【技术实现步骤摘要】
电流传感器制作方法与电流传感器
本专利技术涉及封装于IC外壳(IC=集成电路)内的电流传感器的制作方法,以及通过该方法生产的电流传感器,在该电流传感器中引出了穿过外壳的电流导体。
技术介绍
电流导体可有许多配置和变型。例如,用于检测由电流生成的磁场的、被封装于常规的IC外壳内的并且其中待测量的电流流过其内的电流导体被引导穿过外壳的电流传感器可从US7129691、WO2005026749、WO2006130393和US2010156394中了解。这样的电流传感器含有被布置为引线框的一部分的电流导体以及安装于引线框上的半导体芯片,该引线框被用于安装和产生电端子,该半导体芯片包含至少一个磁场传感器以及其操作所需的且用于处理其输出信号的电子器件。目前的电流传感器必须满足许多要求,特别是高灵敏度、对温度变化和应力免疫、在电流导体与电子器件之间典型为2~4kV的高介电强度以及最终的低生产成本。
技术实现思路
本专利技术基于开发出可满足上述要求达到极高的程度的电流传感器的目的。根据本专利技术,电流传感器以包括下列步骤的方法来制成:提供配置有电流端子引线/传感器端子引线以及与电流端子引线整体耦接的电流导体部分的引线框,该电流导体部分包含按照可使得待测量的电流沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式来成形的两个部分,使引线框变形以使电流导体部分处于相对于传感器端子引线而降低的位置,然后在电流导体部分上安装隔离器,提供具有至少0.2mm的厚度的半导体芯片,该半导体芯片包含四个霍尔传感器,每个霍尔传感器均集成于半导体芯片的有源表面处并提供霍尔输出信号,布置于半导体芯片的有 ...
【技术保护点】
一种用于制作电流传感器的方法,所述方法包括下列步骤:提供配置有电流端子引线(6)、传感器端子引线(6)以及与所述电流端子引线(5)整体耦接的电流导体部分(7)的引线框(1),所述电流导体部分(7)包含两个部分(8,9),所述两个部分(8,9)按照使得待测量的电流在所述两个部分(8,9)内沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式成形,使所述引线框(1)变形以使所述电流导体部分(7)位于相对于所述传感器端子引线(6)而降低的位置,然后将隔离器(2)安装于所述电流导体部分(7)上,提供具有至少0.2mm的厚度的半导体芯片(3),以及所述半导体芯片(3)包含四个霍尔传感器(13),每个霍尔传感器(13)被集成于所述半导体芯片(3)的有源表面(14)处并提供霍尔输出信号,布置于所述半导体芯片(3)的所述有源表面(14)上的磁场集中器(16),以及电子电路,被集成于所述有源表面(14)以操作所述霍尔传感器(13)并处理所述霍尔传感器(13)的所述霍尔输出信号以便提供与流过所述电流导体部分(7)的所述电流成正比的电流传感器输出信号,其中所述霍尔传感器(13)中的两个与所述磁场集中器(16)中 ...
【技术特征摘要】
2015.12.23 US 14/757,8661.一种用于制作电流传感器的方法,所述方法包括下列步骤:提供配置有电流端子引线(6)、传感器端子引线(6)以及与所述电流端子引线(5)整体耦接的电流导体部分(7)的引线框(1),所述电流导体部分(7)包含两个部分(8,9),所述两个部分(8,9)按照使得待测量的电流在所述两个部分(8,9)内沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式成形,使所述引线框(1)变形以使所述电流导体部分(7)位于相对于所述传感器端子引线(6)而降低的位置,然后将隔离器(2)安装于所述电流导体部分(7)上,提供具有至少0.2mm的厚度的半导体芯片(3),以及所述半导体芯片(3)包含四个霍尔传感器(13),每个霍尔传感器(13)被集成于所述半导体芯片(3)的有源表面(14)处并提供霍尔输出信号,布置于所述半导体芯片(3)的所述有源表面(14)上的磁场集中器(16),以及电子电路,被集成于所述有源表面(14)以操作所述霍尔传感器(13)并处理所述霍尔传感器(13)的所述霍尔输出信号以便提供与流过所述电流导体部分(7)的所述电流成正比的电流传感器输出信号,其中所述霍尔传感器(13)中的两个与所述磁场集中器(16)中的一个或多个形成第一磁场传感器,并且其中所述霍尔传感器(13)中的另外两个与所述磁场集中器(16)中的一个或多个形成第二磁场传感器,将所述半导体芯片(3)安装于所述隔离器(2)上,使得所述半导体芯片(3)的与所述有源表面(14)相反的背表面(15)面朝所述隔离器(2),然后通过导线键合(17)来连接所述半导体芯片(3)和所述传感器端子引线(6),然后将所述引线框(1)安置于模具的型腔内,然后用塑性材料对所述半导体芯片(3)和所述引线框(1)的关联部分进行模制,以便将所述半导体芯片(3)和所述引线框(1)的所述关联部分封装于塑料外壳(4)内,并且然后将所述引线框(1)的框架(10)从所述电流端子引线(5)和所述传感器端子引线(6)上切下。2.根据权利要求1所述的方法,还包括将应力缓冲器(18)分别施加于所述磁场集中器(16)以及所述半导体芯片(3)之上。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述引线框(1)具有均匀的厚度。4.根据权利要求2所述的方法,其中所述引线框(1)具有均匀的厚度。5.根据权利要求1所述的方法,其中布置于所述半导体芯片(3)的所述有源表面(14)上的所述磁场集中器(16)通过电镀来制成。6.根据权利要求2所述的方法,其中布置于所述半导体芯片(3)的所述有源表面(14)上的所述磁场集中器(16)通过电镀来制成。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法,其中所述隔离器(2)凸出到所述半导体芯片(3)的边缘之外。8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·阿克曼,B·布里,L·库洛特,R·拉兹,
申请(专利权)人:梅莱克塞斯技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士,CH
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。