【技术实现步骤摘要】
本公开大体涉及存储器装置，且更特定来说，涉及用于调适读取干扰扫描的设备、方法及系统。
技术介绍
1、存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据，并且包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器可通过在未被供电时保存所存储数据而提供永久性数据，且可包含nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻式随机存取存储器(rram)及磁阻式随机存取存储器(mram)，等等。存储器装置可包含在印刷电路板组合件(pcba)上。
技术实现思路
1、本公开的一方面涉及一种用于自适应读取干扰扫描的方法，其包括：确定第一读取命令与第二读取命令之间的延迟；基于所述第一读取命令与所述第二...
【技术保护点】
1.一种用于自适应读取干扰扫描的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括基于命令队列深度确定所述第一读取命令与所述第二读取命令之间的所述延迟。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括基于传送大小确定所述命令队列深度。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括基于与所述命令队列中的若干命令相关联的若干物理地址来确定所述传送大小。
5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括基于若干循序读取命令来确定所述命令队列深度。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括基于所述第一读取命令的物理地址...
【技术特征摘要】
1.一种用于自适应读取干扰扫描的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括基于命令队列深度确定所述第一读取命令与所述第二读取命令之间的所述延迟。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括基于传送大小确定所述命令队列深度。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括基于与所述命令队列中的若干命令相关联的若干物理地址来确定所述传送大小。
5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括基于若干循序读取命令来确定所述命令队列深度。
6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括基于所述第一读取命令的物理地址及所述第二读取命令的物理地址来确定所述若干循序读取命令。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括基于先行读取确定所述第一读取命令与所述第二读取命令之间的所述延迟。
8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括基于循序模式检测执行所述先行读取。
9.一种用于自适应读取干扰扫描的设备，其包括：
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一值小于所述第二值。
11.根据权利要求9所述的设备，其中所述处...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·R·乔杜里，K·K·姆奇尔拉，N·乔基尼，合田晃，辉俊胜，N·里盖蒂，J·S·帕里，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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