The invention relates to a sodium niobate based piezoelectric ceramics preparation method, belonging to the field of new lead-free functional ceramics. To improve the electrical properties of piezoelectric ceramic and between potassium niobium acid sodium to improve the solubility of potassium sodium niobate based piezoelectric ceramics potassium sodium niobate based by the method of the invention; the raw materials and the mole percentage: 48 52% K2CO3, 48 Na2CO3, 96 52% 100% Nb2O5, 0 Sb2O3 4%. The method of the invention can control the morphology of sodium potassium niobate based effective piezoelectric ceramic phase structure, thereby improving the potassium sodium niobate based piezoelectric ceramics, electrical properties.
【技术实现步骤摘要】
一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法
本专利技术涉及一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法,属于新型无铅基功能陶瓷领域。
技术介绍
压电陶瓷是一类能够实现机械能和电能相互转换的重要功能材料,在传感器、驱动器、换能器、无损检测和通讯技术等领域获得了广泛的应用。以锆钛酸铅(PZT)为主的铅基压电陶瓷在世界压电材料市场占据主导地位,但是高达60%以上的氧化铅含量给人类及生态环境带来严重的危害。因此,开发和探索性能优异的无铅压电陶瓷材料已成为各国学者研究的热点。铌酸钾钠(KNN)系压电陶瓷因其具有较高的居里温度以及良好的性能,是最有前景的无铅压电陶瓷之一。然而,KNN的制备工艺性差,烧结温度较窄,碱金属元素K+、Na+在高温下极易挥发,采用传统制备工艺难以获得致密性良好和综合性能优良的无铅压电陶瓷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法,该方法通过提高铌酸钾钠基压电陶瓷中铌酸钾与铌酸钠之间固溶度来改善铌酸钾钠基压电陶瓷的电学性能;具体包括以下步骤:(1)将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Sb2O3进行球磨,其中各原料及其摩尔百分数为:48-52%的K2CO3、48-52%的Na2CO3、96-100%的Nb2O5、0-4%的Sb2O3。(2)将步骤(1)得到的混合粉末干燥后进行压制,然后在700~900℃保温1.5~2.5h进行预烧合成锑掺杂铌酸钾钠(KNNS)粉末。(3)将KNNS粉末进行二次球磨、干燥,然后加入聚乙烯醇水溶液进行研磨,造粒后压制成圆片。(4)将步骤(3)得到的圆片以1~3℃/min的升温至550~650℃保温1~3h进 ...
【技术保护点】
一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:(1)将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Sb2O3进行球磨,其中各原料及其摩尔百分数为:48‑52%的K2CO3、48‑52%的Na2CO3,96‑100%的Nb2O5、0‑4%的Sb2O3;(2)将步骤(1)得到的混合粉末干燥后进行压制,然后在700~900 ℃保温1.5~2.5 h进行预烧合成锑掺杂铌酸钾钠粉末;(3)将锑掺杂铌酸钾钠粉末进行二次球磨、干燥,然后加入聚乙烯醇水溶液进行研磨,造粒后压制成圆片;(4)将步骤(3)得到的圆片以1~3℃/min的升温至550~650 ℃保温1~3 h进行排胶处理,排胶后的圆片用锆粉封埋在1000~1150℃保温1~3 h 制得压电陶瓷样品。
【技术特征摘要】
1.一种铌酸钾钠基压电陶瓷的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:(1)将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Sb2O3进行球磨,其中各原料及其摩尔百分数为:48-52%的K2CO3、48-52%的Na2CO3,96-100%的Nb2O5、0-4%的Sb2O3;(2)将步骤(1)得到的混合粉末干燥后进行压制,然后在700~900℃保温1.5~2.5h进行预烧合成锑掺杂铌酸钾钠粉末;(3)将锑掺杂铌酸钾钠粉末进行二次球磨、干燥,然后加入聚乙烯醇水溶液进行研磨,造粒后压制成圆片;(4)将步骤(3)得到的圆片以1~3℃/min的升温至550~650℃...
【专利技术属性】
技术研发人员:严继康,姜贵民,郭根生,徐腾威,杜景红,甘国友,易健宏,
申请(专利权)人:昆明理工大学,
类型:发明
国别省市:云南,53
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。