硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法技术

本发明专利技术公开了一种，其中所述硅树脂胶包含2～5％触变剂，其中所述触变剂为氨基硅树脂。上述硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法，硅树脂胶在常温下具有较高的触变性，触变指数为2～3，在高温下具有较低的触变性，触变指数为小于等于1；从而在将其应用为LED的封装时，可以有效保证常温下混合于硅树脂胶中的荧光粉浓度的均匀性，使荧光粉常温时不易沉降，避免在存放或转移过程中由重力作用引起的荧光粉浓度不均问题，由于硅树脂胶在100‑120℃温度下触变性和粘度大大降低，从而混合于硅树脂胶中的荧光粉可以均匀沉降至芯片表面，在基本不提高成本的前提下提升成品落Bin良率，解决了LED封装过程中成品落Bin良率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法
本专利技术涉及LED封装领域，特别涉及一种硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法。
技术介绍
近年来，随着LED产品的普及，照明市场规模巨大，产品成本降低压力大，同时，终端照明产品设计为了追求更高的光色品质，对光源的光色一致性要求更加严格，从原来的6阶麦克亚当椭圆，提升至5阶，甚至部分更加严格要求为3阶，这也就促使中游封装厂家努力改善成品落Bin(有效色区)良率，以提升光源的光色一致性，并同时降低生产成本，提升自身的竞争力。通常情况下，通过严格卡控封装物料的来料检验标准可以在一定程度上提升落Bin良率，但若是物料标准过于严格，会导致物料采购成本上升，物料供货困难等问题。目前，大多数厂家采用专用高速离心设备，通过增加一道离心工艺的方法，以提升成品落Bin良率，不足之处是增加设备，工艺，耗时长，生产成本增加。部分厂家采用在封装胶中添加抗沉降粉(纳米级SiO2，添加量1-3％)，这虽然节约了生产成本，在一定程度上可以提升成品落Bin良率，但是由于封装操作过程，加热固化过程中封装胶粘度的不可控，导致荧光粉沉降不均，造成成品落Bin良率仍无法达到目标要求。中国专利申请CN103497760A公开了一种防荧光粉沉降的高触变性LED果冻胶，通过在硅胶中添加高触变材料制备高触变性硅胶体系，使得改性荧光粉和高触变性硅胶体系混合，变成了完全无流动性的果冻胶，解决了荧光粉在硅胶中的沉降问题以及可实现无模具成型，但这种技术仅适用于平面型基板或灯丝产品，此类产品光学要求一般不高；而对于目前主流的，对光学要求较高的碗杯型SMD(SurfaceMountedDevices，表面贴装器件)产品和高固焊密度的COB(ChipOnBoard，板上芯片)产品，由于该材料是完全无流动性的果冻型，点入SMD碗杯或COB腔体内的果冻胶因其无流动性易产生气泡或空洞,影响产品质量。上述技术方案在提升成品落Bin良率时，或提升原料的标准造成生产成本增加，或增加离心工艺造成工艺复杂、成本增加，或对封装胶进行改进，但是并不能提高成品落Bin良率或满足所有类型的LED产品。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术中LED封装落成品Bin良率低的问题，提供一种硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法。本专利技术提供的一种硅树脂胶，其中所述硅树脂胶包含2～5％份触变剂，其中所述触变剂为氨基硅树脂。在其中一个实施例中，所述硅树脂胶还包含苯基硅树脂、甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、MQ硅树脂中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述硅树脂胶在100～120℃条件下的触变指数小于等于1，粘度为100-500cps。在其中一个实施例中，所述硅树脂胶在常温下的触变指数为2-3，粘度为8000-12000cps。本专利技术还提供一种硅树脂胶在LED封装中的应用方法,其中包括以下步骤：S001固焊；S002封装；S003消触变；S004固化；其中，所述封装采用如权利要求1-4任一项所述的硅树脂胶；所述S003消触变是将S002步骤中封装后的产品在温度为100～120℃的条件下加热10-30min；所述S004固化是将S003步骤中加热后的产品在温度为120-150℃的条件下加热2-3h。在其中一个实施例中，所述S001固焊是将待加工芯片固定在支架或基板上并形成电连接。在其中一个实施例中，所述S002封装是通过点胶、灌胶或模压任一种封装方式将硅树脂胶封装在固焊后的芯片上。在其中一个实施例中，硅树脂胶包含20-50％荧光粉。在其中一个实施例中，所述S003消触变时的压强为500-1000Pa。在其中一个实施例中，所述S004固化时的加热温度为150℃。上述硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法，硅树脂胶在常温下具有较高的触变性，触变指数为2～3，在高温下具有较低的触变性，触变指数为小于等于1；从而在将其应用为LED的封装时，可以有效保证常温下混合于硅树脂胶中的荧光粉浓度的均匀性，使荧光粉常温时不易沉降，避免在存放或转移过程中由重力作用引起的荧光粉浓度不均问题，由于硅树脂胶在100-120℃温度下触变性和粘度大大降低，从而混合于硅树脂胶中的荧光粉可以均匀沉降至芯片表面，在基本不提高成本的前提下提升成品落Bin良率，解决了LED封装过程中成品落Bin良率低的问题；上述硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法，所述触变剂同为硅树脂材料，相容性好，基本不会改变硅树脂胶的物理化学特性，既能达到优异的透光率，又能通过温度调节改变硅树脂胶的触变性和粘度，合理控制荧光粉的浓度和沉降。上述硅树脂胶及其在LED封装中的应用方法，通过在消触变步骤中增加一定压强，保证荧光粉在硅树脂胶中下沉的方向性、一致性、时效性，从而使形成的荧光薄膜沉降均匀，一致性好，具有更好的发光效果。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术硅树脂胶在LED封装中的应用方法流程图；图2为实施例1硅树脂胶消触变前后示意图；图3为实施例1制得的封装LED成品L1落Bin良率测定结果示意图；图4为对比例1制得的封装LED成品E1落Bin良率测定结果示意图；其中，1-基板；2-正负极分界材料；3-围堰；4-芯片；5-键合线；6-荧光粉；7-凹槽。具体实施方式为使本专利技术技术方案更加清楚，以下结合附图及具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。本专利技术提出的一种硅树脂胶，该硅树脂胶包含2～5％触变剂，其中触变剂为氨基硅树脂，所述硅树脂可以是常规用于LED封装的树脂，例如可以是苯基硅树脂、甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、MQ硅树脂中的一种或几种。其中，所述MQ硅树脂是硅树脂的一种，系由单冠能度的硅氧氮源(R3SiO0.5，简称M单元)和四官能度的硅氧氮源(SiO4/2，简称Q单元)组成的一种具有双层结构的紧密球状物，其摩尔质量一般为1000～8000g·mol-1，主要结构式为[R1R2R3SiO1/2]a[SiO4/2]b(R1，R2，R3为Me，Ph，Vi，OH，H等)。优选的，所述硅树脂胶常温下的触变指数为2～3，粘度为8000-12000cps。本专利技术中，常温是指25℃。优选的，所述硅树脂胶在100～120℃条件下的触变指数小于等于1，或粘度为100-500cps。请参阅图1所示，上述硅树脂胶在LED封装中的应用方法,包括以下步骤：S001固焊；S002封装；S003消触变；S004固化；其中所述S001固焊可以选自常规的方法，例如将芯片固定在具有碗杯型凹槽支架或有围堰型凹槽的基板上，通过导电材料使芯片的正负极与支架或基板的正负极形成电连接；其中芯片可以是正装芯片或倒装芯片，正装芯片可采用导电材料制备的键合线形成电连接，倒装芯片可以直接采用导电材料固定并形成电连接，导电材料可以是金属或合金，例如可以是金、银、铜、铝合金等；其中所述S002封装可以选自常规的方法，例如可以是点胶封装、灌胶封装或模压封装将硅树脂胶封装在固焊后的芯片上；其中所述S003消触变是将S002封装步骤中封装后的芯片在温度为100～120℃的条件下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅树脂胶，其特征在于所述硅树脂胶包含2～5％触变剂，其中所述触变剂为氨基硅树脂。

【技术特征摘要】
1.一种硅树脂胶，其特征在于所述硅树脂胶包含2～5％触变剂，其中所述触变剂为氨基硅树脂。2.根据权利要求1所述的硅树脂胶，其特征在于所述硅树脂胶还包含苯基硅树脂、甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、MQ硅树脂中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的硅树脂胶，其特征在于所述硅树脂胶在100～120℃条件下的触变指数小于等于1，粘度为100-500cps。4.根据权利要求1所述的硅树脂胶，其特征在于所述硅树脂胶在常温下的触变指数为2-3，粘度为8000-12000cps。5.一种硅树脂胶在LED封装中的应用方法,其特征在于包括以下步骤：S001固焊；S002封装；S003消触变；S004固化；其中，所述封装采用如权利要求1-4任一项所述的硅树脂胶；所述S003消触变是将S002步骤中封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：任艳艳，杜超，
申请(专利权)人：惠州雷通光电器件有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44