一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，主要包括LED芯片、矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、反射杯、微型PCB基板、铜层、导电导热胶层和焊盘；所述PCB基板包括上表层、中间层和下表层，所述基板上表层的中部设有一凹槽，所述凹槽内由下往上依次设有第二铜层、SiC层和第二导热胶层。本发明专利技术通过改进基板各层顺序及层间结构以获得更好的透光和散热效果，同时最大程度避免光晕现象。本发明专利技术还在基板两端处设置电极条，同时对微型PCB基板的结构进行改进，以帮助芯片将热量散发出去，以及在上表层与下表层之间设有填充铜的实心散热孔，均加快了热量的流失。本发明专利技术还具有结构合理、对工艺的要求低、容易生产、良品率高、出光率高的优点。

Flip chip structure of high power ultraviolet LED chip eutectic welding

The invention discloses a high-power UV LED eutectic solder flip chip structure, including LED chip, silicone rubber layer, package layer, antireflection film, lens and reflector, micro PCB substrate, copper layer, conductive layer and pad; the PCB substrate includes an upper surface layer, middle layer and under the surface of the substrate on the surface of the middle part is provided with a groove, the groove from bottom to top is successively provided with second copper layer, SiC layer and a second conductive layer. The invention improves the transparency and heat dissipation effect by improving the sequence and the interlayer structure of the substrate, and simultaneously avoids the halo phenomenon to the greatest extent. The present invention is arranged at the both ends of substrate electrodes, and structure of the mini PCB substrate was improved, in order to help chip out the heat radiating holes, filling solid copper and is arranged between the upper surface layer and the lower surface, speed up heat loss. The invention also has the advantages of reasonable structure, low requirement for the process, easy production, high yield and high light extraction rate.

【技术实现步骤摘要】
一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构
本专利技术涉及LED封装结构领域，尤其涉及一种通过倒装工艺将LED芯片固定在PCB基板上的大功率紫外LED芯片倒装结构。
技术介绍
紫外LED产品具有节能环保、省电、高效率、响应速度快、使用寿命长、可靠性高且不含汞等优点，因此紫外LED产业在近几年备受关注。紫外LED产品应用中具体地如：紫外LED感应灯水龙头净化器、紫外LED捕鱼灯、紫外LED医疗等。现有技术中的一些紫外LED芯片倒装焊封装方式，将倒装芯片通过电极、焊料、导电布线层等固晶到基板上，再通过透镜等模具将封装胶注入、填充后，模顶到基板上形成对LED芯片的包裹和固定，从而完成元器件的模顶封装，但是以上封装方式会导致芯片有源区面积损失大、器件尺寸较大、芯片易氧化以及出现后期管芯测试过程中模具透镜摘除等问题，紫外LED芯片倒装结构出光率低、散热性差、透镜的抗黄能力较弱，还存在材料对光线的吸收、成本高、可靠性差等缺点。另外，运用在紫外LED芯片上的传统线焊属于点接触，存在瞬间的大电流冲击、烧断以及虚焊等问题。如图2所示为现有技术中的一种紫外LED芯片模顶倒装焊结构，主要包括芯片、基板和金属凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，包括LED芯片、设置在LED芯片处的透光结构以及微型PCB基板散热结构；所述透光结构位于LED芯片的上方，基板散热结构位于下方；所述透光结构包括矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、以及用于增强聚光效应的反射杯；所述LED芯片固定在反射杯内；所述矽胶层、封装胶层先后覆盖在LED芯片的多个表面上，所述矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜由内而外依次覆盖在LED芯片上；所述微型PCB基板散热结构包括PCB基板、设置在PCB基板上的第一铜层、以及导电导热胶层；所述第一铜层覆盖在PCB基板的上表面，所述导电导热胶层固定在第一铜层上，与第一铜层电气连接；所述LED...

【技术特征摘要】
1.一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，包括LED芯片、设置在LED芯片处的透光结构以及微型PCB基板散热结构；所述透光结构位于LED芯片的上方，基板散热结构位于下方；所述透光结构包括矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、以及用于增强聚光效应的反射杯；所述LED芯片固定在反射杯内；所述矽胶层、封装胶层先后覆盖在LED芯片的多个表面上，所述矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜由内而外依次覆盖在LED芯片上；所述微型PCB基板散热结构包括PCB基板、设置在PCB基板上的第一铜层、以及导电导热胶层；所述第一铜层覆盖在PCB基板的上表面，所述导电导热胶层固定在第一铜层上，与第一铜层电气连接；所述LED芯片底部设有两个用于电气连接的焊盘，所述焊盘与导电导热胶层连接。所述PCB基板包括上表层、中间层和下表层，所述上表层中部设有一凹槽，所述凹槽内由下往上依次设有第二铜层、SiC层和第二导热胶层；所述第二导热胶层的中部向上凸起形成凸台，所述凸台的顶部与LED芯片底部接触，两侧与焊盘接触；所述中间层为PCB基板的绝缘介电层，所述下表层为铝层。2.根据权利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，还包括起固定和保护作用的外封装支架，所述外封装支架的一端固定在微型PCB基板上，另一端向上延伸将LED芯片及透光结构包围。3.根据权利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述反射杯的外侧还设有用于吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，杨思攀，熊德平，王成民，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44