【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及形成微电子装置及存储器装置的方法，且涉及相关的微电子装置、存储器装置及电子系统。
技术介绍
1、微电子装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分开距离而增大微电子装置内的特征的整合位准或密度。另外，微电子装置设计者通常期望设计不仅紧凑，而且提供性能优势以及简化、更容易及更便宜制造设计的架构。
2、微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含(但不限于)易失性存储器装置。一种类型的易失性存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。dram装置可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含布置成在第一水平方向上延伸的行及在第二水平方向上延伸的列的dram单元。在一个设计配置中，个别dram单元包含存取装置(例如，晶体管)及电连接到所述存取装置的存储节点装置(例如，电容器)。dram装置的dram单元可通过沿存储器阵列的行及列布置的数字线及字线电存取且与dr...
【技术保护点】
1.一种形成微电子装置的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成微电子装置结构组合件包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括在所述槽孔区内形成电容器，至少一些所述电容器耦合到所述进一步接触结构中的一或多者。
5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成额外微电子装置结构组合件包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成微电子装置的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成微电子装置结构组合件包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括在所述槽孔区内形成电容器，至少一些所述电容器耦合到所述进一步接触结构中的一或多者。
5.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中形成额外微电子装置结构组合件包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其进一步包括选择所述微电子装置结构组合件的所述隔离材料及所述额外微电子装置结构组合件的所述额外隔离材料以各自包括介电氧化物材料。
9.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
11.一种形成微电子装置的方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括形成在所述第一半导体晶片的所述槽孔区内且与至少一些所述进一步接触结构电连通的额外电容器，在形成所述布线结构之后，至少一些所述额外电容器与所述第二半导体晶片的至少一些所述控制逻辑装置电连通。
14.根据权利要求11所述的方法，其中将所述第二半导体晶片附接到所述第一半导体晶片包括：
15.根据权利要求11到14中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·A·席赛克·艾吉，K·R·帕雷克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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