掩膜板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种掩膜板及其制作方法，所述方法包括：提供掩膜板原料；对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小；对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理；对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀，在所述掩膜板原料上刻蚀出像素开口，形成具有所述像素开口的所述掩膜板。首先经过刻蚀，使得掩膜板原料的厚度减小，进而将掩膜板进行磨平处理后，使得该掩膜板原料能够刻蚀出像素开口间距更小的掩膜板，从而提高了掩膜板的蒸镀的PPI，并且有效避免掩膜板被刻穿，使得掩膜板的结构更为稳固，使得掩膜板的张拉性能更佳，且有效提高了掩膜板的使用寿命。

Mask and its fabrication method

The invention relates to a mask plate and a making method. The method includes: providing a mask material, etching one side of the mask material, reducing the thickness of the material of the mask plate, smoothing the face after the etching of the mask material, and making the material for the masks after the smoothing. Etching, the pixel opening is etched on the mask material, and the mask plate with the pixel opening is formed. After etching, the thickness of the mask material is reduced, and then the mask plate is smoothed and the mask plate can be etched out of the mask plate with smaller opening spacing, thus the PPI of the mask plate is improved, and the mask plate is effectively avoided and the structure of the mask plate is more stable. The tensile performance of the masking board is better, and the service life of the mask board is effectively improved.

【技术实现步骤摘要】
掩膜板及其制作方法
本专利技术涉及有机发光显示制造
，特别是涉及掩膜板及其制作方法。
技术介绍
AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)生产制程中最影响良率的即为蒸镀制程，蒸镀制程的基本过程即通过加热有机材料，使得有机材料蒸发，并通过高精度精细掩膜板及其制作方法蚀刻完成的通孔蒸镀到玻璃基板上，形成发光单元。PPI(pixelsperinch，每英寸像素数目)是图像分辨率的单位，表示的是每英寸所拥有的像素(pixel)数目。因此PPI数值越高，即代表显示屏能够以越高的密度显示图像。当然，显示的密度越高，拟真度就越高。高PPI显示屏是今后行业发展趋势。为了生产高PPI的显示屏，需要采用高精度精细掩膜板进行对像素的制备。目前高精度精细掩模板主要制作工艺是两面刻蚀。现有的高精度精细掩膜板的厚度在30μm以上，在制作高PPI(PPI大于400)高精度精细掩模板时，需要在掩膜板上刻蚀更多的图案开口，图案开口更为密集，图案开口之间的距离更小，若利用现有的高精度精细掩膜板，将会导致高精度精细掩模板的蒸镀面刻穿，使得相邻的像素开口被贯穿，从而影响高精度精细掩模板张拉性能及后续使用寿命。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种掩膜板及其制作方法。一种掩膜板的制作方法，包括：提供掩膜板原料；对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小；对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理；对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀，在所述掩膜板原料上刻蚀出像素开口，形成具有所述像素开口的所述掩膜板。在其中一个实施例中，所述对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀的步骤包括：对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀液刻蚀。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小的步骤包括：对所述掩膜板原料的一面进行激光刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小的步骤包括：对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀液刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀步骤中，所述掩膜板原料刻蚀掉的厚度与未被刻蚀掉的厚度的比为1：(1～2)。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀步骤中，所述掩膜板原料刻蚀掉的厚度与未被刻蚀掉的厚度的比为1：1。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理的步骤中，基于刻蚀后的所述掩膜板原料的最小厚度，对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理的步骤中，采用磨砂纸对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理。在其中一个实施例中，所述对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理的步骤中，采用钻头对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理。一种掩膜板，所述掩膜板采用上述任一实施例中所述的掩膜板制作方法制作而成。上述掩膜板及其制作方法，首先经过刻蚀，使得掩膜板原料的厚度减小，进而将掩膜板进行磨平处理后，使得该掩膜板原料能够刻蚀出像素开口间距更小的掩膜板，从而提高了掩膜板的蒸镀的PPI，并且有效避免掩膜板被刻穿，使得掩膜板的结构更为稳固，使得掩膜板的张拉性能更佳，且有效提高了掩膜板的使用寿命。附图说明图1为一个实施例的掩膜板的制作方法的流程示意图；图2A为一个实施例的掩膜板原料的剖面结构示意图；图2B为一个实施例的掩膜板原料的一方向结构示意图；图2C为一个实施例的经过半刻蚀的掩膜板原料的剖面结构示意图；图2D为一个实施例的经过半刻蚀的掩膜板原料的一方向结构示意图；图2E为一个实施例的经过磨平处理的掩膜板原料的剖面结构示意图；图2F为一个实施例的经过磨平处理的掩膜板原料的一方向结构示意图；图2G为一个实施例的刻蚀出像素开口的掩膜板的剖面结构示意图；图2H为一个实施例的刻蚀出像素开口的掩膜板的一方向结构示意图；图3为一个实施例的掩膜板的局部剖面结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。例如，一种掩膜板的制作方法，包括：提供掩膜板原料；对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小；对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理；对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀，在所述掩膜板原料上刻蚀出像素开口，形成具有所述像素开口的所述掩膜板。上述实施例中，首先经过刻蚀，使得掩膜板原料的厚度减小，进而将掩膜板进行磨平处理后，使得该掩膜板原料能够刻蚀出像素开口间距更小的掩膜板，从而提高了掩膜板的蒸镀的PPI，并且有效避免掩膜板被刻穿，使得掩膜板的结构更为稳固，使得掩膜板的张拉性能更佳，且有效提高了掩膜板的使用寿命。在一个实施例中，如图1所示，提供一种掩膜板及其制作方法，包括：步骤110，提供掩膜板原料。例如，如图2A和2B所示，提供未经加工处理的掩膜板原料210。具体地，该掩膜板原料210为未经刻蚀处理的掩膜板原料，该掩膜板原料为未经加工的掩膜板原料，或者说，该掩膜板原料上未开设像素开口。例如，提供厚度大于30μm的掩膜板原料，例如，提供厚度大于30μm，并且小于50μm的掩膜板原料。步骤130，对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小。例如，如图2C和2D所示，对所述掩膜板原料210的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料210的厚度减小。例如，对所述掩膜板原料的第一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小，为了与后续的刻蚀步骤区别，本步骤中的刻蚀为厚度减小的刻蚀，例如，对所述掩膜板原料的第一面进行厚度减小的刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小。例如，对所述掩膜板原料的一面进行半刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小，本步骤中，刻蚀为厚度减小的刻蚀，也叫半刻蚀，该半刻蚀对掩膜板原料的第一面进行整体刻蚀，并且不对掩膜板原料刻穿，也就是不刻蚀出开口。本实施中的半刻蚀指的是对掩膜板原料的一面的整体进行刻蚀，使得该掩膜板的厚度减小至未刻蚀前的二分之一至三分之二，例如，对所述掩膜板原料的一面进行半刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小至未进行半刻蚀前的二分之一。本步骤中，通过对掩膜板原料的第一面进行半刻蚀，使得掩膜板原料的厚度减小，这样，能够使得在后续在刻蚀像素开口时，能够刻蚀出密度更高的像素开口。步骤150，对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理。例如，对所述掩膜板原料刻蚀后的第一面进行磨平处理。例如，如图2E和2F所示，对所述掩膜板原料经过刻蚀后的一面进行打磨，使得掩膜板原料的一面打磨至平整。值得一提的是，半刻蚀工艺不能使得掩膜板原料表面平整地减小厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：提供掩膜板原料；对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小；对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理；对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀，在所述掩膜板原料上刻蚀出像素开口，形成具有所述像素开口的所述掩膜板。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：提供掩膜板原料；对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小；对所述掩膜板原料刻蚀后的一面进行磨平处理；对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀，在所述掩膜板原料上刻蚀出像素开口，形成具有所述像素开口的所述掩膜板。2.根据权利要求1所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀的步骤包括：对磨平后的所述掩膜板原料进行刻蚀液刻蚀。3.根据权利要求1所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小的步骤包括：对所述掩膜板原料的一面进行激光刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小。4.根据权利要求1所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小的步骤包括：对所述掩膜板原料的一面进行刻蚀液刻蚀，以使得所述掩膜板原料的厚度减小。5.根据权利要求1所述的掩膜板的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚建国，王衣可，杨颖，冉应刚，吴俊雄，柯贤军，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44