位移检测装置制造方法及图纸

技术编号:17160213 阅读:46 留言:0更新日期:2018-02-01 19:02
本发明专利技术提供减少外部干扰噪声对要检测的磁场带来的影响、并且使利用单磁极的磁铁能够检测的范围比磁检测元件的间距宽的位移检测装置。位移检测装置(3)具有:磁铁(2),其在位移方向(Ds)进行位移且为棒状,并具有长度方向与位移方向(Ds)成预定角度(θ)的形状;以及传感器(IC1),其以预定间隔(dp)成对地配置磁检测元件组,输出该磁检测元件组的输出之差,该磁检测元件组在与位移方向(Ds)正交的x方向及z方向上对磁铁(2)形成的磁场的磁通密度进行检测。

Displacement detection device

The invention provides the effect of reducing the influence of external interference and noise on the magnetic field to be detected, and makes the detection device using the magnet of single magnet pole be able to detect the displacement detection device wider than the magnetic detection element. Displacement detection device (3) has a magnet (2), in the direction of displacement (Ds) displacement and rod, and has the length and direction of displacement (Ds) at a predetermined angle (theta) shape; and a sensor (IC1), which at a predetermined interval (DP) arranged in pairs magnetic detecting element group, the output difference detection output element of the magnetic group, the magnetic detection element group (Ds) and the direction of displacement in X direction and the Z direction orthogonal to the magnet (2) magnetic flux density of the magnetic field formed by the detection.

【技术实现步骤摘要】
位移检测装置
本专利技术涉及位移检测装置。
技术介绍
作为以往技术,提出了以下的位移检测装置(例如,参照专利文献1),该位移检测装置中,为了减少外部干扰噪声带来的影响,使用差动式的磁检测元件检测与检测对象的位移相应的磁场变化,检测出检测对象的位移。专利文献1中公开的位移检测装置具有:具有多磁极列的磁铁、和相对于该磁铁的多磁极列面进行平行移动的第1及第2传感器器件,第1及第2传感器器件构成电桥电路,基于与位移相应而从电路输出的信号检测位置。该位移检测装置使用作为检测对象的具有多磁极列的磁铁,将检测对象形成的磁场的范围扩展,从而可以使磁检测元件能够检测的位移的范围比磁检测元件的间距宽。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-257432号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是,专利文献1所示的位移检测装置由于需要使用与单磁极的磁铁相比高价的具有多磁极列的磁铁,因此存在成本增加的问题。因此,本专利技术的目的在于,提供减少外部干扰噪声对要检测的磁场带来的影响、并且使利用单磁极的磁铁能够检测的范围比磁检测元件的间距宽的位移检测装置。解决问题的方案对于本专利技术的一形态,为了实现上述本文档来自技高网...
位移检测装置

【技术保护点】
一种位移检测装置,具有:磁铁,其在一个方向进行位移且为棒状,并具有长度方向与所述一个方向成预定角度的形状;以及传感器,其以预定间隔成对地配置磁检测元件组,该传感器输出该磁检测元件组的输出之差,该磁检测元件组在与所述一个方向正交的方向上对所述磁铁形成的磁场的磁通密度进行检测。

【技术特征摘要】
2016.07.20 JP 2016-1424491.一种位移检测装置,具有:磁铁,其在一个方向进行位移且为棒状,并具有长度方向与所述一个方向成预定角度的形状;以及传感器,其以预定间隔成对地配置磁检测元件组,该传感器输出该磁检测元件组的输出之差,该磁检测元件组在与所述一个方向正交的方向上对所述磁铁形成的磁场的磁通密度进行检测。2.如权利要求1所述的位移检测装置,其中,所述传感器的所述磁检测元件组中包含的磁检测元...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉谷拓海
申请(专利权)人:梅莱克塞斯技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:瑞士,CH

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