附载体的金属箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种附载体的金属箔，其在对绝缘基板的积层步骤前，载体与金属层的密接力高，另一方面，不存在因对绝缘基板的积层步骤所导致的载体与金属层的密接性的极端上升或下降，且在载体/金属层能够容易地进行剥离。本发明专利技术是依序具有载体、含有氧的第一中间层、金属层的附载体的金属箔。附载体的金属箔在利用STEM进行射线分析时，在第一中间层中，10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的平均值为0.5nm以上且30nm以下，标准差/平均值为0.6以下。另外，在进行利用XPS的深度方向分析时，从被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下，标准差/平均值为0.6以下。

【技术实现步骤摘要】
附载体的金属箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
本专利技术涉及一种附载体的金属箔、积层体、印刷配线板的制造方法、电子机器的制造方法及附载体的金属箔的制造方法。
技术介绍
印刷配线板经过这半个世纪取得很大进展，现在甚至达到用于几乎所有的电子机器。伴随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断进展，而对印刷配线板要求导体图案的微细化(细节距化)或高频应对等。印刷配线板是先制成将铜箔与以玻璃环氧基板、BT树脂、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而成的覆铜积层体而进行制造。贴合是使用将绝缘基板与铜箔重叠并进行加热加压而形成的方法(层压法)、或将作为绝缘基板材料的前驱物的清漆涂布于铜箔的具有被覆层的面并进行加热、硬化的方法(铸造法)。伴随着细节距化，用于覆铜积层体的铜箔的厚度也变成9μm，进而变成5μm以下等，箔厚逐渐变薄。但是，如果箔厚变成9μm以下，则利用所述层压法或铸造法形成覆铜积层体时的操作性变得极差。因此，利用具有厚度的金属箔作为载体，并在该载体上隔着第一中间层而形成极薄铜层的附载体铜箔问世。附载体铜箔的一般使用方法为，在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，隔着第一中间层剥离载体。以往，在专利文献1中披露了如下方法：在载体箔的表面依序形成防扩散层、第一中间层、电镀铜层，使用Cr或Cr水合氧化物层作为第一中间层，使用Ni、Co、Fe、Cr、Mo、Ta、Cu、Al、P的单质或合金作为防扩散层，由此保持加热加压后的良好的剥离性。或者，已知作为第一中间层，由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或这些的合金或这些的水合物形成。进而，在专利文献2及3中记载了在实现加热加压等高温使用环境下的剥离性的稳定化方面，有效的是在第一中间层的基底设置Ni、Fe或这些的合金层。或者，在专利文献4中记载了一种附载体铜箔，其是具备载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层的附载体铜箔，并且所述中间层含有镍、铬，在所述中间层/极薄铜层间依据JISC6471进行剥离时，如果将由利用AES的从表面的深度方向分析获得的深度方向(x：单位nm)的铬的原子浓度(％)设为e(x)，将锌的原子浓度(％)设为f(x)，将镍的原子浓度(％)设为g(x)，将铜的原子浓度(％)设为h(x)，将氧的合计原子浓度(％)设为i(x)，将碳的原子浓度(％)设为j(x)，将其他原子浓度(％)设为k(x)，在从所述载体的中间层表面的深度方向分析的区间[0、1.0]，E(x)＝∫e(x)dx/(∫e(x)dx+∫f(x)dx+∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx)，将测定所述E(x)在宽度方向以20mm为间隔的10点及在长度方向以20mm为间隔的10点时的E(x)的标准差设为σE，将铬浓度的变动系数设为XE＝σE×100/(E(x)的20点的算术平均值)，则XE满足40.0％以下，所述E(x)的20点的算术平均值满足1～30％。或者，在专利文献5中记载了一种具备铜或铜合金的支撑体的复合铜箔及使用该复合铜箔的印刷基板，其特征在于：在铜或铜合金的支撑体与极薄铜箔之间的支撑体侧具有由氧化膜覆盖的镍层。或者，在专利文献6中记载了一种附载体铜箔，其是具备铜箔载体、积层在铜箔载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层的附载体铜箔，并且所述中间层含有导电性氧化物。或者，在专利文献7中记载了一种附载体铜箔，其是具备铜箔载体、积层在铜箔载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层的附载体铜箔，并且所述中间层含有具有尖晶石型结晶构造的氧化物。或者，在专利文献8中记载了一种附铜载体的铜箔，其特征在于：其是由铜载体、镍层、铜层的构造所构成，所述铜载体由压延铜箔或电解铜箔构成，并且能够以小于0.5kg/cm进行剥离，通过剥离，在铜载体上具有镍层，同时在铜层侧也具有镍层。或者，在专利文献9中记载了一种附铜载体用铜箔，其特征在于：其是由铜载体(A)、镍层(B)、层(C)及铜层(D)所构成，所述铜载体(A)由压延铜箔或电解铜箔构成，所述镍层(B)形成在该铜载体(A)上且厚度为0.03～2μm，所述层(C)形成在该镍层(B)上，厚度为0.3～15nm，且由金、铂族金属或这些的合金构成，所述铜层(D)形成在该由金、铂族金属或这些的合金构成的层(C)上。[
技术介绍
文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2006-022406号公报[专利文献2]日本专利特开2010-006071号公报[专利文献3]日本专利特开2007-007937号公报[专利文献4]日本专利特开2014-195871号公报[专利文献5]日本专利特开2002-368365号公报[专利文献6]日本专利特开2014-172183号公报[专利文献7]日本专利特开2014-172184号公报[专利文献8]WO2012-132572[专利文献9]WO2012-132578
技术实现思路
[专利技术所要解决的课题]在附载体的金属箔中，必须为，在对绝缘基板的积层步骤前，金属箔不易从载体剥离，另一方面，在对绝缘基板的积层步骤后，载体容易从金属箔剥离。关于专利文献1，虽然加热加压后的剥离性良好，但并未言及极薄铜箔表面的状态相关内容。另外，在该专利文献中虽然记载了防扩散层与第一中间层的顺序任意，但记载的实施例均为载体箔、第一中间层、防扩散层、电镀铜层的顺序，有在剥离时第一中间层/防扩散层界面发生剥离的担忧。那样的话，防扩散层会残留在电镀铜层(极薄铜层)的表面，导致形成电路时的蚀刻不良。关于专利文献2、3，并未发现考虑对载体/极薄铜箔间的剥离强度等特性进行充分研究的记载，尚有改善的余地。关于专利文献4，发现在将极薄铜层从附载体铜箔剥离后，通过控制载体的剥离面的铬浓度、及铬浓度的面内分布的不均，而将剥离强度的面内分布控制于一定范围内，由此对提高载体/极薄铜箔界面的剥离性极为有效，但如果考虑各金属的扩散，则众所周知铬本身并没有将中间层中所含的镍及铜箔及极薄铜层的铜的扩散抑制为镍以上的效果，可知仅通过铬浓度来控制剥离强度的不均并不充分。关于专利文献5、6、7，由于均匀地控制氧化膜的条件并不明确，因此产生因氧化膜的分布而导致剥离强度发生变动的问题。关于专利文献8、9，Ni镀层表面的氧化方法为大气暴露，存在氧化膜薄而无法剥离的情况。因此，本专利技术的课题在于提供一种附载体的金属箔，其在对绝缘基板的积层步骤前，载体与金属层的密接力高，另一方面，不存在因对绝缘基板的积层步骤所导致的载体与金属层的密接性的极端上升或下降，在载体/金属层能够容易地进行剥离。[解决课题的技术手段]为了达成所述目的，本专利技术者等人反复努力研究，结果发现，在具有含有氧的第一中间层的附载体的金属箔中，以如下方式进行控制，即，利用STEM对附载体的金属箔包含载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分的剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，氧为5at％以上的部分的厚度的平均值及标准差/平均值成为特定范围，由此可提供能够解决所述课题的附载体的金属箔。另外，发现在具有含有氧的第一中间层的附载体的金属箔中，以如下方式进行控制，即，在第一中间层/金属层间利用特定方法进行剥离并从载体的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种附载体的金属箔，其是依序具有载体、含有氧的第一中间层、金属层的附载体的金属箔，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔包含载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分的剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的平均值为0.5nm以上且30nm以下，标准差/平均值为0.6以下。

【技术特征摘要】
1.一种附载体的金属箔，其是依序具有载体、含有氧的第一中间层、金属层的附载体的金属箔，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔包含载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分的剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的平均值为0.5nm以上且30nm以下，标准差/平均值为0.6以下。2.根据权利要求1所述的附载体的金属箔，其中在所述10个部位的所述氧为5at％以上的厚度区域，Cr存在1at％以上。3.根据权利要求1所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔的载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的平均值为0.5nm以上且30nm以下。4.根据权利要求2所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔的载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的平均值为0.5nm以上且30nm以下。5.根据权利要求1所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔的载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的标准差/平均值为0.6以下。6.根据权利要求2所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔的载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的标准差/平均值为0.6以下。7.根据权利要求3所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔的载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的标准差/平均值为0.6以下。8.根据权利要求4所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，关于所述附载体的金属箔在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位，利用STEM对所述附载体的金属箔的载体的一部分、第一中间层及金属层的一部分剖面沿与载体的厚度方向相同的方向进行射线分析时，在所述第一中间层中，所述10个部位的氧为5at％以上的部分的厚度的标准差/平均值为0.6以下。9.根据权利要求1至8中任一项所述的附载体的金属箔，其是依序具有载体、含有氧的第一中间层、金属层的附载体的金属箔，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的所述氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下，标准差/平均值为0.6以下。10.一种附载体的金属箔，其是依序具有载体、含有氧的第一中间层、金属层的附载体的金属箔，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的所述氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下，标准差/平均值为0.6以下。11.根据权利要求10所述的附载体的金属箔，其中依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的Cr成为5at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.2nm以上且10nm以下。12.根据权利要求10所述的附载体的金属箔，其中依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的Cr成为5at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。13.根据权利要求11所述的附载体的金属箔，其中依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的Cr成为5at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。14.根据权利要求10所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下。15.根据权利要求11所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下。16.根据权利要求12所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下。17.根据权利要求13所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下。18.根据权利要求10所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。19.根据权利要求11所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。20.根据权利要求12所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。21.根据权利要求13所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。22.根据权利要求14所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。23.根据权利要求15所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。24.根据权利要求16所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位的合计10个部位进行利用XPS的深度方向分析时，从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至所述10个部位的氧成为10at％以下为止的以SiO2换算的深度的标准差/平均值为0.6以下。25.根据权利要求17所述的附载体的金属箔，其中在大气中、在压力20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下使所述附载体的金属箔从所述金属层侧热压接于绝缘基板，依据JISC6471使所述载体从所述附载体的金属箔剥离，在从所述被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起，对在宽度方向(TD方向)上以20mm为间隔的5个部位及在长度方向(MD方向)上以20mm为间隔的5个部位...

【专利技术属性】
技术研发人员：澁谷义孝，永浦友太，本多美里，前西原修，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP