用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法技术

本发明专利技术属于半导体领域，尤其涉及用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法，在其一实施例中包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层，所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。本发明专利技术将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶组成的粘合层，当扩膜时，晶粒则置于点状胶上，并通过点状胶粘附于基体膜上，该基体膜受外力拉伸时，点状胶随基体膜被拉伸而产生的形变量较小，从而在后续去除晶粒时，晶粒上粘附的胶较少，从而改善晶粒在扩膜时的胶污染问题。

Thin film for grain enlargement and manufacturing method thereof

The invention belongs to the semiconductor field, in particular to a film for grain diffusing and a method for making the film. In one embodiment, the substrate film and an adhesive layer located on the substrate film are included. The adhesive layer consists of a plurality of discontinuously arranged dot-shaped adhesives whose size is smaller than the grain size. In the present invention, a flat and uniformly distributed adhesive layer in the prior art is improved to an adhesive layer composed of discontinuously arranged dotted glue. When the film is expanded, the grains are placed on the dotted glue and adhered to the matrix film by dotted glue. When the matrix film is stretched by external force, the deformation variable of the dotted glue with the stretching of the matrix film is larger than that of the latter. As a result, when the grains are subsequently removed, there are fewer adhesives adhered to the grains, thus improving the problem of glue contamination when the grains are expanded.

【技术实现步骤摘要】
用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种防止晶粒因扩膜而造成胶脏污染的用于晶粒扩膜的薄膜以及该薄膜的制作方法。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，当由晶圆切割为晶粒的过程中或切割完成后经常使用粘贴薄膜（如在LED芯片中，通常使用蓝膜胶带或白膜胶带）承接并进行扩膜。参看附图1和2，通常粘贴薄膜10的单面或者双面均匀地分布有粘性胶20，晶粒30即通过粘附于粘性胶20上而固定于粘贴薄膜10上进行扩膜。而当扩膜时，粘性胶20受外力F拉伸，其易粘附于晶粒30表面而不易去除，从而产生胶污染问题，而受到胶污染的晶粒在光电性及封装等方面都会有负面影响。
技术实现思路
为解决现有技术中晶粒扩膜时引起的胶污染问题，本专利技术在其一方面提供了用于晶粒扩膜的薄膜，包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层，其特征在于：所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。优选的，所述粘合层上还设置有多孔膜，所述多孔膜具有复数个孔洞，所述孔洞的位置与点状胶位置对应。优选的，所述基体膜与多孔膜之间还设置有粘合基体膜与多孔膜的片状胶。优选的，所述片状胶与点状胶一体成型。优选的，所述点状胶的尺寸范围为0.1-10μm，间距范围为0.1-10μm。优选的，所述点状胶的形状为圆形、方形、三角形或者不规则形。优选的，所述点状胶或片状胶的材料为亚克力胶或橡胶。优选的，所述点状胶规则或者不规则排列。优选的，所述基体膜和多孔膜的材料相同或者不同，为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。优选的，所述基体膜和多孔膜的厚度相同或者不同。优选的，所述点状胶的上表面与多孔膜上表面齐平或者高于多孔膜的上表面。为制作上述的用于晶粒扩膜的薄膜，本专利技术提供了如下制作方法，在其一制作方法中，包括如下步骤：S11、提供一基体膜；S21、于所述基体膜上设置网状材料层；S31、于所述网状材料层上涂覆粘合层；S41、去除网状材料层，于所述基体膜上形成由复数个不连续排列的点状胶组成的粘合层，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。在其二制作方法中，用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法，包括如下步骤：S12、提供一基体膜；S22、于所述基体膜上涂覆粘合层；S32、将多孔膜设置于粘合层表面，多孔膜具有复数个孔洞；S42、对多孔膜施加一定压力，所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。其中，所述步骤S42中，全部所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶。或者，部分所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶，剩余部分粘合层形成片状胶，所述片状胶粘附基体膜和多孔膜并与点状胶一体成型。本专利技术将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶组成的粘合层，当扩膜时，晶粒则置于点状胶上，并通过点状胶粘附于基体膜上，该基体膜受外力拉伸时，点状胶随基体膜被拉伸而产生的形变量较小，从而在后续去除晶粒时，晶粒上粘附的胶较少，从而改善晶粒在扩膜时的胶污染问题。附图说明图1为现有技术中用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒俯视示意图。图2为现有技术中用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒侧视示意图。图3为本专利技术之实施例一之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒俯视示意图。图4为本专利技术之实施例一之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒侧视示意图。图5为本专利技术之实施例一之用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法流程图。图6为本专利技术之实施例二之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒俯视示意图。图7为本专利技术之实施例二之用于晶粒扩膜的薄膜和晶粒侧视示意图。图8为本专利技术之实施例二之用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法流程图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。需说明的是，本专利技术的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本专利技术。实施例1参看附图3~4用于晶粒扩膜的薄膜，包括基体膜100以及位于其上的粘合层200，粘合层200由复数个不连续排列的点状胶201组成，点状胶201的尺寸小于晶粒300的尺寸。即，单个晶粒300通过多个点状胶201粘附于基体膜100上。点状胶的尺寸为微米级，具体范围为0.1-10μm，间距范围为0.1-10μm。点状胶201的形状可以为圆形、方形、三角形或者不规则形，本专利技术并不作特别限制，本实施例中优选为圆形点状胶201。点状胶201的材料为亚克力胶或橡胶，点状胶201具有粘性，其将晶粒粘附于基体膜100上。点状胶201规则或者不规则排列，本实施例优选为规则排列。基体膜100的材料为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。参看附图5，用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法，包括如下步骤：S11、提供一基体膜100；S21、于基体膜100上设置网状材料层；S31、于网状材料层上涂覆粘合层200；S41、去除网状材料层，于基体膜100上形成由复数个不连续排列的点状胶201组成的粘合层200，点状胶201的尺寸小于晶粒的尺寸。本专利技术将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶201组成的粘合层200，当扩膜时，晶粒300则置于点状胶201上，并通过点状胶201粘附于基体膜100上，该基体膜100受外力拉伸时，点状胶201随基体膜100被拉伸而产生的形变量较小，从而在后续去除晶粒300时，晶粒300上粘附的胶则较少，从而改善晶粒300在扩膜时的胶污染问题。实施例2参看附图6~7，本实施例提供的用于晶粒扩膜的薄膜，其制作方法更简便。与实施例的区别在于，本实施例粘合层200上还设置有多孔膜400，多孔膜400具有复数个孔洞，并且孔洞的位置与点状胶201位置对应。多孔膜400通过点状胶201粘附于基体膜100上，多孔膜400与基体膜100的非点状胶位置无粘合层200。具体的基体膜100、点状胶201如实施例1所述，此处不再赘述。其中，基体膜100和多孔膜400的材料可以相同或者不同，均为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种，其厚度可以相同或者不同。点状胶201的上表面与多孔膜400上表面齐平或者高于多孔膜400的上表面，为方便点状胶201粘附晶粒300，本实施例中点状胶201的上表面高于多孔膜400的上表面。参看附图8，用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法，包括如下步骤：S12、提供一基体膜100；S22、于所述基体膜上涂覆粘合层200；S32、将多孔膜400设置于粘合层200表面，多孔膜400具有复数个孔洞；S42、对多孔膜400施加一定压力，粘合层200由孔洞内向多孔膜400一侧突出形成不连续排列的点状胶201，点状胶201的尺寸小于晶粒300的尺寸。本实施例中，步骤S42对多孔膜400施加的压力较大，全部粘合层200由孔洞内向多孔膜400一侧突出形成不连续排列的点状胶201，多孔膜400与基体膜100的非点状胶位置无粘合层200，多孔膜400通过点状胶201粘附于基体膜100上。本实施例中的用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法，于基体膜100上通过粘合层200粘附多孔膜400，对多孔膜400施加一定的压力，即可将粘合层200从孔洞内挤出形成点状胶201，无需去除多孔膜400，即可制作具有点状胶201的用于晶粒扩膜的薄膜，制作方法简单、易操作。实施例3本实施例与实施2的区别在于，步骤S42对多孔膜400施加的压力较小，部分粘合层200由孔洞内向多孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于晶粒扩膜的薄膜，包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层，其特征在于：所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。

【技术特征摘要】
1.用于晶粒扩膜的薄膜，包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层，其特征在于：所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成，所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。2.根据权利要求1所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述粘合层上还设置有多孔膜，所述多孔膜具有复数个孔洞，所述孔洞的位置与点状胶位置对应。3.根据权利要求2所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述基体膜与多孔膜之间还设置有粘合基体膜与多孔膜的片状胶。4.根据权利要求3所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述片状胶与点状胶一体成型。5.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述点状胶的尺寸范围为0.1-10μm，间距范围为0.1-10μm。6.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述点状胶的形状为圆形、方形、三角形或者不规则形。7.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述点状胶或片状胶的材料为亚克力胶或橡胶。8.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述点状胶规则或者不规则排列。9.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜，其特征在于：所述基体膜与多孔膜的材料相同或不同，为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。10.根据权利要求2~4任意一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玉飞，邱智中，蔡吉明，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34