OLED器件与OLED显示器制造技术

本发明专利技术提供一种OLED器件与OLED显示器。本发明专利技术的OLED器件，通过将两个或者更多的发光单元串联在一起，可以成倍增加OLED器件的发光强度，有利于提高OLED显示器的显示效果。本发明专利技术的OLED显示器包含上述OLED器件，通过将两个或者更多的发光单元串联在一起，成倍增加发光强度，有利于激发量子点薄膜发出红、绿光，得到高色饱和度的红绿蓝三原色光，提高OLED显示器的色域；同时由于OLED显示器中对应红、绿、蓝像素的发光层均为蓝色发光层，避免使用精密金属掩膜板，有利于提高OLED显示器的分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED器件与OLED显示器。
技术介绍
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。目前小尺寸显示器(如手机，平板电脑)用到AMOLED显示器的比例越来越高，其技术路线是采用精密金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)制备红、绿、蓝发光层，构成红、绿、蓝子像素，从而得到红绿蓝三个子像素并列(Side by Side)式的AMOLED显示屏。但是随着市场对分辨率要求越来越高，受到精密金属掩膜板的精度限制，这种技术路线也显得越来越力不从心，不能满足市场对分辨率的需求。另外，现有的OLED器件的发光强度较低，同样不利于提高OLED显示器的显示效果，图1为一种现有的普通顶发射蓝光OLED器件的结构示意图，该顶发射蓝光OLED器件包括从下到上依次设置的全反射阳极100、空穴注入层200、空穴传输层300、电子阻挡层400、蓝光发光层500、电子传输层600、及半透明阴极700；所述电子阻挡层400、蓝光发光层500、及电子传输层600
构成一蓝光发光单元，由于该顶发射蓝光OLED器件只具有一个蓝光发光单元，因此发光强度较低，使得OLED显示器的显示效果较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED器件，可提高发光强度，有利于提高OLED显示器的显示效果。本专利技术的目的还在于提供一种OLED显示器，包含上述OLED器件，可提高发光强度，有利于激发量子点薄膜发出红、绿光，得到高色饱和度的红绿蓝三原色光，提高OLED显示器的色域，同时有利于提高OLED显示器的分辨率。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种OLED器件，包括从下到上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、第一发光单元、电荷产生层、第二发光单元、及阴极；其中，所述第一发光单元包括从下到上依次设置的第一电子阻挡层、第一发光层、及第一电子传输层，所述第二发光单元包括从下到上依次设置的第二电子阻挡层、第二发光层、及第二电子传输层；所述电荷产生层包括从下到上依次设置的电子产生层和空穴产生层。所述第一发光层与第二发光层均为蓝光发光层，所述蓝光发光层的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1联苯；所述第一发光层的厚度为5nm～40nm；所述第二发光层的厚度为5nm～40nm。所述阳极为全反射阳极，所述阴极为半透明阴极；所述阳极为由两氧化铟锡层夹合一金属层构成的复合层；所述氧化铟锡层的厚度为5nm～50nm；所述金属层的厚度为80nm～1000nm；所述阴极的材料包括锂、锂合金、镁、镁合金、钙、钙合金、锶、锶合金、镧、镧合金、铈、铈合金、铕、铕合金、镱、镱合金、铝、铝合金、铯、铯合金、铷、及铷合金中的一种或多种的组合；所述阴极的厚度为5nm～30nm。所述电子产生层的材料包括六腈六氮杂苯并菲；所述空穴产生层的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺；所述电子产生层的膜厚为5nm～50nm；所述空穴产生层的膜厚为5nm～50nm。所述空穴注入层的材料包括六腈六氮杂苯并菲；所述空穴注入层的厚度
为5nm～50nm；所述空穴传输层的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺；所述空穴传输层的厚度为5nm～50nm；所述第一电子阻挡层与第二电子阻挡层的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一电子阻挡层与第二电子阻挡层的厚度均为5nm～30nm；所述第一电子传输层包括重叠设置的两结构层，其中一结构层的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一结构层的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉与锂的混合物；所述第一电子传输层的厚度为5nm～50nm；所述第二电子传输层的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；所述第二电子传输层的厚度为5nm～50nm。本专利技术还提供一种OLED显示器，包括TFT基板、设于所述TFT基板上的OLED器件、设于所述OLED器件上方的封装盖板、以及设于所述封装盖板与OLED器件之间的封装胶材；所述OLED器件包括从下到上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、第一发光单元、电荷产生层、第二发光单元、及阴极；其中，所述第一发光单元包括从下到上依次设置的第一电子阻挡层、第一发光层、及第一电子传输层，所述第二发光单元包括从下到上依次设置的第二电子阻挡层、第二发光层、及第二电子传输层；所述第一发光层与第二发光层均为蓝光发光层；所述电荷产生层包括从下到上依次设置的电子产生层和空穴产生层；所述封装盖板包括盖板以及设于所述盖板上朝向所述OLED器件一侧的量子点薄膜；所述量子点薄膜包括红色像素单元、绿色像素单元、及蓝色像素单元，所述红色像素单元为红色量子点薄膜，所述绿色像素单元为绿色量子点薄膜，所述蓝色像素单元为透明材料或通孔；施加电压后，所述OLED器件发出蓝光，该蓝光激发构成所述红色像素单元的红色量子点薄膜发出红光，激发构成所述绿色像素单元的绿色量子点薄膜发出绿光，穿过所述蓝色像素单元透出蓝光，从而实现红绿蓝三原色显示。所述蓝光发光层的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1联苯；所述第一发光层的厚度为5nm～40nm；所述第二发光层的厚度为5nm～40nm。所述阳极为全反射阳极，所述阴极为半透明阴极；所述阳极为由两氧化铟锡层夹合一金属层构成的复合层；所述氧化铟锡层的厚度为5nm～50nm；所述金属层的厚度为80nm～1000nm；所述阴极的材料包括锂、锂合金、镁、镁合金、钙、钙合金、锶、锶合金、镧、镧合金、铈、铈合金、铕、铕合金、镱、镱合金、铝、铝合金、铯、铯合金、铷、及铷合金中的一种或多种的组合；所述阴极的厚度为5nm～30nm。所述电子产生层的材料包括六腈六氮杂苯并菲；所述空穴产生层的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺；所述电子产生层的膜厚为5nm～50nm；所述空穴产生层的膜厚为5nm～50nm。所述空穴注入层的材料包括六腈六氮杂苯并菲；所述空穴注入层的厚度为5nm～50nm；所述空穴传输层的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺；所述空穴传输层的厚度为5nm～50nm；所述第一电子阻挡层与第二电子阻挡层的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一电子阻挡层与第二电子阻挡层的厚度均为5nm～30nm；所述第一电子传输层包括重叠设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的阳极(10)、空穴注入层(20)、空穴传输层(30)、第一发光单元(40)、电荷产生层(50)、第二发光单元(60)、及阴极(70)；其中，所述第一发光单元(40)包括从下到上依次设置的第一电子阻挡层(41)、第一发光层(42)、及第一电子传输层(43)，所述第二发光单元(60)包括从下到上依次设置的第二电子阻挡层(61)、第二发光层(62)、及第二电子传输层(63)；所述电荷产生层(50)包括从下到上依次设置的电子产生层(51)和空穴产生层(52)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的阳极(10)、空穴注入层(20)、空穴传输层(30)、第一发光单元(40)、电荷产生层(50)、第二发光单元(60)、及阴极(70)；其中，所述第一发光单元(40)包括从下到上依次设置的第一电子阻挡层(41)、第一发光层(42)、及第一电子传输层(43)，所述第二发光单元(60)包括从下到上依次设置的第二电子阻挡层(61)、第二发光层(62)、及第二电子传输层(63)；所述电荷产生层(50)包括从下到上依次设置的电子产生层(51)和空穴产生层(52)。2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一发光层(42)与第二发光层(62)均为蓝光发光层，所述蓝光发光层的材料包括4,4′-二(2,2)-二苯乙烯基-1,1联苯；所述第一发光层(42)的厚度为5nm～40nm；所述第二发光层(62)的厚度为5nm～40nm。3.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述阳极(10)为全反射阳极，所述阴极(70)为半透明阴极；所述阳极(10)为由两氧化铟锡层夹合一金属层构成的复合层；所述氧化铟锡层的厚度为5nm～50nm；所述金属层的厚度为80nm～1000nm；所述阴极(70)的材料包括锂、锂合金、镁、镁合金、钙、钙合金、锶、锶合金、镧、镧合金、铈、铈合金、铕、铕合金、镱、镱合金、铝、铝合金、铯、铯合金、铷、及铷合金中的一种或多种的组合；所述阴极(70)的厚度为5nm～30nm。4.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述电子产生层(51)的材料包括六腈六氮杂苯并菲；所述空穴产生层(52)的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺；所述电子产生层(51)的膜厚为5nm～50nm；所述空穴产生层(52)的膜厚为5nm～50nm。5.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴注入层(20)的材料包括六腈六氮杂苯并菲；所述空穴注入层(20)的厚度为5nm～50nm；所述空穴传输层(30)的材料包括N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯
\t-4,4′-二胺；所述空穴传输层(30)的厚度为5nm～50nm；所述第一电子阻挡层(41)与第二电子阻挡层(61)的材料均包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；所述第一电子阻挡层(41)与第二电子阻挡层(61)的厚度均为5nm～30nm；所述第一电子传输层(43)包括重叠设置的两结构层，其中一结构层的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉，另一结构层的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉与锂的混合物；所述第一电子传输层(43)的厚度为5nm～50nm；所述第二电子传输层(63)的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲啰啉；所述第二电子传输层(63)的厚度为5nm～50nm。6.一种OLED显示器，其特征在于，包括TFT基板(110)、设于所述TFT基板(110)上的OLED器件(120)、设于所述OLED器件(120)上方的封装盖板(130)、以及设于所述封装盖板(130)与OLED器件(120)之间的封装胶材(150)；所述OLED器件(120)包括从下到上依次设置的阳极(10)、空穴注入层(20)、空穴传输层(30)、第一发光单元(40)、电荷产生层(50)、第二发光单元(60)、及阴极(70)；其中，所述第一发光单元(40)包括从下到上依次设置的第一电子阻挡层(41)、第一发光层(42)、及第一电子传输层(43)，所述第二发光单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：李先杰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44