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本发明公开一种无需大量曝光和硬化引导图案就能形成20纳米级线宽的图案的用于形成半导体器件精细图案的方法。方法包括以下步骤：（a）在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层；（b）曝光光致抗蚀剂层并通过负色性显影溶液显影光致抗蚀剂层以形成...
该专利属于株式会社东进世美肯所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东进世美肯授权不得商用。

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