The invention discloses a LED chip with an electrode guide structure and a fabrication method. By setting an inverted conical structure and a mirror metal electrode structure matching the inverted conical structure, the contact area of the mirror metal electrode and the active layer of the MQW multi quantum well is reduced, and the two sides of the conical electrode structure are on the two side. It is beneficial for light to reflect light, thereby reducing the problem of light absorption. The reflectivity of the inverted hammer structure is less than the reflectivity of the transparent conductive layer, which reduces the total reflection between the air and further increases the output of light. Moreover, by setting the electrode groove in the effective epitaxial layer, the current density of the epitaxial layer is indirectly increased, which is better for the light generation.
【技术实现步骤摘要】
一种具有电极导光结构的LED芯片及制作方法
本专利技术涉及LED芯片制造
,更具体地说,尤其涉及一种具有电极导光结构的LED芯片及制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展,各种各样的LED芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中,为人们的生活带来了极大的便利。发光二极管(LightEmittingDiode,LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点,被广泛应用在照明、显示和背光等领域。但是,目前传统的LED芯片制作一般都是在外延层结构制备完成后再制作正背面电极,该正背面电极会吸收LED芯片发光,导致LED芯片出光量减少。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供了一种具有电极导光结构的LED芯片及制作方法,该LED芯片极大程度的降低了电极的吸光问题,提高了LED芯片的出光量,且增大了外延层结构内的电流密度,更好的有利于出光。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种具有电极导光结构的LED芯片的制作方法,所述制作方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成外延层结构,所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的布拉格反射镜层、第一型半导体层、MQW多量子阱有源层、第二型半导体层以及透明导电层,其中,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;刻蚀去除部分所述透明导电层以及部分所述第二型半导体层,直至暴露出所述MQW多量子阱有源层,形成电极凹槽;在所述电极凹槽内形成倒锤形结构,所述倒锤形结构的开口大小在所述第一方向上逐渐变大,所述倒锤形结构的反射率小于所述透明导电层的反射率;在所述倒锥形结构内设置镜 ...
【技术保护点】
1.一种具有电极导光结构的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成外延层结构,所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的布拉格反射镜层、第一型半导体层、MQW多量子阱有源层、第二型半导体层以及透明导电层,其中,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;刻蚀去除部分所述透明导电层以及部分所述第二型半导体层,直至暴露出所述MQW多量子阱有源层,形成电极凹槽;在所述电极凹槽内形成倒锤形结构,所述倒锤形结构的开口大小在所述第一方向上逐渐变大,所述倒锤形结构的反射率小于所述透明导电层的反射率;在所述倒锥形结构内设置镜面金属电极结构,所述镜面金属电极结构与所述倒锥形结构相匹配。
【技术特征摘要】
1.一种具有电极导光结构的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成外延层结构,所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的布拉格反射镜层、第一型半导体层、MQW多量子阱有源层、第二型半导体层以及透明导电层,其中,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;刻蚀去除部分所述透明导电层以及部分所述第二型半导体层,直至暴露出所述MQW多量子阱有源层,形成电极凹槽;在所述电极凹槽内形成倒锤形结构,所述倒锤形结构的开口大小在所述第一方向上逐渐变大,所述倒锤形结构的反射率小于所述透明导电层的反射率;在所述倒锥形结构内设置镜面金属电极结构,所述镜面金属电极结构与所述倒锥形结构相匹配。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述电极凹槽内形成倒锤形结构包括:在所述电极凹槽内多次蒸镀氧化铟锡;采用氢氟酸对所述氧化铟锡进行抛光旋涂,形成侧壁光滑的倒锥形结构。3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述衬底为GaAs衬底。4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述透明导电层为GaP层。5.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾钊,赵炆兼,马祥柱,张国庆,陈凯轩,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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