The invention discloses a lead based high dielectric constant capacitor dielectric material and preparation method thereof, belonging to the technical field of preparation of capacitor dielectric material, the material can be sintered at a lower temperature, and the room temperature (25 C) dielectric constant of more than 5000, and maintain a high dielectric constant at wide temperature range, high density. At the same time, based on this system, subsequent doping modification is expected to maintain a dielectric constant change rate of less than 15% from 55 to 125 X7R, that is, the temperature standard of the MLCC ceramic capacitor. It has potential as a ceramic capacitor ceramic powder. The preparation method adopts two step solid phase reaction, which is simple in operation and low in equipment requirements. When the dielectric constant of products is high, the sintering temperature is relatively low (below 1300 degrees Celsius), the reaction conditions are easy to control, and the repeatability is good.
【技术实现步骤摘要】
一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法
本专利技术属于电容器介质材料制备
,具体涉及一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法。
技术介绍
随着电子整机产品市场的不断扩大,移动通信设备与便携式计算机产品的日益普及,多层陶瓷电容器(MLCC)的全球市场也在不断扩大。同时对于MLCC,研究的趋势是不断缩小其体积、扩大其电容,并保持较宽的工作温度范围。这些要求都促使国内外电容器生产厂商加大对MLCC材料体系与生产工艺的开发,目前已经取得了一定的成绩。目前来看,大容量的MLCC电容器多采用碳酸钡基(BT基)陶瓷粉体作为MLCC电容器瓷料,基于BT基的MLCC瓷料粉体介电常数多在2000到4000之间,烧结温度在1300℃以上。而通过对BT基陶瓷进行成分改性,如对Ba元素或者Ti元素进行一定程度的改性,烧结温度会有一定程度的降低,但是介电常数和温度稳定性会有一定长度的下降。目前MLCC的陶瓷粉体专利也多集中在BT基陶瓷体系上,如中国专利技术专利1(CN103204677A),介电常数在2000到3500之间。而中国专利技术专利2(CN104291808A),其报道的介电常数为≥3500,也很难超过4000。因此寻找室温介电常数超过4000的新的材料体系,成为MLCC研究的一个关注热点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铅基高介电常数电容器介质材料及其制备方法。本专利技术是通过以下技术方案来实现:本专利技术公开了一种铅基高介电常数电容器介质材料,该介质材料由式(1)所示的组分以及式(1)中各组分总质量2%的SrTiO3组成;0.3575PbTiO3 ...
【技术保护点】
一种铅基高介电常数电容器介质材料,其特征在于,该介质材料由式(1)所示的组分以及式(1)中各组分总质量2%的SrTiO3组成;0.3575PbTiO3‑xPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑(0.6425‑x)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(1);其中,x=0.41~0.47。
【技术特征摘要】
1.一种铅基高介电常数电容器介质材料,其特征在于,该介质材料由式(1)所示的组分以及式(1)中各组分总质量2%的SrTiO3组成;0.3575PbTiO3-xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(0.6425-x)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(1);其中,x=0.41~0.47。2.权利要求1所述的铅基高介电常数电容器介质材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)按1:1的摩尔比称取原料MgO与Nb2O5,混合后球磨,得到混合料,将混合料烘干、研磨、过筛后于1100℃下预烧,保温6h后冷却至室温,再次球磨,制得MgNb2O6;2)按式(1)计量配比,称取原料PbO、BaCO3和ZnO;再称取原料PbO、BaCO3、ZnO、MgO和Nb2O5总质量2%的SrTiO3;3)将步骤1)制得的MgNb2O6和步骤2)称取的原料混合后进行球磨,得到混合料,将混合料烘干、研磨、过筛后于920℃下进行预烧,保温6h后冷却至室温,再次球磨;4)将步骤3)球磨后的粉料于950℃下进行二次预烧,保温15h后冷却至室温,再次球磨、烘干;5)将步骤4)烘干后的粉料研磨、过筛后,加入粉料质量5%~10%的聚乙烯醇,混合均匀后,过筛取60~100目的粉料;6)将步骤5)处理后的粉料静置后,压制成圆柱状坯件,然后煅烧排胶;7)将步骤6)排胶后的坯体于1240~1260℃下烧结处理,冷却至室温,得陶瓷片,即铅基高介电常数电容器介质材...
【专利技术属性】
技术研发人员:靳立,罗文汀,魏晓勇,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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