【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及集成电路和集成电路操作，且具体地，在一或多个实施例中，本公开涉及具有多个子块的存储器阵列结构、含有此类存储器阵列结构的设备及此类设备的操作。
技术介绍
1、集成电路装置普遍存在于广泛范围的电子装置中。一种特定类型包含存储器装置，时常简称为存储器。存储器装置通常作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置提供。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、同步动态随机存取存储器(sdram)和快闪存储器。
2、快闪存储器已发展成用于广泛范围的电子应用的受欢迎的非易失性存储器源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷阱)或其它物理现象(例如，相变或极化)进行编程(这通常被称作写入)，存储器单元的阈值电压(vt)的改变会确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(pda)、数码相机、数字媒体播放器、数...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述杂质的所述第二浓度低于所述杂质的所述第一浓度。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二场效应晶体管的所述沟道不含所述杂质。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述杂质包括硼。
5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二串联连接的存储器单元串横向地位于所述第一串联连接的存储器单元串与所述第三串之间。
7.根据权利要求5所述的设备，其中所述第三场效应晶体管的沟道经制造为具有所述第一浓度的所述
...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述杂质的所述第二浓度低于所述杂质的所述第一浓度。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二场效应晶体管的所述沟道不含所述杂质。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述杂质包括硼。
5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二串联连接的存储器单元串横向地位于所述第一串联连接的存储器单元串与所述第三串之间。
7.根据权利要求5所述的设备，其中所述第三场效应晶体管的沟道经制造为具有所述第一浓度的所述杂质。
8.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：
10.一种设备，其包括：
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一组场效应晶体管中的每一场效应晶体管的相应沟道经配置以具有选自由以下组成的群组的相应浓度的杂质：所述杂质的第一浓度和不同于所述杂质的所述第一浓度的所述杂质的第二浓度。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述杂质的所述第二浓度低于所述杂质的所述第一浓度。
13.根据权利要求12所述的设备，其中具有所述第二浓度的所述杂质的场效应晶体管的沟道不含所述杂质。
14.根据权利要求11所述的设备，其中所述杂质包括硼。
15.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：
16.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：
17.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：
18.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括：
19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：
20.一种设备，其包括：
21.根据权利要求20所述的设备，其中所述存储器单元阵列包括含有多个存储器单元子块的存储器单元块，其中所述多个存储器单元子块中的每一存储器单元子块含有所述多组场效应晶体管中的一组相应场效应晶体管，并且其中所述多个存储器单元子块中存储器单元子块的数目小于或等于2^n。
22.根据权利要求21所述的设备，其中所述多组场效应晶体管是第一多组场效应晶体管，其中所述数据线是第一数据线，其中所述多个串联连接的存储器单元串是第一多个串联连接的存储器单元串，其中所述存储器单元阵列进一步包括第二多个串联连接的存储器单元串，并且其中所述设备进一步包括：
23.根据权利要求20所述的设备，其中n大于或等于一。
24.根据权利要求23所述的设备，其中n大于一，并且其中，对于所述多组场效应晶体管中的至少一组场效应晶体管，所述一组场效应晶体管中的所述n个场效应晶体管中的一者包括具有第一浓度的杂质的沟道，并且所述一组场效应晶体管中的所述n个场效应晶体管中的不同一者包括具有不同于所述杂质的所述第一浓度的第二浓度的所述杂质的沟道。
25.根据权利要求24所述的设备，其中所述杂质的所述第二浓度低于所述杂质的所述第一浓度。
26.根据权利要求24所述的设备，其中所述杂质是硼。
27.根据权利要求24所述的设备，其中，对于所述多组场效应晶体管中的至少一组场效应晶体管，所述一组场效应晶体管中的所述n个场效应晶体管中的一者包括具有第一浓度的杂质的沟道，并且所述一组场效应晶体管中的所述n个场效应晶体管中的不同一者包括具有不同于所述杂质的所述第一浓度的第二浓度的所述杂质的沟道。
28.根据权利要求20所述的设备，其中所述多组场效应晶体管是第一多组场效应晶体管，其中所述n个选择线是n个第一选择线，并且其中所述设备进一步包括：
29.一种设备，其包括：
30.根据权利要求29所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以使所述设备：
31.根据权利要求30所述的设备，其中所述第一场效应晶体管包括具有第一浓度的杂质的沟道，所述第二场效应晶体管包括具有高于所述杂质的所述第一浓度的第二浓度的所述杂质的沟道，所述第七场效应晶体管包括具有所述第一浓度的所述杂质的沟道，所述第八场效应晶体管包括具有所述第一浓度的所述杂质的沟道，所述第九场效应晶体管包括具有所述第一浓度的所述杂质的沟道，所述第十场效应晶体管包括具有所述第二浓度的所述杂质的沟道，所述第十一场效应晶体管包括具有所述第二浓度的所述杂质的沟道，且所述第十二场效应晶体管包括具有所述第二浓度的所述杂质的沟道。
32.根据权利要求31所述的设备，其中所述设备进一步包括：
33.根据权利要求29所述的设备，其中所述第二场效应晶体管包括具有第一浓度的杂质的沟道且所述第一场效应晶体管包括具有低于所述杂质的所述第一浓度的第二浓度的所述杂质的沟道。
34.根据权利要求31所述的设备，其中所述杂质是硼。
35.一种设备，其包括：
36.根据权利要求35所述的设备，其中在制造时确定所述第二组场效应晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：福住嘉晃，藤木润，田中秋二，西户雅信，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。