The present invention provides a bandgap reference circuit. The bandgap reference circuit includes a charge pump circuit and a reference circuit, in which a power supply voltage is supplied to the charge pump circuit to output the charge pump circuit to control the power supply and to supply the regulatory power to the reference circuit, and the regulation power is higher than the power supply. The power supply voltage is used as the power supply of the reference circuit, and the reference circuit outputs the band gap reference voltage. The invention realizes the power voltage of the band gap reference circuit by using the charge pump circuit to provide the regulated voltage of the power supply voltage as the bandgap reference circuit. (1) the bandgap reference circuit can work normally when the power supply voltage is lower than the minimum supply voltage required for the bandgap reference circuit; (2) the regulated voltage of the charge pump circuit outputs the bandgap reference circuit. The power supply fluctuation range is reduced to the minimum (near zero), and the bandgap reference voltage of the bandgap reference circuit is stable and the accuracy is improved.
【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种带隙基准电路。
技术介绍
模拟电路广泛的包含电压基准和电流基准。这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是确定的。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关,具有确定温度特性的直流电压或电流。在大多数应用中,所要求的温度关系采取下面三中形式中的一种:1)与绝对温度成正比;2)常数Gm特性,也就是,一些晶体管的跨导保持常数;3)与温度无关。要实现基准电压源所需解决的主要问题是如何提高其温度抑制与电源抑制,即如何实现与温度有确定关系且与电源基本无关的结构。由于在现实中半导体几乎没有与温度无关的参数,因此只有找到一些具有正温度系数和负温度系数的参数,通过合适的组合,可以得到与温度无关的量,且这些参数与电源无关。半导体的导带底与价带顶之差为带隙(Band-gap)。带隙电压基准(Band-gapvoltagereference,简称为Band-gap)是利用一个与温度成正比的电压与二极管压降之和,二者温度系数相互抵消,实现与温度无关的电压基准。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多,因而称为带隙基准。现在有些Band-gap结构输出电压与带隙电压也不一致。但在现有的带隙基准电路中,若其供电电源的电压较低,则会影响到带隙基准电路输出的电压的准确性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种带隙基准电路,以实现带隙基准电路供电电源的电压低于带隙电路所需的最小电压。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种带隙基准电路,所述带隙基准电路包括电荷泵电路和基准电路,其中:一电源电压为所述电荷泵电路供电,以使所 ...
【技术保护点】
1.一种带隙基准电路,其特征在于,所述带隙基准电路包括电荷泵电路和基准电路,其中:一电源电压为所述电荷泵电路供电,以使所述电荷泵电路输出一调控电源,并将所述调控电源提供至所述基准电路,所述调控电源高于所述电源电压并作为所述基准电路的电源,所述基准电路输出带隙参考电压。
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路,其特征在于,所述带隙基准电路包括电荷泵电路和基准电路,其中:一电源电压为所述电荷泵电路供电,以使所述电荷泵电路输出一调控电源,并将所述调控电源提供至所述基准电路,所述调控电源高于所述电源电压并作为所述基准电路的电源,所述基准电路输出带隙参考电压。2.如权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,所述电源电压为1.2V,所述调控电源为2.4V,所述带隙参考电压为1.2V。3.如权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,所述基准电路包括第一晶体管和第二晶体管,其中:所述第一晶体管和所述第二晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接所述调控电源,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极相连接,所述第二晶体管的漏极连接所述第二晶体管的栅极。4.如权利要求3所述的带隙基准电路,其特征在于,所述基准电路还包括第三晶体管和第四晶体管,其中:所述第三晶体管和所述第四晶体管为P沟道场效应晶体管,所述第三晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极,所述第四晶体管的源极连接所述第二晶体管的漏极,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极相连接,所述第四晶体管的漏极连接所述第四晶体管的栅极。5.如权利要求4所述的带隙基准电路,其特征在于,所述基准电路还包括第五晶体管和第六晶体管,其中:所述第五晶体管和所述第六晶体管为N沟道场效应晶体管,所述第五晶体管的源极连接所述第三晶体管的漏极,所述第六晶体管的源极连接所述第四晶体管的漏极,所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极相连接,所述第五晶体管的漏极连接所述第五晶体管的栅极。...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐原,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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