Disclosed is a method for forming a fine pattern of a semiconductor device without requiring a large amount of exposure and hardening the boot pattern to form a pattern of 20 nanometer line widths. The method comprises the following steps: (a) a photoresist layer is formed on the wafer organic anti reflective coating in the form; (b) exposing the photoresist layer and the negative color developing solution for developing a photoresist layer to form a guide pattern; (c) the formation of neutral layer wafer guide the pattern in the formation; (d) the developing pattern guide to remove the guide pattern and form a neutral layer pattern having an opening caused by removing the guide pattern; (E) a neutral layer pattern formed in the substrate coated on directed self-assembly (DSA) copolymers (BCP), more than in the glass the transition temperature (Tg) temperature and heating the substrate to form a directed self-assembly pattern; and (f) in directional selective etching using oxygen plasma has a relatively low resistivity self-assembly pattern by etching (or high etching rate) part in Form a fine pattern.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成半导体器件的精细图案的方法,特别涉及通过使用定向自组装技术(平版印刷术)能形成线宽20纳米级的图案的形成半导体器件精细图案的方法,无需引导图案的大量曝光(bulk-exposure)和硬化。
技术介绍
半导体器件的缩小与高集成度需要一种实现半导体器件的精细图案的技术。在形成半导体器件的精细图案的方法中,最有效的方法是使用通过曝光工艺的显影(development)和新的渐进加工技术得到的精细光致抗蚀剂图案。然而,曝光工艺的显影造成许多投资费用并降低了惯用的现有工艺的利用率。因此,对于新加工技术的研究更积极地进行。在新工艺中,使用嵌段共聚物(BCP)的自动定向的定向自组装(DSA)平版印刷术预计能形成线宽20纳米或更小的精细图案,其被认为是传统的光学图样成型技术的极限。根据用于形成引导图案的光致抗蚀剂成分,例如使用氟化氩(ArF),氟化氪(KrF)、I-line极超紫外线(EUV)、电子束作为光源的光致抗蚀剂成分,使用DSA平版印刷术的用于形成半导体器件的精细图案的方法可被修改。在用于形成半导体器件的精细图案的一种方式中,引导图案形成于中立层上,BCP涂层形成于引导图案之间的空间上,且BCP涂层在玻璃化转变温度(Tg)的温度下受到热处理并且接着被重新设置,从而可以得到有序定向的自组装图案。可选择地,引导图案形成并被硬化,中立层形成于引导图案上,引导图案通过显影被移除,BCP涂层 ...
【技术保护点】
一种用于形成半导体器件的精细图案的方法,包括以下步骤:(a)在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层;(b)曝光所述光致抗蚀剂层并用负色性显影溶液使所述光致抗蚀剂层显影以形成引导图案;(c)在形成有所述引导图案的所述晶片上形成中立层;(d)使所述引导图案显影以移除所述引导图案并形成具有由所述引导图案的移除造成的开口部的中立层图案;(e)在形成有中立层图案的所述衬底上涂覆定向自组装(DSA)材料的嵌段共聚物(BCP),在超过玻璃化转变温度(Tg)的温度下加热所述衬底以形成定向自组装图案;以及(f)在所述定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性地蚀刻具有相对低蚀刻电阻率(或高蚀刻率)的部分以形成精细图案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.29 KR 10-2011-00988381.一种用于形成半导体器件的精细图案的方法,包括以下步骤:
(a)在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层;
(b)曝光所述光致抗蚀剂层并用负色性显影溶液使所述光致抗蚀剂层
显影以形成引导图案;
(c)在形成有所述引导图案的所述晶片上形成中立层;
(d)使所述引导图案显影以移除所述引导图案并形成具有由所述引导
图案的移除造成的开口部的中立层图案;
(e)在形成有中立层图案的所述衬底上涂覆定向自组装(DSA)材料
的嵌段共聚物(BCP),在超过玻璃化转变温度(Tg)的温度下加热所述衬
底以形成定向自组装图案;以及
(f)在所述定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性地蚀刻具有
相对低蚀刻电阻率(或高蚀刻率)的部分以形成精细图案。
2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件的精细图案的方法,其
中所述中立层包括苯乙烯和甲基丙烯酸甲酯的无规共聚物(PS-co-...
【专利技术属性】
技术研发人员:李正烈,张有珍,李载禹,金宰贤,
申请(专利权)人:株式会社东进世美肯,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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