一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法技术

技术编号:41109212 阅读:30 留言:0更新日期:2024-04-25 14:02
本发明专利技术属于热释电线列器件的设计及微细加工领域,具体为一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法。本发明专利技术采用NiCr合金作为上电极和吸收层,将用于研究界面结构、材料分析的FIB聚焦离子束技术首次用于多元红外传感器件的底电极信号引出,通过第一次光刻制备图形化上电极时预留打孔的位置直观的精准打孔至底电极,进而与外电路完成电极互联使得整体器件能正常输出电信号。本发明专利技术有效解决了行业当前存在未刻到或过刻下电极,以及工艺复杂、加工难度大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于热释电线列器件的设计及微细加工领域,具体为一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,涉及到使用fib(聚焦离子束)对热释电线列器件进行开孔并将下电极引出和基于套刻工艺的上电极互连技术从而与外电路完成电极互联使得器件能正常输出电信号的方法。


技术介绍

1、随着热释电红外传感器应用场景和需求的不断发展,在位置识别、红外成像等领域对多元红外器件的需求不断增加,要满足上述应用场景和性能要求,采用基于热释电薄膜的多元红外传感器是最理想的解决方案之一。相关研究表明,采用离子注入剥离法制备的热释电薄膜单晶突破了传统方法制备薄膜的取向和性能限制,可以获得与单晶块材性能基本一致的高性能热释电单晶薄膜,为高性能红外器件的制备提供了良好的材料基础。

2、目前红外器件的发展趋势微敏感元材料形态由块体向薄膜、器件像元由单元向多元的发展,要求敏感元数量多且集成度高,所以需要从器件结构设计及工艺流程设计进行对应的改进,以便能够制造出性能优异的多元红外传感器件。

3、首先传统的单元红外传感器从上至下结构依次为:吸收层、上电极层、敏感元、下电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,其特征在于:

3.如权利要求1所述单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,其特征在于:

4.如权利要求1所述单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,其特征在于:所述步骤2刻蚀隔热沟槽采用ICP-RIE刻蚀。

【技术特征摘要】

1.一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法,其特征在于:

3.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗文博胡晨晓赵泽彬帅垚吴传贵张万里
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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