子(例如，在邻近存储器单元的栅极电介质与所述邻近存储器单元的本体之间的界面附近)的浓度可影响存储器单元的有效阈值电压，此可在感测所述存储器单元的既定数据值时导致误差。各种实施例寻求通过在感测所述存储器单元之前(例如，紧接在感测所述存储器单元之前、在周期性基础上或在对其它存储器单元进行存取操作期间)建立负本体电位而减轻此现象。图1是根据一实施例的作为呈电子系统的形式的第四设备的部分与第二设备(呈处理器130的形式)及第三设备(呈电力供应器136的形式)进行通信的第一设备(呈存储器(例如，存储器装置)100的形式)的经简化框图。针对一些实施例，电力供应器136可在含有处理器130及存储器装置100的电子系统外部。电子系统的一些实例包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏机、电器、交通工具、无线装置、移动电话、可装卸式存储器模块等等。处理器130(例如，在存储器装置100外部的控制器)可表示存储器控制器或其它外部主机装置。存储器装置100包含在逻辑上布置成若干行及若干列的存储器单元阵列104。逻辑行的存储器单元通常连接到相同存取线(通常称为字线)，而逻辑列的存储器单元通常选择性地连接到相同数据线(通常称为位线)。单个存取线可与多于一个存储器单元逻辑行相关联，且单个数据线可与多于一个逻辑列相关联。存储器单元阵列104的至少一部分的存储器单元(图1中未展示)布置成串联连接存储器单元串。行解码电路108及列解码电路110经提供以解码地址信号。地址信号经接收及解码以存取存储器单元阵列104。存储器装置100还包含用以管理命令、地址及数据到存储器装置100的输入以及数据及状态信息从存储器装置100的输出的输入/输出(I/O)控制电路112。地址寄存器114与I/O控制电路112以及行解码电路108及列解码电路110进行通信以在进行解码之前锁存地址信号。命令寄存器124与I/O控制电路112及控制逻辑116进行通信以锁存传入命令。根据本文中描述的实施例，控制器(例如内部控制器(例如，控制逻辑116))响应于命令而控制对存储器单元阵列104的存取且产生外部处理器130的状态信息，即，控制逻辑116可经配置以执行存取操作(例如，擦除操作、编程操作、验证操作及读取操作)。控制逻辑116与行解码电路108及列解码电路110进行通信以响应于地址而控制行解码电路108及列解码电路110。控制逻辑116还与高速缓冲存储器寄存器118及数据寄存器120进行通信。高速缓冲存储器寄存器118如由控制逻辑116所指导而锁存传入或传出数据以在存储器单元阵列104正忙于分别写入或读取其它数据时暂时地存储数据。在编程操作(例如，通常称为写入操作)期间，将数据从高速缓冲存储器寄存器118传递到数据寄存器120以供传送到存储器单元阵列104；接着将来自I/O控制电路112的新数据锁存于高速缓冲存储器寄存器118中。在读取操作期间，将数据从高速缓冲存储器寄存器118传递到I/O控制电路112以供输出到外部处理器130；接着将新数据从数据寄存器120传递到高速缓冲存储器寄存器118。状态寄存器122与I/O控制电路112及控制逻辑116进行通信以锁存状态信息以供输出到处理器130。控制逻辑116可进一步与温度传感器126进行通信。温度传感器126可感测存储器装置100的温度且将表示所述温度的指示(例如某一电压或电阻电平)提供到控制逻辑116。温度传感器126的一些实例可包含热电偶、电阻式装置、热敏电阻或红外传感器。替代地，温度传感器126可在存储器装置100外部且与外部处理器130进行通信。在此配置中，温度传感器126可提供周围温度而非装置温度的指示。处理器130可(例如)跨越输入/输出(I/O)总线134而将表示温度的指示传递到控制逻辑116作为数字表示。控制逻辑116可进一步与计时器128进行通信。计时器128(例如，周期性可编程间隔计时器)可经配置以周期性地双态切换输出信号的逻辑电平。此类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作存储器的方法，其包括：在存储器单元的本体中建立负电位；及对所述存储器单元起始感测操作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.14 US 15/350,2291.一种操作存储器的方法，其包括：在存储器单元的本体中建立负电位；及对所述存储器单元起始感测操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括从外部装置接收指示期望在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位的命令。3.根据权利要求2所述的方法，其中对所述存储器单元起始所述感测操作在所述存储器单元的所述本体具有所述负电位时发生。4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位包括将负电压电平施加到连接到所述存储器单元的所述本体的源极。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元是串联连接存储器单元串中的特定存储器单元，且其中在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位包括将相同正电压电平施加到多个存取线中的每一存取线，其中所述多个存取线中的每一存取线连接到所述串联连接存储器单元串中的相应存储器单元。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：使计时器进展；及响应于所述计时器的值具有所要值而在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述计时器经配置以输出计数值，且其中在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位包括响应于所述计数值具有所述所要值而在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：将所述计时器复位到初始值。9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：响应于温度的指示而修改所述计时器的所述所要值。10.根据权利要求6所述的方法，其中所述计时器经配置而以某一特定逝去时间为间隔来双态切换输出信号的逻辑电平，且其中在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位包括响应于所述输出信号具有特定逻辑电平而在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：响应于温度的指示而修改所述间隔的长度。12.一种操作设备的方法，其包括：使计时器进展；及响应于所述计时器的值具有所要值而在存储器的存储器单元的本体中建立负电位。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述计时器在所述存储器外部，且其中响应于由所述存储器从在所述存储器外部与所述计时器进行通信的装置接收的命令而执行在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位。14.根据权利要求12所述的方法，其中所述计时器包括对时钟信号做出响应的计数器，且其中在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位包括响应于所述计数器的计数值具有所述所要值而在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位。15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：在所述计数值具有所述所要值之后将所述计数器复位到初始值。16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：响应于温度传感器指示高于预定义上限阈值或低于预定义下限阈值的温度而修改所述计数值的所述所要值。17.根据权利要求12所述的方法，其中所述计时器经配置而以某一特定逝去时间为间隔来将输出信号的逻辑电平从第一逻辑电平周期性地双态切换到第二逻辑电平，且其中在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位包括响应于所述输出信号具有所述第二逻辑电平而在所述存储器单元的所述本体中建立所述负电位。18.根据权利要求17所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：作井浩司，M·霍斯，丹沢彻，J·宾福特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US